給PC電腦“降降溫”

長晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET

長晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺，與Gen1.0相比，F(xiàn)om值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平16.6%，系統(tǒng)損耗和溫升得到大幅改善?？傮w來看，長晶科技SGT Gen2.0系列產品的性能已經達到國際一線廠商水平。

01產品介紹

基于長晶科技SGT Gen2.0的工藝，針對PC電腦30V MOSFET的應用，長晶科技布局開發(fā)了一系列產品。其中CJAC6R8SN03AL和CJAC2R8SN03AL上下管搭配有明顯優(yōu)勢。

（應用在紅色框部分）

●CJAC6R8SN03AL：采用SGT工藝，PDFNWB5×6封裝。在10V/20A條件下，Rds(on)僅有5.4mΩ，較小的Ciss以及Qrr，可以極大降低開關損耗，適用于高效率快速開關應用場景。

●CJAC2R8SN03AL：采用SGT工藝，PDFNWB5×6封裝。在10V/20A條件下，Rds(on)僅有2.2mΩ，較小的導通內阻，可以極大降低導通損耗，降低器件的溫升。

02參數對比

整體來看，長晶科技的技術對標國際一流，且產品在關鍵性能上找到了最佳平衡點。在保持超低導通電阻（RDS(on)）的同時，顯著降低了柵極電荷（Qg），兼具了低損耗與高速度。

03系統(tǒng)表現(xiàn)

將長晶產品和競品分別放在BUCK 系統(tǒng)評估板，進行系統(tǒng)評估，結果如下表列示。

（測試條件Vin=19V，Vout=1V，Iout=15A，F(xiàn)sw=650KHz，Vdri=5V，Ta=25℃）

在實際應用測試中，系統(tǒng)整體效率達到85.17%。相較于同類型競品，能效提升幅度分別為0.59%、1.13%、1.63%，成功達成行業(yè)領先的能效水平。通過優(yōu)化產品的熱管理設計和參數，在滿載運行的條件下，核心器件的溫升明顯降低。其中，上管溫升較競品分別降低1.0℃、3.1℃、4.6℃，下管溫升較競品分別降低1.9℃、4.9℃、6.9℃，顯著增強了系統(tǒng)長期運行的可靠性，并有效延長了產品生命周期。

相較于參照競品，長晶科技SGT Gen2.0系列產品系統(tǒng)表現(xiàn)優(yōu)于競品，系統(tǒng)效率最高，溫升最低。