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半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)——“芯片鍵合”工藝技術(shù)的詳解;

愛在七夕時(shí) ? 來源:愛在七夕時(shí) ? 作者:愛在七夕時(shí) ? 2025-12-07 20:49 ? 次閱讀
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【博主簡(jiǎn)介】本人“愛在七夕時(shí)”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言:真知不問出處,所分享的內(nèi)容如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)!

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作為半導(dǎo)體制造的后工序,封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。這些工藝的順序可根據(jù)封裝技術(shù)的變化進(jìn)行調(diào)整、相互結(jié)合或合并。

而其中的“芯片鍵合”技術(shù)在半導(dǎo)體制造中占有重要的地位,它為組件間提供了一個(gè)可靠的電氣機(jī)械連接,使得集成電路能夠與其它系統(tǒng)部分進(jìn)行通信。在眾多的芯片鍵合技術(shù)中,Wedge、Bal、Bump Bonding被廣泛使用。以下將詳細(xì)探討這三種技術(shù)的特點(diǎn)、應(yīng)用以及它們之間的差異。

一、楔型鍵合(Wire Bonding)

1、特點(diǎn)和原理

Wedge鍵合使用一個(gè)帶有尖端的楔形工具來形成金屬絲和基板之間的連接。鍵合時(shí),楔形工具在一定的溫度和壓力下首先與金屬絲接觸,然后與基板接觸。這個(gè)過程形成了一個(gè)堅(jiān)固的鍵合點(diǎn)。

2、材料

通常使用金或鋁線,因?yàn)檫@兩種材料在鍵合過程中具有良好的形成性和可靠性。

3、應(yīng)用

由于其強(qiáng)度和穩(wěn)定性,Wedge鍵合通常用于高可靠性應(yīng)用,例如汽車電子、太陽能電池板和航空電子。

4、優(yōu)點(diǎn)

能夠提供堅(jiān)固的鍵合連接。

適用于各種尺寸和形狀的電線。

適用于高溫環(huán)境。

二、球型鍵合(Ball Bonding

1、特點(diǎn)和原理

Ball鍵合使用加熱的母線頭首先形成一個(gè)小球,然后將這個(gè)球與基板連接。連接完成后,母線頭會(huì)上升,并拉伸金屬線至下一個(gè)鍵合位置。該方法最常用于金線鍵合。

2、材料

通常使用金線。金的延展性和抗氧化性使其成為此類鍵合的理想選擇。

3、應(yīng)用

Bal鍵合通常用于微型集成電路的封裝,例如射頻模塊、存儲(chǔ)器和邏輯芯片。

4、優(yōu)點(diǎn)

高速度和高生產(chǎn)率。

金線具有良好的抗氧化性,保證了長(zhǎng)時(shí)間的連接可靠性。

能夠?qū)崿F(xiàn)微小的鍵合間距,適應(yīng)微型化封裝的趨勢(shì),

三、凸點(diǎn)鍵合( Bump Bonding)

1、特點(diǎn)和原理

Bump鍵合基于金屬凸點(diǎn)(Bump)的原理。首先,將凸點(diǎn)形成在芯片或晶圓上,然后將另一個(gè)部件與之對(duì)接,使用溫度和壓力進(jìn)行鍵合。

2、材料

凸點(diǎn)材料可以是金、錫、銀或銅等多種材料。

3、應(yīng)用

Bump鍵合廣泛用于高密度的集成電路,例如存儲(chǔ)器、處理器和高速通信芯片。

4、優(yōu)點(diǎn)

可以實(shí)現(xiàn)非常高的I/O密度。

適用于精密和高密度的微型化封裝。

能夠提供短的電氣路徑,適合高頻應(yīng)用。

5、比較

速度和生產(chǎn)率:Ball鍵合技術(shù)通常比Wedge鍵合和Bump鍵合更快,因此更適合大規(guī)模生產(chǎn),應(yīng)用范圍:Wedge鍵合適用于高可靠性應(yīng)用,Ball鍵合適用于微型集成電路,而Bump鍵合適用于高密度集成電路。

技術(shù)復(fù)雜性:Bump鍵合在制造過程中相對(duì)復(fù)雜,因?yàn)樗婕暗蕉鄠€(gè)步驟和凸點(diǎn)的形成。成本:Wedge鍵合和Bal鍵合的成本相對(duì)較低,而Bump鍵合因其技術(shù)復(fù)雜性和高密度特性,成本較高。

四、芯片鍵合的環(huán)境適應(yīng)性

每種鍵合技術(shù)都有其適應(yīng)的環(huán)境和使用條件。

Wedge Bonding: 由于其機(jī)械性質(zhì)強(qiáng)和耐高溫特點(diǎn),楔形鍵合在需要在極端環(huán)境中工作的設(shè)備中是首選,例如衛(wèi)星或深海設(shè)備。

Ball Bonding: 由于金線的抗氧化性,球形鍵合在需要長(zhǎng)時(shí)間可靠性的設(shè)備中具有優(yōu)勢(shì),例如醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品。

Bump Bonding: Bump鍵合因其電氣路徑短和高頻特性,在高速或高數(shù)據(jù)處理要求的設(shè)備中具有明顯優(yōu)勢(shì),如高速處理器和通信設(shè)備。

以下就是今天要跟大家分享的具體內(nèi)容:

半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)——“芯片鍵合”工藝技術(shù)的詳解;mp.weixin.qq.com/s/U7ZVdAOfHdRw6psasgcKpQ?token=1717143218&lang=zh_CN

五、技術(shù)挑戰(zhàn)和發(fā)展

隨著芯片設(shè)計(jì)日益復(fù)雜,鍵合工藝也面臨著不少挑戰(zhàn)。例如,隨著芯片上的元件數(shù)量的增加,需要更精細(xì)、更緊湊的鍵合技術(shù)來滿足設(shè)計(jì)要求。

另外,隨著物聯(lián)網(wǎng)人工智能的興起,對(duì)高性能和低功耗的需求也在增加。這要求鍵合技術(shù)不僅要有高的信號(hào)傳輸速度,而且要有低的功耗。

為了滿足這些挑戰(zhàn),各種鍵合技術(shù)都在持續(xù)進(jìn)行研究和發(fā)展,如引入新材料、改進(jìn)設(shè)備和工藝等,以提高性能和降低成本。

六、總結(jié)一下

芯片鍵合工藝是半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。它確保了各種設(shè)備的高效、可靠和持久運(yùn)行。雖然Wedge、Ball和Bump鍵合各有優(yōu)勢(shì),但選擇哪種方法取決于具體的應(yīng)用、設(shè)計(jì)和環(huán)境要求。隨著科技的不斷進(jìn)步,我們可以預(yù)期,這些鍵合技術(shù)將更加先進(jìn),更加精細(xì),以滿足未來更高的技術(shù)和性能要求。

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審核編輯 黃宇

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