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在半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展中，封裝技術(shù)作為連接芯片與外部世界的橋梁，其重要性不言而喻。

目前封裝技術(shù)主要使用以下三種：

1. 引線(xiàn)鍵合技術(shù)

通過(guò)采用導(dǎo)電性好的金絲引線(xiàn)將芯片管腳與電路相連接。

2. 載帶自動(dòng)鍵合技術(shù)

通過(guò)將金絲轉(zhuǎn)換成銅箔，將銅箔與芯片管腳的凸點(diǎn)貼合。

3. 倒裝芯片技術(shù)

通過(guò)將芯片上導(dǎo)電的凸點(diǎn)與電路板上的凸點(diǎn)在一定工藝條件下連接起來(lái)。

由于半導(dǎo)體越來(lái)越集成化，體積越來(lái)越小，性能越來(lái)越高，而倒裝封裝技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景，成為當(dāng)前半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一顆璀璨明星。

一、倒裝芯片封裝技術(shù)發(fā)展簡(jiǎn)述

倒裝芯片起源于20世紀(jì)60年代，由IBM率先研發(fā)出來(lái)。倒裝芯片封裝技術(shù)是指采用平面工藝在集成電路芯片的輸入/輸出端（I/O）端制作無(wú)鉛焊點(diǎn)，先將芯片上的焊點(diǎn)與基板上的焊盤(pán)進(jìn)行對(duì)位、貼裝，然后使用焊料回流工藝在芯片和基板焊盤(pán)間形成焊球，最后在芯片與基板間的空隙中填充底部填充膠水，實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電、熱和機(jī)械連接。由于是將芯片功能區(qū)朝下以倒扣的方式背對(duì)著基板，通過(guò)焊料凸點(diǎn)與基板進(jìn)行互聯(lián)，芯片放置方向與傳統(tǒng)封裝功能區(qū)朝上相反，故稱(chēng)倒裝芯片。如下圖所示：

二、倒裝芯片封裝工藝介紹

倒裝芯片，英文全稱(chēng)：Flip Chip（英文名稱(chēng)直譯為“翻轉(zhuǎn)芯片”），也可簡(jiǎn)稱(chēng)為：FC，它是一種封裝工藝，也稱(chēng)為芯片倒裝封裝技術(shù)，是一種將集成電路芯片倒裝在載板或基板上的封裝方式。其思想源自于50年代的熱電偶焊接技術(shù)，而真正被廣泛應(yīng)用則是在90年代。

與傳統(tǒng)的引線(xiàn)鍵合工藝相比，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝是將集成電路芯片的主動(dòng)面（有電路圖案的一面）朝下，通過(guò)焊點(diǎn)直接連接到基板上，然后通過(guò)微小的焊點(diǎn)或?qū)щ娔z水進(jìn)行連接。這種封裝方式不僅結(jié)構(gòu)緊湊，而且能夠?qū)崿F(xiàn)高密度的輸入輸出（I/O）連接，是現(xiàn)代高性能半導(dǎo)體器件封裝的主流技術(shù)之一。

業(yè)內(nèi)人士都知道：芯片封裝發(fā)展的第三階段（1990年代），代表類(lèi)型是BGA（球形陣列）封裝。早期的BGA封裝，是WB （ Wire Bonding，引線(xiàn)） BGA，屬于傳統(tǒng)封裝。 后來(lái)，芯片的體積越來(lái)越小 ，而單顆芯片內(nèi)的焊盤(pán)數(shù)量越來(lái)越多（ 接近或超過(guò)1000個(gè)）。傳統(tǒng)的引線(xiàn)封裝，已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足要求。 于是，采用倒裝技術(shù)替換焊線(xiàn)的FC BGA封裝，就出現(xiàn)了現(xiàn)在的倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術(shù)的。

三、倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)

以下就是本章節(jié)要跟大家分享的關(guān)于倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)主要內(nèi)容，如有不當(dāng)或是遺漏之處，還望及時(shí)指正：

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因?yàn)楸綪PT章節(jié)太多，剩下部分如有朋友有需要，可私信我邀請(qǐng)您加入我“知識(shí)星球”免費(fèi)下載PDF版本。注意：此資料只可供自己學(xué)習(xí)，不可傳閱，平臺(tái)有下載記錄，切記！歡迎加入后一起交流學(xué)習(xí)。

