解讀 ON Semiconductor 的 NCV68261：理想二極管與高端開關(guān) NMOS 控制器

在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇合適的器件來實現(xiàn)電源整流、極性保護和開關(guān)控制等功能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 ON Semiconductor 的 NCV68261，這是一款集反向極性保護、理想二極管和高端開關(guān)功能于一體的 NMOS 控制器，旨在為電源整流二極管和機械電源開關(guān)提供低損耗、低正向電壓的替代方案。

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一、NCV68261 概述

（一）功能與應(yīng)用場景

NCV68261 可與一個或兩個 N溝道 MOSFET 配合使用，根據(jù)使能引腳狀態(tài)和輸入 - 漏極差分電壓極性來設(shè)置晶體管的開關(guān)狀態(tài)。它具有理想二極管和高端開關(guān)兩種應(yīng)用模式，通過改變漏極引腳的連接方式，可在理想二極管模式（漏極連接負(fù)載）和反向極性保護模式（漏極連接地）之間切換。其典型應(yīng)用場景包括汽車電池調(diào)節(jié)、工業(yè)電源整流、高端開關(guān)以及車輛控制模塊等。

（二）關(guān)鍵特性

1. 寬工作電壓范圍：最高可達 32V，能承受 60V 負(fù)載突降脈沖和 -40V 負(fù)瞬態(tài)，具備過壓保護功能，在輸入電壓達到 35.6V（典型值）時可斷開負(fù)載與電池的連接。
2. 多功能保護：支持使能功能（3.3V 邏輯兼容閾值）、理想二極管功能（防止反向電流從輸出流向輸入）和反向極性保護功能（防止負(fù)電源）。
3. 汽車級應(yīng)用：采用 NCV 前綴，適用于汽車及其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用，符合 AEC - Q100 1 級標(biāo)準(zhǔn)，具備 PPAP 能力。
4. 環(huán)保設(shè)計：無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

二、引腳功能與電氣特性

（一）引腳功能描述

（二）電氣特性

在不同的測試條件下，NCV68261 具有一系列特定的電氣參數(shù)，如欠壓鎖定、過壓鎖定、柵 - 源充電電壓、輸入 - 漏極電壓閾值等。這些參數(shù)在不同的溫度范圍（-40°C 至 +150°C）內(nèi)有相應(yīng)的最小、典型和最大值，為工程師在實際設(shè)計中提供了精確的參考。

三、典型特性分析

文檔中給出了多個典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了 NCV68261 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。例如，柵 - 源充電電壓與輸入電壓的關(guān)系曲線、柵極充電電流與輸入電壓的關(guān)系曲線等。通過分析這些曲線，工程師可以更好地了解器件在不同輸入電壓下的工作狀態(tài)，從而優(yōu)化電路設(shè)計。

此外，還給出了 ISO 7637 - 2:2011(E) 脈沖測試結(jié)果，顯示了器件在不同測試脈沖和測試嚴(yán)重程度下的功能狀態(tài)，幫助工程師評估器件在復(fù)雜電磁環(huán)境中的可靠性。

四、應(yīng)用信息解讀

（一）集成電路與框圖描述

NCV68261 內(nèi)部包含多個功能模塊，如使能模塊、參考模塊、輸入/漏極比較器、UVLO 比較器、OVLO 比較器、邏輯模塊、預(yù)調(diào)節(jié)器、振蕩器和電荷泵等。這些模塊協(xié)同工作，實現(xiàn)對外部 NMOS 晶體管的精確控制。

（二）工作模式分析

1. 理想二極管模式：在該模式下，輸入電壓不能使輸出放電。當(dāng)輸入電壓大于漏極電壓時，正向電流通過 NMOS 晶體管的體二極管流動，當(dāng)正向電壓降超過輸入 - 漏極柵極充電電壓閾值時，電荷泵開啟，NMOS 晶體管完全導(dǎo)通；當(dāng)輸入電壓小于漏極電壓時，反向電流會使 NMOS 晶體管的導(dǎo)電通道產(chǎn)生電壓降，當(dāng)該電壓低于輸入 - 漏極柵極放電電壓閾值時，電荷泵關(guān)閉，NMOS 晶體管關(guān)斷。
2. 反向極性保護模式：通過將漏極引腳連接到地電位，可防止輸入電壓下降使輸出低于地電位，同時允許輸出跟隨在 UVLO 和 OVLO 閾值之間的任何正輸入電壓。
3. 高端開關(guān)模式：使用兩個 NMOS 晶體管的應(yīng)用可提供高端開關(guān)功能，其中一個晶體管作為開關(guān)，另一個作為理想二極管和/或反向極性保護。

（三）電容與晶體管選擇考慮

1. 電容選擇：為確保器件正常工作，建議在 NCV68261 附近放置一個 0.1μF 的陶瓷電容，并使用盡可能短的走線連接。在高端開關(guān)配置中，$C{IN}$ 電容應(yīng)足夠大以覆蓋啟動時流入應(yīng)用的浪涌電流；在理想二極管應(yīng)用中，$C{bulk}$ 電容的電容值應(yīng)足夠高，以在電池電壓下降期間維持足夠的電壓，并提供負(fù)載電流。
2. NMOS 晶體管選擇：一般來說，任何 NMOS 都可以連接到 NCV68261，但晶體管的柵 - 源最大電壓應(yīng)額定在 15V 以上，除非使用外部電壓保護來防止柵 - 源結(jié)構(gòu)擊穿。

（四）EMC 與動態(tài)性能考慮

為提高對直接功率注入的 EMC 抗擾度，建議使用文檔中推薦的應(yīng)用示例和 PCB 布局。此外，$C{G}$ 電容可限制浪涌電流，$R{G{-} Q1}$ 和 $R{S}$ 可減輕啟動時輸出電壓的潛在振蕩。

（五）熱與 PCB 布局考慮

NCV68261 本身沒有熱保護功能，應(yīng)用中最發(fā)熱的元件是外部 NMOS 晶體管。在使用 SMD 晶體管時，應(yīng)考慮 NMOS 的最大功耗、熱阻和 PCB 的散熱面積，以確?？刂破鞯慕Y(jié)溫低于 150°C。為實現(xiàn)最佳性能，應(yīng)將晶體管和輸入/輸出電容盡可能靠近 NCV68261 放置，并使用 PCB 上的電源平面連接承載高負(fù)載電流的走線。

五、總結(jié)

NCV68261 是一款功能強大、性能可靠的 NMOS 控制器，適用于多種電源管理應(yīng)用。其豐富的保護功能、寬工作電壓范圍和良好的電磁兼容性，為電子工程師在設(shè)計汽車和工業(yè)電源系統(tǒng)時提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計需求，合理選擇外部元件，優(yōu)化 PCB 布局，以充分發(fā)揮 NCV68261 的性能優(yōu)勢。

你在使用 NCV68261 或類似器件時遇到過哪些挑戰(zhàn)？你是如何解決這些問題的？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。