安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計(jì)用于替換單個設(shè)備和相關(guān)外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)由一個系列基極電阻和一個基極-發(fā)射極電阻組成。BRT通過將所有組件集成到單個設(shè)備中，從而消除了單個組件。使用BRT可降低系統(tǒng)成本和電路板空間。安森美 (onsemi) NSBAMXW采用XDFNW3封裝，具有卓越的熱性能。 這些設(shè)備非常適合用于電路板空間和可靠性至關(guān)重要的表面貼裝應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：onsemi NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• XDFNW3外殼521AC封裝，安裝高度低至0.44mm（最大值）
• 可濕性側(cè)翼封裝，實(shí)現(xiàn)最佳自動光學(xué)檢測（AOI）
• 靜電放電 (ESD) 等級 (HBM)：級別1B
• NSV前綴適用于汽車和其他需要獨(dú)特現(xiàn)場和控制變更要求的應(yīng)用；符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具備PPAP功能
• 無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑（BFR），符合RoHS指令

Pni連接

深入解析onsemi偏置電阻晶體管(BRT)NSBAMXW系列技術(shù)特性與應(yīng)用

產(chǎn)品概述

?NSBAMXW系列?是一款集成偏置電阻的PNP數(shù)字晶體管(Bias Resistor Transistor)，專門設(shè)計(jì)用于替代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。該系列器件在單顆晶體管中集成了完整的偏置網(wǎng)絡(luò)，包含兩個電阻：串聯(lián)基極電阻和基極-發(fā)射極電阻。通過使用BRT，可以有效降低系統(tǒng)成本和節(jié)省電路板空間。

主要特性

• ?內(nèi)置偏置電阻?：集成完整的偏置網(wǎng)絡(luò)
• ?互補(bǔ)NPN型號可選?：提供更靈活的設(shè)計(jì)選擇
• ?XDFNW3封裝?：最大安裝高度僅0.44mm，提供卓越的熱性能
• ?可潤濕側(cè)翼封裝?：優(yōu)化自動光學(xué)檢測(AOI)性能
• ?汽車級認(rèn)證?：NSV前綴適用于汽車應(yīng)用，通過AEC-Q101認(rèn)證并支持PPAP
• ?環(huán)保材料?：無鉛、無鹵素/BFR free，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

極限參數(shù)詳解

絕對最大額定值(TA = 25°C)

?重要說明?：超過最大額定值列表中規(guī)定的壓力可能會損壞設(shè)備。如果超過任何這些限制，則不應(yīng)假設(shè)設(shè)備功能正常，可能會發(fā)生損壞，并且可能會影響可靠性。

熱特性參數(shù)

注1：基于JESD51-7標(biāo)準(zhǔn)，使用標(biāo)準(zhǔn)PCB焊盤和2oz銅層

電氣特性(TA = 25°C)

截止電流特性

• ?集電極-基極截止電流?(VCB = -50 V, IE = 0)：ICBO ≤ -100 nA
• ?集電極-發(fā)射極截止電流?(VCE = -50 V, IB = 0)：ICEO ≤ -500 nA
• ?發(fā)射極-基極截止電流?(VEB = -5 V, IC = 0)：IEBO ≤ -0.5 mA(不同型號有差異)

直流電流增益

在VCE = -10.0 V, IC = -5 mA條件下：

• NSBA114E/NSBA124E/NSBA123Y：hFE ≥ 35
• NSBA143E：hFE ≥ 15
• NSBA144E：hFE ≥ 80

飽和與開關(guān)特性

?集電極-發(fā)射極飽和電壓?(IC = -10 mA, IB = -0.3 mA)：VCE(sat) ≤ -0.25 V

? 輸入電壓(關(guān)斷) ?(VCE = -5.0 V, IC = -100 mA)：
各型號VI(off)范圍從-1.2 V到-0.3 V不等

? 輸入電壓(導(dǎo)通) ?：

• NSBA114E(VCE = -0.3 V, IC = -10 mA)：VI(on) = -2.5 到 -1.8 V
• 其他型號在類似測試條件下呈現(xiàn)不同的導(dǎo)通電壓特性

內(nèi)置電阻參數(shù)

偏置電阻值(R1)

電阻比率(R1/R2)

大多數(shù)型號的電阻比率范圍為0.8到1.2，而NSBA123Y具有特殊的0.18到0.27比率。

典型特性曲線分析

飽和電壓特性

圖1顯示VCE(sat)隨集電極電流增加而增加，在IC/IB = 10條件下，典型飽和電壓在0.1-0.3V范圍內(nèi)。

直流電流增益

圖2展示hFE在不同溫度下的變化趨勢，在VCE = 10V條件下，電流增益隨集電極電流變化呈現(xiàn)典型分布。

開關(guān)特性

圖3和圖4分別展示了輸出電流與輸入電壓、輸入電壓與輸出電流的關(guān)系，為開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)提供重要參考。

封裝與訂購信息

封裝規(guī)格

• ?封裝類型?：XDFNW3 (DFN1010-3)
• ?特點(diǎn)?：優(yōu)越的熱性能，適合板空間和可靠性要求較高的表面貼裝應(yīng)用

訂購代碼說明

應(yīng)用領(lǐng)域

主要應(yīng)用場景

• ?數(shù)字開關(guān)?：適用于各種數(shù)字邏輯接口和開關(guān)控制
• ?IC輸入控制?：為集成電路提供精確的輸入控制功能

設(shè)計(jì)優(yōu)勢

1. ?空間優(yōu)化?：DFN1010-3封裝提供最小的占板面積
2. ?成本效益?：消除外部電阻，降低BOM成本和裝配成本
3. ?可靠性提升?：集成設(shè)計(jì)減少元件數(shù)量，提高系統(tǒng)可靠性
4. ?熱管理?：優(yōu)越的封裝熱性能確保穩(wěn)定工作