四、倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝技術(shù)工藝流程

1、凸點(diǎn)制作（Bumping）

倒裝芯片（Flip Chip）封裝包括熱超聲、回流焊和熱壓三種工藝，其凸點(diǎn)分別使用金球、錫球和銅柱。

熱超聲，是在超聲和溫度的共同作用下, 將金凸點(diǎn)“粘”在基板的焊盤(pán)上。這種方式，適用于I/O密度較小的芯片。

回流焊，是在錫凸點(diǎn)表面涂覆助焊劑，再通過(guò)熱回流加熱，進(jìn)行焊接。這種方式也適合 I/O密度較?。?凸點(diǎn)間距 40-50μm）的芯片。

熱壓（ Thermal Compression Bonding，TCB）， 采用高深寬比、小尺寸的銅柱凸點(diǎn)，直接加熱粘結(jié)。這種方式能夠?qū)崿F(xiàn)高密度互聯(lián)，適用于I/O密度較大（ 凸點(diǎn)間距 40-10μm）的芯片。

金凸點(diǎn)的成本高。相比之下，銅柱凸點(diǎn)的電性能、散熱性能比較好，制備難度均衡，成本也比較低，所以用得比較多。

凸點(diǎn)下金屬化是為了將半導(dǎo)體中P-N結(jié)的性能引出，其中熱壓倒裝芯片（Flip Chip）連接最合適的凸點(diǎn)材料是金，凸點(diǎn)可以通過(guò)傳統(tǒng)的電解鍍金方法生成，或者采用釘頭凸點(diǎn)方法。

制作凸點(diǎn)的流程比較復(fù)雜。其實(shí)說(shuō)白了，就是前面晶圓制造時(shí)的那套工藝，例如沉積、光刻、刻蝕等。

沉積包括UBM（ Under Bump Metallization，凸點(diǎn)下金屬化層）的沉積和凸點(diǎn)本身的沉積。 UBM位于凸點(diǎn)與芯片焊盤(pán)（金屬墊，Al pad 鋁墊層）之間，起到增強(qiáng)凸點(diǎn)附著力、提高電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率的作用。

UBM的沉積，通常采用 濺射（ Sputtering）、 化學(xué)鍍（ Electroless）、 電鍍（ Electroplating）的方式實(shí)現(xiàn)。

凸點(diǎn)本身的沉積，通常采用電鍍、印刷、蒸鍍、植球的方式實(shí)現(xiàn)（前兩者比較常見(jiàn)）。

大致的流程示例如下，在這里說(shuō)明一下：比較特別的是，最后多了一個(gè)步驟——“回流 ”，把錫帽變成了子彈頭形狀。

回流形成凸點(diǎn)是指給P-N結(jié)做一個(gè)電極，類(lèi)似于給電池加工一個(gè)輸出端。常見(jiàn)的凸點(diǎn)制造方法包括：蒸鍍、電鍍、印刷、釘頭、放球和轉(zhuǎn)移等。

2、 對(duì)準(zhǔn)和貼裝

倒裝芯片（Flip Chip）組裝是指將已經(jīng)凸點(diǎn)的晶片組裝到基板／板卡上，在熱壓連接工藝中，芯片的凸點(diǎn)是通過(guò)加熱、加壓的方法連接到基板的焊盤(pán)上。該工藝要求芯片或者基板上的凸點(diǎn)為金凸點(diǎn)，同時(shí)還要有一個(gè)可與凸點(diǎn)連接的表面，使材料充分軟化，同時(shí)促進(jìn)連接過(guò)程中的擴(kuò)散作用。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是使用精密的貼裝設(shè)備，將晶粒上的凸點(diǎn)與基板上的焊盤(pán)進(jìn)行精確對(duì)準(zhǔn)，然后通過(guò)回流焊等工藝，實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)與焊盤(pán)的連接。

回流焊的大致過(guò)程如下：

先將晶粒（芯片）的凸點(diǎn)沾上助焊劑，或者在基板上加定量的助焊劑。助焊劑的作用，是去除金屬表面氧化物并促進(jìn)焊料流動(dòng)。

然后，用貼片設(shè)備將晶粒精準(zhǔn)地放到基板上。

接下來(lái)，將晶粒和基板整體加熱（回流焊），實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)和焊盤(pán)之間的良好浸潤(rùn)結(jié)合（溫度和時(shí)長(zhǎng)需要嚴(yán)格控制）。

