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深入解析AP68255Q/AP68355Q:高性能非同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用與設(shè)計(jì)

工程師 ? 2025-12-17 12:00 ? 次閱讀
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深入解析AP68255Q/AP68355Q:高性能非同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用與設(shè)計(jì)

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。今天我們要探討的是Diodes公司的AP68255Q/AP68355Q,這是一款內(nèi)部補(bǔ)償?shù)姆峭?a target="_blank">DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器,專為汽車應(yīng)用和其他對電源要求較高的場景而設(shè)計(jì)。

文件下載:AP68255Q_AP68355Q.pdf

產(chǎn)品概述

AP68255Q/AP68355Q默認(rèn)頻率為300kHz,內(nèi)部集成了一個(gè)500mΩ的高端功率MOSFET,能夠提供高效的降壓DC - DC轉(zhuǎn)換。它采用恒定導(dǎo)通時(shí)間(COT)控制,減少了外部元件數(shù)量,實(shí)現(xiàn)了快速瞬態(tài)響應(yīng)、易于環(huán)路穩(wěn)定和低輸出電壓紋波。同時(shí),該設(shè)計(jì)針對電磁干擾(EMI)進(jìn)行了優(yōu)化,采用專有柵極驅(qū)動(dòng)方案,在不犧牲MOSFET開關(guān)時(shí)間的情況下抵抗開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴,降低了MOSFET開關(guān)引起的高頻輻射EMI噪聲。產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的綠色SO - 8EP封裝。

關(guān)鍵特性

汽車級應(yīng)用資質(zhì)

AP68255Q/AP68355Q通過了AEC - Q100認(rèn)證,器件溫度等級為1級( - 40°C至 + 125°C),HBM ESD分類為1C級,CDM ESD分類為C5級,還具備符合ISO26262的功能安全文檔,可助力功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這使得它非常適合對可靠性和安全性要求極高的汽車應(yīng)用。

寬輸入輸出范圍

輸入電壓范圍為5.5V至80V,輸出電壓可在1.2V至50V之間調(diào)節(jié),連續(xù)輸出電流方面,AP68255Q為2.5A,AP68355Q為3.5A,能夠滿足多種不同的電源需求。

保護(hù)功能齊全

具備過流保護(hù)(OCP)和熱保護(hù)功能,當(dāng)出現(xiàn)過流情況時(shí),會進(jìn)入頻率折返模式,降低IC上的功耗和熱應(yīng)力;當(dāng)結(jié)溫達(dá)到160°C時(shí),會進(jìn)行熱關(guān)斷,溫度降低后再重新啟動(dòng)。

環(huán)保設(shè)計(jì)

完全無鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且無鹵素和銻,是“綠色”器件。

引腳說明

引腳名稱 引腳編號 功能
GND 1 模擬地,用于控制,單點(diǎn)連接到EPAD和外部肖特基二極管功率接地平面,以實(shí)現(xiàn)正確的電氣/熱操作。
VIN 2 電源輸入,需用5.5V至80V電源驅(qū)動(dòng),并通過一個(gè)合適的大電容旁路到GND以消除輸入噪聲。
EN 3 使能輸入,高電平開啟調(diào)節(jié)器,低電平關(guān)閉,浮空時(shí)自動(dòng)啟動(dòng),有1.25V的精確閾值用于編程欠壓鎖定(UVLO)。
NC 4、6 連接到EPAD。
FB 5 反饋輸入,通過電阻分壓器連接到輸出電壓,反饋調(diào)節(jié)電壓為1.2V。
BST 7 高端柵極驅(qū)動(dòng)升壓輸入,通過一個(gè)0.1pF或更大的電容從SW連接到BST為高端開關(guān)供電。
SW 8 功率開關(guān)輸出,連接輸出LC濾波器到輸出負(fù)載,需一個(gè)電容從SW連接到BST為高端開關(guān)供電。
EPAD 9 芯片散熱路徑,電氣連接到GND引腳,必須連接到PCB上的接地平面以實(shí)現(xiàn)正常操作和優(yōu)化熱性能。

應(yīng)用信息

PWM操作

采用恒定導(dǎo)通時(shí)間控制,每個(gè)周期開始時(shí),單觸發(fā)脈沖開啟高端功率MOSFET Q1一段固定的導(dǎo)通時(shí)間tON,導(dǎo)通時(shí)間與輸入電壓成反比,與輸出電壓成正比,計(jì)算公式為$t{ON}=frac{VOUT}{VIN cdot f{SW}}$。當(dāng)Q1關(guān)閉后,續(xù)流功率二極管D1導(dǎo)通,當(dāng)輸出電壓下降到調(diào)節(jié)值以下時(shí),單觸發(fā)定時(shí)器復(fù)位,Q1再次開啟。

