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國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用分析

楊茜 ? 來(lái)源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-02-24 22:30 ? 次閱讀
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分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個(gè)SiC MOSFET型號(hào)(B3M040065Z和B3M040120Z)在T型三電平拓?fù)渲械膬?yōu)勢(shì)及損耗計(jì)算

一、T型三電平拓?fù)涞膬?yōu)勢(shì)與SiC MOSFET適配性

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電壓應(yīng)力降低
T型三電平拓?fù)渲?,每個(gè)開(kāi)關(guān)器件僅承受母線(xiàn)電壓的一半(如1200V母線(xiàn)下器件承受600V)。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) B3M040065Z(650V/67A)和B3M040120Z(1200V/64A)的耐壓能力均適配該需求,且冗余設(shè)計(jì)增強(qiáng)可靠性。

高頻性能優(yōu)勢(shì)
SiC MOSFET的快速開(kāi)關(guān)特性(如B3M040120Z的開(kāi)關(guān)延遲僅12ns,關(guān)斷延遲34ns)顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,尤其適合40kHz高頻應(yīng)用,而傳統(tǒng)IGBT在高于20kHz時(shí)損耗急劇增加。

反向恢復(fù)特性
SiC MOSFET體二極管反向恢復(fù)電荷(如B3M040120Z的Qrr=187nC@25°C)遠(yuǎn)低于IGBT,可減少續(xù)流階段的損耗和EMI。

熱管理簡(jiǎn)化
SiC的低導(dǎo)通電阻(如B3M040065Z的R_DS(on)=40mΩ@18V)和低熱阻(R_th(j-c)=0.48K/W)允許更小的散熱器,提升功率密度。

BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片,可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片,絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V,驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A,可支持耐壓1700V以?xún)?nèi)功率器件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流,反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器,適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521xx,該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過(guò)溫保護(hù)功能,輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過(guò)OSC 腳設(shè)定,最高工作頻率可達(dá)1.5MHz,非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓的需求,BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

三、替代潛力分析

效率提升:SiC方案效率提升1-2%,對(duì)光伏逆變器/充電樁等場(chǎng)景意義重大。

散熱成本降低:SiC的更低損耗和熱阻可減少散熱器體積,降低系統(tǒng)成本。

高頻化優(yōu)勢(shì):40kHz下IGBT需降額使用,而SiC仍可全功率運(yùn)行,支持更高功率密度設(shè)計(jì)。

可靠性:SiC耐高溫(T_j=175°C)和抗雪崩能力(E_AS=324mJ)優(yōu)于IGBT。

結(jié)論

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) B3M040065Z和B3M040120Z在T型三電平拓?fù)渲斜憩F(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),尤其在40kHz或以上的高頻下:

損耗降低16%以上,系統(tǒng)效率提升;

散熱需求減少,降低整體成本;

兼容高頻設(shè)計(jì),支持更高功率密度和響應(yīng)速度。
替代老舊IGBT方案具備明確的技術(shù)與經(jīng)濟(jì)性潛力,特別適用于新能源發(fā)電、儲(chǔ)能PCS等高頻高功率場(chǎng)景。

BASiC基本股份自2017年開(kāi)始布局車(chē)規(guī)級(jí)SiC碳化硅器件研發(fā)和制造,逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系,將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)到客戶(hù)服務(wù)的各業(yè)務(wù)過(guò)程中,保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。BASiC基本股份分別在深圳、無(wú)錫投產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)SiC碳化硅(深圳基本半導(dǎo)體)芯片產(chǎn)線(xiàn)和汽車(chē)級(jí)SiC碳化硅功率模塊(無(wú)錫基本半導(dǎo)體)專(zhuān)用產(chǎn)線(xiàn);BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車(chē)級(jí)SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車(chē)廠和Tier1電控客戶(hù)的30多個(gè)車(chē)型定點(diǎn),是國(guó)內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊(比如BASiC基本股份)量產(chǎn)上車(chē)的頭部企業(yè)。

審核編輯 黃宇

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