最后，清洗去除助焊劑，就OK了。

凸點(diǎn)數(shù)量較多、間距較小時(shí)，回流焊容易導(dǎo)致出現(xiàn)翹曲和精度問(wèn)題。于是，這個(gè)時(shí)候就可以用熱壓（TCB）工藝。

之前的文章里有講過(guò)：熱壓（TCB）工藝非常適合更多凸點(diǎn)、更小凸點(diǎn)間距的芯片。它利用高精度相機(jī)完成芯片間的對(duì)準(zhǔn)，并通過(guò)控制熱壓頭的壓力與位移接觸基座，施加壓力并加熱，實(shí)現(xiàn)連接。（后續(xù)我們講混合鍵合，會(huì)再提到熱壓。）

3、底部填充

連接之后，大家會(huì)注意到，晶粒和基板之間的區(qū)域是空心結(jié)構(gòu)。（芯片底部的焊球分布區(qū)，也叫C4區(qū)域， Controlled Collapse Chip Connection， “可控塌陷芯片連接”。）

為了避免后續(xù)出現(xiàn) 偏移、冷焊、橋接短路等質(zhì)量問(wèn)題，需要對(duì)空心部分進(jìn)行填充。

填充和傳統(tǒng)封裝的塑封有點(diǎn)像，使用的是填充膠（ Underfill ）。 不僅能夠固定晶粒，防止移動(dòng)或脫落，還能夠吸收熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力，提高封裝的可靠性。

底部填充工藝是指先將倒裝芯片（Flip Chip）與基板加熱到70至75℃，然后使用非導(dǎo)電材料填充芯片底部孔隙。由于縫隙的毛細(xì)管的虹吸作用，填料被吸入，并向中心流動(dòng)，芯片邊緣有阻擋物，以防止流出。填充完畢后，在烘箱中分段升溫，達(dá)到130 ℃左右的固化溫度后，保持一定時(shí)間后即可完全固化。

底部填充的應(yīng)用是在倒裝芯片（Flip Chip）組裝之后，即倒裝芯片（Flip Chip）已經(jīng)在基板上并且焊點(diǎn)已經(jīng)進(jìn)行了大規(guī)?；亓?。底部填充常用工藝包括：毛細(xì)底部填充 (CUF)、模壓底部填充 (MUF)和印刷底部填充三種工藝。

a. 毛細(xì)底部填充 (CUF)

底部填充物通過(guò)針頭或噴射器在基板組件上的倒裝芯片（Flip Chip）的一側(cè)（或兩側(cè)）輔助真空進(jìn)行分配。由于毛細(xì)作用，這種底部填充物完全填充了芯片、焊點(diǎn)和基板之間的空間，然后通過(guò)固化底部填充膠將芯片和基板牢固地結(jié)合在一起。

一般來(lái)說(shuō)，倒裝芯片（Flip Chip）封裝都是以毛細(xì)底部填充 (CUF)為主。方法比較簡(jiǎn)單： 清洗助焊劑之后，沿著芯片邊緣，注入底部填充膠。底部填充 膠借助毛細(xì)作用，會(huì)被吸入芯片和基板的空隙內(nèi)，完成填充。

b. 模壓底部填充 (MUF)

修改后的 EMC 是對(duì)芯片進(jìn)行轉(zhuǎn)移成型并填充芯片、焊點(diǎn)和倒裝芯片（Flip Chip）組件基板之間的間隙。芯片的灌封膠和底部填充膠同時(shí)形成，大幅提高作業(yè)效率

c. 印刷底部填充

為了提高CUF的效率并避免MUF的缺點(diǎn)，市場(chǎng)上出現(xiàn)一種全新的組裝后底部填充的方法，該方法使用模板在封裝基板組件上印刷倒裝芯片（Flip Chip）的底部填充材料，工藝流程如下圖所示：

填充之后，還要進(jìn)行固化。 固化的溫度和時(shí)間，取決于填充膠的種類(lèi)和封裝要求。 講到這里，倒裝芯片（Flip Chip）封裝（凸點(diǎn)工藝）的大致流程基本就是這樣的了。