功率二極管選擇

需要一個(gè)外部續(xù)流二極管連接在SW和GND之間,二極管的反向電壓額定值應(yīng)等于或大于VIN最大值,最好高25%,峰值電流額定值應(yīng)大于最大峰值電感電流,肖特基二極管是不錯(cuò)的選擇,但要注意其反向泄漏電流。

使能和禁用

禁用時(shí),關(guān)斷電源電流僅為5.6μA。當(dāng)施加的電壓大于EN邏輯高閾值(典型值1.22V)時(shí),器件啟用所有功能并啟動(dòng)軟啟動(dòng)階段;當(dāng)EN電壓低于邏輯低閾值(典型值1.24V)時(shí),內(nèi)部SS電壓放電到地,器件停止工作。EN引腳還可用于編程欠壓鎖定閾值。

電流限制保護(hù)

具備逐周期電流限制功能,當(dāng)峰值電感電流超過電流限制閾值時(shí),會進(jìn)入頻率折返模式,過流情況解決后會重新啟動(dòng)軟啟動(dòng)。

熱關(guān)斷

結(jié)溫達(dá)到160°C時(shí),會關(guān)閉高端和低端功率MOSFET,溫度降低到137°C(典型值)時(shí),重新啟動(dòng)正常上電周期并進(jìn)行軟啟動(dòng)。

功率降額特性

為防止調(diào)節(jié)器超過最大推薦工作結(jié)溫,需要進(jìn)行熱分析,可通過$T{RISE}=PD cdot (theta{JA})$計(jì)算溫度上升,通過$T{J}=T{A}+T{RISE}$計(jì)算結(jié)溫。對于SO - 8EP封裝,$theta{JA}$為39°C/W。

輸出電壓設(shè)置

可通過外部電阻分壓器將輸出電壓從1.2V開始調(diào)節(jié),還可使用一個(gè)10pF至470pF的電容C4來提高相位裕度和穩(wěn)定性以及瞬態(tài)性能。

元件選擇

輸入電容

用于減少從輸入電源汲取的浪涌電流和器件的開關(guān)噪聲,應(yīng)選擇RMS額定值大于最大負(fù)載電流一半的電容,通常10μF陶瓷電容和0.1μF并聯(lián)電容可滿足大多數(shù)應(yīng)用需求。

電感

電感值計(jì)算是降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵,可使用$L=frac{V{OUT} cdot (V{IN}-V{OUT})}{V{IN} cdot Delta l{L} cdot f{SW}}$計(jì)算,建議選擇電感紋波電流為最大負(fù)載電流的30%至40%,飽和電流額定值至少比最大負(fù)載電流高25%,DC電阻盡可能低的電感。

輸出電容

用于保持輸出電壓紋波小,確保反饋環(huán)路穩(wěn)定和減少輸出電壓過沖,應(yīng)選擇電容值充足且ESR低的電容,22μF陶瓷電容通??蓾M足大多數(shù)應(yīng)用。

二極管

需要一個(gè)外部二極管連接在SW和GND之間,反向電壓額定值應(yīng)等于或大于VIN,電流額定值應(yīng)高于電感的峰值電流,PDS5100Q、SDT5A100P5和SDT8A120P5肖特基二極管是不錯(cuò)的選擇。

自舉

內(nèi)部HS FET驅(qū)動(dòng)器配備BST欠壓檢測(UV)電路,當(dāng)BST和SW之間的電壓差低于2V時(shí),會使一個(gè)小的10Ω LS FET導(dǎo)通400ns以對自舉電容充電。

布局建議

由于AP68255Q/AP68355Q是高開關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器,布局時(shí)要注意開關(guān)電流干擾,應(yīng)使用寬而短的印刷電路走線以最小化互連阻抗。建議頂層和底層使用2oz銅,輸入電容應(yīng)盡可能靠近VIN和GND,電感靠近SW,輸出電容靠近GND,反饋組件靠近FB。如果使用四層或更多層PCB,至少將第2層和第3層用作GND以最大化熱性能,并在GND引腳和VIN引腳周圍添加盡可能多的過孔以進(jìn)行散熱。

訂購與封裝信息

訂購信息

可訂購部件編號 輸出電流 封裝代碼 封裝 識別代碼 包裝數(shù)量 載體
AP68255QSP - 13 2.5A SP SO - 8EP 68255Q 4000 13" 卷帶
AP68355QSP - 13 3.5A SP SO - 8EP 68355Q 4000 13" 卷帶

封裝尺寸

SO - 8EP封裝有詳細(xì)的尺寸規(guī)格,如高度A為1.40 - 1.50mm(典型值1.45mm),寬度D為4.85 - 4.95mm(典型值4.90mm)等,具體可參考http://www.diodes.com/package - outlines.html。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,你是否遇到過類似電源管理芯片在布局和元件選擇上的難題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。AP68255Q/AP68355Q以其豐富的特性和良好的性能,為電子工程師在電源設(shè)計(jì)方面提供了一個(gè)可靠的選擇,但在具體應(yīng)用中仍需根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)和優(yōu)化。

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