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半導(dǎo)體引線鍵合（Wire Bonding）是應(yīng)用最廣泛的鍵合技術(shù)，也是半導(dǎo)體封裝工藝中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，主要利用金、鋁、銅、錫等金屬導(dǎo)線建立引線與半導(dǎo)體內(nèi)部芯片之間的聯(lián)系。這種技術(shù)能夠?qū)⒔饘俨己竻^(qū)或微電子封裝I/O引線等與半導(dǎo)體芯片焊區(qū)連接，是確保半導(dǎo)體功能得以正常發(fā)揮的關(guān)鍵步驟。

在引線鍵合過程中，金屬線被焊接到芯片引線或基板上的金屬引腳上。這種技術(shù)特別適用于微小封裝和高密度布局，能夠提供良好的電性能和較低的電阻。焊線的目的是將晶粒上的接點(diǎn)以極細(xì)的金線（18~50μm）連接到引線架上的內(nèi)引腳，從而將集成電路晶粒的電路信號傳輸?shù)酵饨纭?/p>

引線鍵合工藝中所用的導(dǎo)電絲主要有金絲、銅絲和鋁絲。不同的金屬絲在鍵合過程中有各自的特點(diǎn)和適用場景。例如，金絲因其良好的導(dǎo)電性能和穩(wěn)定性而被廣泛使用，但成本較高；銅絲則具有較低的生產(chǎn)成本和良好的導(dǎo)電性能，因此在半導(dǎo)體封裝以及集成電路、LED等眾多領(lǐng)域得到推廣應(yīng)用；鋁絲則常用于超聲鍵合工藝中。

引線鍵合的主要方式包括熱壓鍵合、超聲鍵合和熱聲鍵合。熱壓鍵合利用加壓和加熱的方法，使得金屬絲與焊區(qū)接觸面的原子間達(dá)到原子間的引力范圍，從而實(shí)現(xiàn)鍵合；超聲鍵合則是利用超聲波發(fā)生器使劈刀發(fā)生水平彈性振動，同時(shí)施加向下的壓力，使得劈刀帶動引線在焊區(qū)金屬表面迅速摩擦，完成焊接；熱聲鍵合則是結(jié)合了熱壓和超聲兩種方法的特點(diǎn)。

寫在最后面的話

引線鍵合雖然是一種傳統(tǒng)的技術(shù)，但是它并沒有被淘汰?，F(xiàn)在還有很多半導(dǎo)體封裝都使用引線鍵合來組裝芯片。新的技術(shù)出現(xiàn)了，比如熱壓鍵合和倒裝芯片封裝技術(shù)。這些技術(shù)不需要用長長的金屬線來連接芯片和基板，而是直接把芯片上的凸起點(diǎn)和基板上的凹槽點(diǎn)對齊并粘合在一起。這樣可以節(jié)省空間、提高效率和性能。這些技術(shù)適合用在一些需要很多很密集的連接點(diǎn)或者高頻或高性能應(yīng)用中。

存儲器應(yīng)用是引線鍵合技術(shù)變革的另一個(gè)重要驅(qū)動力。隨著 NAND 閃存中多層架構(gòu)的引入，引線鍵合技術(shù)的復(fù)雜性和相關(guān)的測試挑戰(zhàn)都在不斷升級。現(xiàn)代存儲芯片，尤其是 3D NAND 配置中的存儲芯片，可以包含數(shù)百層，并逐層堆疊。

引線鍵合技術(shù)有很多優(yōu)點(diǎn)，可以提供靈活的設(shè)計(jì)，適應(yīng)各種形狀和大小的芯片和封裝。提供高效的性能，保證電流和信號的穩(wěn)定傳輸。提供低成本的解決方案，節(jié)省材料和制造成本。提供高可靠性的連接，抵抗機(jī)械和熱應(yīng)力。

引線鍵合面臨著一些挑戰(zhàn)，包括隨著芯片的小型化和復(fù)雜化，引線鍵合需要更高的精度和質(zhì)量控制。芯片層數(shù)的增加，引線鍵合需要更多的時(shí)間和步驟，并且難以進(jìn)行修復(fù)和修改。芯片密度的增加，引線鍵合需要更小的間距和更強(qiáng)的耐久性。應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，引線鍵合技術(shù)也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新。

總之，引線鍵合技術(shù)是一種連接芯片與封裝的主要方式，在半導(dǎo)體行業(yè)中有著重要的地位。隨著技術(shù)需求的不斷變化，引線鍵合技術(shù)也展現(xiàn)出了其適應(yīng)性和相關(guān)性。引線鍵合技術(shù)不僅能夠滿足現(xiàn)代存儲器應(yīng)用的復(fù)雜性和高性能要求，還能夠?yàn)槲磥淼陌雽?dǎo)體發(fā)展提供彈性和創(chuàng)新空間。

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審核編輯 黃宇