威兆半導(dǎo)體推出的VSD950N70HS是一款面向 700V 高壓場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適配高壓電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET（超結(jié)工藝）
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.88Ω，高壓場景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時5A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為3.2A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：20A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 超結(jié)工藝（Super Junction）：兼顧高壓耐壓與較低的導(dǎo)通電阻，提升高壓場景能效；
• 低柵極電荷：極致低柵極電荷特性，降低開關(guān)損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 97mJ，抗沖擊能力強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷，適配高壓小型化電路設(shè)計；
• 典型應(yīng)用：
  • 700V 級高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器開關(guān)管；
  • 工業(yè)設(shè)備的高壓電源管理系統(tǒng)；
  • 光伏、適配器等高壓場景的功率開關(guān)。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際以最新版手冊為準(zhǔn)。）