威兆半導(dǎo)體推出的VS3612GP是一款面向 30V 低壓超大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配低壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值3.8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值5.3mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 硅片約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：70A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為45A；
    • 封裝約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：72A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：280A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足瞬時(shí)超大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量轉(zhuǎn)換效率，兼顧功率密度與能效；
• 極致低導(dǎo)通電阻：3.8~5.3mΩ 的阻性表現(xiàn)，大幅降低低壓超大電流場(chǎng)景的傳導(dǎo)損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 36mJ，抗沖擊能力強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高功率密度電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 30V 級(jí)低壓超大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器主開關(guān)管；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的功率開關(guān)；
  • 工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的超大電流負(fù)載通斷控制。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）