五、倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與局限性

在倒裝芯片（Flip Chip）封裝中，硅芯片使用焊接凸塊而非焊線(xiàn)直接固定在基材上，提供密集的互連，具有很高的電氣性能和熱性能。倒裝芯片（Flip Chip）互連實(shí)現(xiàn)了終極的微型化，減少了封裝寄生效應(yīng)，并且實(shí)現(xiàn)了其他傳統(tǒng)封裝方法無(wú)法實(shí)現(xiàn)的芯片功率分配和地線(xiàn)分配新模式。但是同時(shí)也還有很多方面的問(wèn)題和局限性待解決。

1、優(yōu)勢(shì)

a. 高封裝密度

倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝能夠?qū)崿F(xiàn)高密度的I/O連接，使得芯片與基板之間的連接距離大大縮短。這不僅減小了封裝的體積，還提高了信號(hào)的傳輸速度和可靠性。

b. 優(yōu)異的電性能

由于芯片直接與基板連接，信號(hào)傳輸路徑大大縮短，減少了電阻、電感等不良影響，從而提高了芯片的電性能。此外，倒裝芯片（Flip Chip）封裝還能夠減少寄生電容和電感，提高信號(hào)的完整性。

c. 良好的散熱性能

芯片直接與基板接觸，使得熱量能夠快速傳導(dǎo)到基板上，并通過(guò)基板上的散熱結(jié)構(gòu)散發(fā)出去。這種散熱方式比傳統(tǒng)的引線(xiàn)鍵合封裝更為高效，有助于提高芯片的可靠性和壽命。

d. 簡(jiǎn)化封裝流程

倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝省去了傳統(tǒng)封裝中的引線(xiàn)鍵合步驟，簡(jiǎn)化了封裝流程，降低了封裝成本。同時(shí)，由于封裝體積小、重量輕，也降低了物流運(yùn)輸和存儲(chǔ)成本。

2、局限性

a. 倒裝芯片（Flip Chip）需要在晶圓上制造凸點(diǎn)，工藝相對(duì)復(fù)雜。

b. 如果芯片不是專(zhuān)門(mén)倒裝芯片（Flip Chip）設(shè)計(jì)的，還需要設(shè)計(jì)和加工再分布層。

c. 倒裝芯片（Flip Chip）更易受到溫度變化的影響需要更多地考慮芯片和基板的CTE良好匹配，對(duì)熱分析有更高的要求。

六、倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝技術(shù)的應(yīng)用

倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。以下是幾個(gè)典型的應(yīng)用領(lǐng)域：

1、高性能處理器

在高性能處理器中，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝能夠?qū)崿F(xiàn)高密度的I/O連接，提高信號(hào)傳輸速度和可靠性。例如，Intel和AMD等處理器制造商都采用了倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝來(lái)封裝其高性能處理器。

2、存儲(chǔ)器芯片

存儲(chǔ)器芯片對(duì)封裝密度和散熱性能要求較高。倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝能夠滿(mǎn)足這些要求，使得存儲(chǔ)器芯片的體積更小、性能更高。例如，三星、SK海力士等存儲(chǔ)器芯片制造商都采用了倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝來(lái)封裝其存儲(chǔ)器芯片。

3、射頻芯片

射頻芯片對(duì)信號(hào)的傳輸性能和可靠性要求較高。倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝能夠減少信號(hào)傳輸過(guò)程中的損耗和干擾，提高射頻芯片的性能。例如，高通、聯(lián)發(fā)科等射頻芯片制造商都采用了倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝來(lái)封裝其射頻芯片。

4、傳感器芯片

傳感器芯片對(duì)封裝體積和散熱性能要求較高。倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝能夠滿(mǎn)足這些要求，使得傳感器芯片的體積更小、性能更高。例如，意法半導(dǎo)體、博世等傳感器芯片制造商都采用了倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝來(lái)封裝其傳感器芯片。

七、倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)與解決方案

盡管倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝具有諸多優(yōu)勢(shì)，但在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中仍面臨一些挑戰(zhàn)。以下是一些典型的挑戰(zhàn)及相應(yīng)的解決方案：

1、凸點(diǎn)制作難度

凸點(diǎn)制作是倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝中的關(guān)鍵步驟之一，但其制作難度較大。凸點(diǎn)的大小、形狀和分布密度對(duì)封裝質(zhì)量和可靠性有著重要影響。為了解決這一問(wèn)題，制造商需要不斷優(yōu)化凸點(diǎn)制作工藝和設(shè)備，提高凸點(diǎn)制作的精度和穩(wěn)定性。

