安森美 (onsemi) NSBCMXW NPN 偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計用于替代單個設(shè)備及其相關(guān)的外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些安森美 (onsemi) BRT集成了單個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)由一個系列基極電阻和一個基極-發(fā)射極電阻組成。BRT將所有組件集成到單個設(shè)備中，從而消除了單個組件。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。NSBCMXW組件采用XDFNW3封裝，具有卓越的散熱性能。這些晶體管非常適合用于電路板空間和可靠性至關(guān)重要的表面貼裝應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊；*附件：onsemi NSBCMXW NPN偏置電阻晶體管數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 內(nèi)置偏置電阻器
• XDFNW3外殼521AC封裝，安裝高度低至0.44mm（最大值）
• 可濕性側(cè)翼封裝，實(shí)現(xiàn)最佳自動光學(xué)檢測（AOI）
• 靜電放電 (ESD) 等級 (HBM)：級別1B
• NSV前綴適用于汽車和其他需要獨(dú)特現(xiàn)場和控制變更要求的應(yīng)用；符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具備PPAP功能
• 無鉛、無鹵/無溴化阻燃劑（BFR），符合RoHS指令

引腳連接

NSBCMXW系列偏置電阻晶體管（BRT）技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述與技術(shù)原理

?NSBCMXW系列?是安森美半導(dǎo)體推出的NPN偏置電阻晶體管（Bias Resistor Transistors），設(shè)計用于替代傳統(tǒng)分立晶體管及其外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。該系列器件單片集成一個晶體管和由兩個電阻構(gòu)成的偏置網(wǎng)絡(luò)：一個串聯(lián)基極電阻（R1）和一個基極-發(fā)射極電阻（R2）。這種創(chuàng)新設(shè)計通過?器件集成化?顯著節(jié)省系統(tǒng)成本和PCB空間，特別適用于板面空間和可靠性要求嚴(yán)苛的表面貼裝應(yīng)用。

核心技術(shù)特征

• ?電壓電流規(guī)格?：集電極-發(fā)射極電壓50V，集電極電流100mA
• ?封裝優(yōu)勢?：采用DFN1010-3封裝，最大安裝高度僅0.44mm
• ?質(zhì)量認(rèn)證?：提供汽車級NSV前綴版本，通過AEC-Q101認(rèn)證并具備PPAP能力
• ?環(huán)保合規(guī)?：無鉛、無鹵素/BFRfree，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

二、關(guān)鍵電氣參數(shù)深度分析

2.1 極限工作條件

在25°C環(huán)境溫度下，器件的最大額定值包括：

• 集電極-發(fā)射極電壓（VCEO）：50V
• 集電極-基極電壓（VCBO）：50V
• 輸入電壓范圍：根據(jù)不同型號從-10V到+40V不等

?注意事項(xiàng)?：超出最大額定值的應(yīng)力可能損壞器件，此時不應(yīng)假定器件功能正常，可能發(fā)生損壞并影響可靠性

2.2 靜態(tài)特性參數(shù)

以NSBC144E型為例的典型電氣特性：

• ? 直流電流增益（hFE） ?：VCE=10V，IC=5mA時，典型值為80
• ?集電極-發(fā)射極飽和電壓?：IC=10mA，IB=0.3mA時最大0.25V
• ?關(guān)斷輸入電壓?：VCE=5V，IC=100mA時，典型值1.2V
• ?導(dǎo)通輸入電壓?：VCE=0.3V條件下，各型號的導(dǎo)通閾值從0.9V到2.0V不等

2.3 集成電阻規(guī)格

內(nèi)置偏置電阻的標(biāo)稱值：

• NSBC114E：R1=10kΩ，R2=10kΩ
• NSBC124E：R1=22kΩ，R2=22kΩ
• NSBC143Z：R1=4.7kΩ，R2=47kΩ
• 電阻比值（R1/R2）根據(jù)不同型號在0.1到1之間

三、熱管理與可靠性設(shè)計

3.1 熱特性參數(shù)

• ?總功耗?：在TA=25°C時最大450mW
• ?熱阻?：結(jié)到環(huán)境的熱阻（RθJA）為145°C/W
• ?工作溫度范圍?：結(jié)溫和存儲溫度范圍-65°C至+150°C

3.2 散熱設(shè)計考慮

根據(jù)圖6的降額曲線，環(huán)境溫度升高時需要相應(yīng)降低功耗要求。在高溫環(huán)境中設(shè)計時，必須參考瞬態(tài)熱阻特性（圖7）確保散熱充分。

四、典型應(yīng)用場景與設(shè)計指南

4.1 主要應(yīng)用領(lǐng)域

• ?數(shù)字開關(guān)電路?：利用其快速開關(guān)特性
• ?IC輸入控制?：簡化接口電路設(shè)計
• ?汽車電子系統(tǒng)?：滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的版本

4.2 電路設(shè)計要點(diǎn)

1. ?偏置設(shè)計簡化?：利用集成電阻網(wǎng)絡(luò)，無需外部分立電阻
2. ?開關(guān)時序優(yōu)化?：參考圖3、圖4的輸入輸出特性曲線
3. ?布局建議?：充分利用DFN1010-3封裝的散熱優(yōu)勢

五、選型指南與訂購信息

5.1 型號對比選擇

不同型號的主要差異在于內(nèi)置電阻值和電阻比例：

• 需要較小基極電流時選擇R1較大的型號（如NSBC124E）
• 對開關(guān)速度要求高時選擇R1較小的型號

5.2 封裝與標(biāo)記

• ?封裝類型?：XDFNW3（無鉛）
• ?標(biāo)記規(guī)則?："XXM"格式，XX為具體器件代碼，M為日期代碼
• ?包裝方式?：磁帶和卷盤包裝，每卷3000件