安森美NVTFWS1D9N04XM MOSFET具有低RDS(on) 和低電容，采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源極電壓、141A連續(xù)漏極電流以及1.9mΩ漏-源極電阻（10V時(shí)）。安森美NVTFWS1D9N04XM MOSFET采用3.3mmx3.3mm小尺寸封裝，非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)和同步整流應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 低 RDS(on) ，可最大限度降低導(dǎo)通損耗
• 低電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗
• 占位面積?。?.3mmx3.3mm），設(shè)計(jì)緊湊
• 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
• 無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令

封裝類型

瞬態(tài)熱響應(yīng)

?NVTFWS003N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?摘要?
NVTFWS003N04XM是安森美半導(dǎo)體推出的N溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)的u8FL封裝技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻、高電流容量和優(yōu)異的開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)和同步整流等領(lǐng)域。本文基于官方數(shù)據(jù)手冊(cè)，深入分析其關(guān)鍵參數(shù)與設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

?1. 核心特性與優(yōu)勢(shì)?

• ?低導(dǎo)通電阻?：
  RDS(on)最大值為2.85 mΩ（@VGS=10V, ID=8A），顯著降低導(dǎo)通損耗，提升能效。
• ?高電流處理能力?：
  連續(xù)漏極電流達(dá)98A（TC=25°C），脈沖電流高達(dá)570A（10ms脈沖），適用于大功率場(chǎng)景。
• ?緊湊封裝設(shè)計(jì)?：
  WDFN8封裝尺寸僅3.3mm×3.3mm，節(jié)省PCB空間，符合高密度設(shè)計(jì)要求。
• ?低柵極電荷?：
  總柵極電荷QG(TOT)典型值為16nC，搭配低輸入電容（CISS=1042pF），優(yōu)化開關(guān)速度與驅(qū)動(dòng)效率。

?2. 電氣參數(shù)深度分析?

?2.1 靜態(tài)參數(shù)?

?2.2 動(dòng)態(tài)特性?

• ?開關(guān)速度?：
  在VDD=32V、ID=8A、RG=0Ω條件下，開啟延遲時(shí)間td(ON)=6ns，上升時(shí)間tr=9ns，關(guān)斷延遲時(shí)間td(OFF)=9ns，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
• ?反向恢復(fù)性能?：
  體二極管反向恢復(fù)時(shí)間tRR=59ns，電荷QRR=24nC，降低同步整流中的反向恢復(fù)損耗。

?3. 熱管理與可靠性?

• ?熱阻特性?：
  結(jié)到殼熱阻RθJC=2.9°C/W，結(jié)到環(huán)境熱阻RθJA=48°C/W（基于650mm2 2oz銅測(cè)試板），需通過散熱設(shè)計(jì)控制溫升。
• ? 安全工作區(qū)（SOA） ?：
  如圖11所示，器件在10ms脈沖下可承受570A電流，但需注意熱限值與封裝限制。

?4. 典型應(yīng)用場(chǎng)景?

?4.1 電機(jī)驅(qū)動(dòng)?

低RDS(on)與高電流能力適合驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)，減少功率損耗并提升輸出扭矩。

?4.2 電池保護(hù)電路?

利用其低導(dǎo)通壓降與快速響應(yīng)特性，構(gòu)建過流/短路保護(hù)模塊，增強(qiáng)系統(tǒng)安全性。

?4.3 同步整流?

優(yōu)異的開關(guān)速度與低柵極電荷，使其成為開關(guān)電源次級(jí)側(cè)整流的理想選擇，提升轉(zhuǎn)換效率。

?5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

1. ?柵極驅(qū)動(dòng)?：
   推薦VGS=10V以充分降低RDS(on)，避免因驅(qū)動(dòng)不足導(dǎo)致發(fā)熱加劇。
2. ?布局優(yōu)化?：
   優(yōu)先縮短功率回路路徑，減少寄生電感對(duì)開關(guān)振鈴的影響。
3. ?** avalanche耐量**?：
   單脈沖雪崩能量EAS=168mJ（IPK=5A），需在電感負(fù)載應(yīng)用中預(yù)留余量。

?6. 總結(jié)?

NVTFWS003N04XM通過平衡導(dǎo)通損耗、開關(guān)性能與封裝尺寸，為高功率密度應(yīng)用提供了可靠解決方案。設(shè)計(jì)時(shí)需結(jié)合熱管理與驅(qū)動(dòng)優(yōu)化，以發(fā)揮其最大性能潛力。