2、對(duì)準(zhǔn)與貼裝精度

芯片與基板之間的對(duì)準(zhǔn)與貼裝精度對(duì)封裝質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要。為了實(shí)現(xiàn)高精度的對(duì)準(zhǔn)與貼裝，制造商需要采用先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)和貼裝設(shè)備，并對(duì)設(shè)備進(jìn)行定期校準(zhǔn)和維護(hù)。

3、底部填充膠的選擇與固化

底部填充膠的選擇與固化對(duì)封裝質(zhì)量和可靠性有著重要影響。為了選擇合適的底部填充膠并確保其固化質(zhì)量，制造商需要充分了解底部填充膠的性能和特點(diǎn)，并根據(jù)封裝要求進(jìn)行選擇和測(cè)試。

八、倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展前景。以下是倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝的一些未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)：

1、微型化與高密度化

隨著半導(dǎo)體器件的不斷微型化和高密度化，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝將朝著更高密度的I/O連接和更小的封裝體積方向發(fā)展。這將使得半導(dǎo)體器件的性能更高、體積更小、重量更輕。

2、智能化與自動(dòng)化

隨著智能制造和自動(dòng)化技術(shù)的發(fā)展，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝將朝著更加智能化和自動(dòng)化的方向發(fā)展。通過(guò)引入先進(jìn)的自動(dòng)化設(shè)備和智能控制系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)更高效、更精確的封裝過(guò)程。

3、環(huán)保與可持續(xù)性

隨著環(huán)保意識(shí)的不斷提高和可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的推進(jìn)，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝將朝著更加環(huán)保和可持續(xù)的方向發(fā)展。制造商將采用更加環(huán)保的封裝材料和工藝，減少對(duì)環(huán)境的影響。

4、多元化應(yīng)用

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝將在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用。例如，在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝將發(fā)揮重要作用。

九、總結(jié)一下

倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)經(jīng)過(guò)了很長(zhǎng)的一段時(shí)間發(fā)展，從三凸點(diǎn)倒裝芯片（Flip Chip）到萬(wàn)凸點(diǎn)倒裝芯片（Flip Chip），現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到10萬(wàn)凸點(diǎn)倒裝芯片（Flip Chip），同時(shí)倒裝芯片（Flip Chip）的間距也小至20μm。但是，倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)依然面臨著激烈競(jìng)爭(zhēng)，它的部分市場(chǎng)份額正逐漸被扇出型晶圓/面板級(jí)封裝（簡(jiǎn)稱(chēng) FOWLP）技術(shù)所奪走，尤其是PoP封裝技術(shù)。由于成本更低、性能更高、尺寸也更小等，現(xiàn)在愛(ài)瘋手機(jī)開(kāi)始采用PoP封裝技術(shù)制造，同時(shí)，越來(lái)越多的智能手機(jī)公司和組件公司也在效仿愛(ài)瘋手機(jī)，這意味著FOWLP不僅僅用于封裝基帶、RF（射頻）開(kāi)關(guān)/收發(fā)器、PMIC（電源管理集成電路）、音頻編解碼器、MCU（微控制單元）、RF雷達(dá)、連接IC等，也可用于封裝AP等高性能大型（>120mm2）SoC。對(duì)于倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術(shù)來(lái)說(shuō)，這無(wú)疑形成一個(gè)巨大挑戰(zhàn)。

但是，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝作為一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景，成為當(dāng)前半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一顆璀璨明星。通過(guò)不斷優(yōu)化工藝和設(shè)備、解決挑戰(zhàn)和問(wèn)題，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝將朝著更高密度、更高性能、更環(huán)保和可持續(xù)的方向發(fā)展。未來(lái)，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝將在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。

而伴隨著科技的不斷發(fā)展，倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術(shù)也在不斷進(jìn)步和創(chuàng)新。未來(lái)，隨著封裝技術(shù)的進(jìn)一步提高和應(yīng)用需求的進(jìn)一步提升，倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術(shù)將在更多的領(lǐng)域得到應(yīng)用，為推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。

總的來(lái)說(shuō)，倒裝芯片（Flip Chip）封裝工藝是一種高效、高性能的封裝技術(shù)，它將繼續(xù)在電子技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。雖然它面臨著一些挑戰(zhàn)，但是通過(guò)創(chuàng)新和研發(fā)，我們有理由相信，倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術(shù)將有更廣闊的應(yīng)用前景。

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9. 維基百科、百度百科、各廠(chǎng)商官網(wǎng)。

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