chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基于SiC碳化硅MOSFET的120kW充電樁電源模塊設(shè)計與技術(shù)實現(xiàn)研究報告

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-12-18 22:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

基于BASiC B3M011C120Y碳化硅MOSFET的120kW充電樁電源模塊設(shè)計與技術(shù)實現(xiàn)研究報告

傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

隨著全球電動汽車(EV)市場的爆發(fā)式增長,基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)已成為制約交通電氣化的關(guān)鍵因素之一。為了縮短充電時間,直流快充(DCFC)技術(shù)正朝著更高電壓(800V及以上)和更大功率(單模塊80kW-120kW,整樁480kW-960kW)的方向演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅基功率器件在面對高電壓、大電流和高開關(guān)頻率的需求時,其物理特性已接近極限,導(dǎo)致系統(tǒng)效率降低、體積龐大且散熱困難。

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,憑借其寬禁帶、高臨界擊穿電場和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,正在徹底改變電力電子系統(tǒng)的設(shè)計范式。傾佳電子詳細(xì)探討了使用基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)生產(chǎn)的B3M011C120Y型1200V/11mΩ SiC MOSFET設(shè)計120kW充電樁電源模塊的技術(shù)路徑。該模塊采用三相六開關(guān)PFC作為前級整流,后級DC-DC采用全橋LLC諧振變換器,并實施兩路并聯(lián)架構(gòu),以實現(xiàn)卓越的功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

1. 核心功率器件分析:BASiC B3M011C120Y

在120kW充電模塊的設(shè)計中,功率器件的選擇直接決定了系統(tǒng)的性能上限。B3M011C120Y是一款專為高功率應(yīng)用優(yōu)化的SiC MOSFET,其采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4封裝,集成了開爾文源極(Kelvin Source)引腳。

1.1 關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)與物理特性

B3M011C120Y在TC?=25°C時具有223A的持續(xù)漏極電流能力,在TC?=100°C時仍能維持158A的電流,這為120kW的高功率輸出提供了堅實的電流余量。

參數(shù)名稱 符號 典型值/范圍 單位 環(huán)境條件
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS? 1200 V VGS?=0V,ID?=100μA
導(dǎo)通電阻 RDS(on).typ? 11 VGS?=18V,ID?=80A,25°C
導(dǎo)通電阻 (高溫) RDS(on).typ? 20 VGS?=18V,ID?=80A,175°C
柵極閾值電壓 VGS(th)? 2.7 V VDS?=VGS?,ID?=26mA
輸入電容 Ciss? 6000 pF VDS?=800V,f=100kHz
輸出電容 Coss? 250 pF VDS?=800V,f=100kHz
反向傳輸電容 Crss? 14 pF VDS?=800V,f=100kHz

wKgZPGlEAj6AAaLHAAS-nZMAWo0116.png

該器件的低導(dǎo)通電阻(11mΩ)顯著降低了導(dǎo)通損耗。由于SiC MOSFET沒有硅基IGBT的拖尾電流(Tail Current),其開關(guān)損耗可降低達(dá)80%以上,這使得系統(tǒng)能夠在100kHz甚至更高的頻率下工作,而不必?fù)?dān)心過度的熱產(chǎn)生。

1.2 開爾文源極引腳的意義

B3M011C120Y采用的TO-247PLUS-4封裝引入了第3引腳——開爾文源極。在傳統(tǒng)的三引腳封裝中,柵極驅(qū)動回路與功率源極共享回路。由于功率回路中的高di/dt會在源極寄生電感上產(chǎn)生感應(yīng)電壓,這一電壓會反向抵消柵極驅(qū)動信號,從而減慢開關(guān)速度并引發(fā)震蕩。

通過開爾文源極引腳,柵極驅(qū)動回路能夠避開主功率回路的感應(yīng)電壓,從而實現(xiàn)更純凈的驅(qū)動波形、更快的開關(guān)動作以及更低的開關(guān)損耗。在120kW的設(shè)計中,開關(guān)頻率的提升能夠減小磁性元件的體積,這是實現(xiàn)高功率密度的關(guān)鍵前提。

2. 前級三相六開關(guān)PFC電路設(shè)計

120kW模塊的前級采用三相六開關(guān)PFC(三相全橋整流)拓?fù)?。該拓?fù)渚哂须p向功率流動能力,支持電動汽車與電網(wǎng)(V2G)的互動,且電路結(jié)構(gòu)相對簡單,成熟度高。

wKgZO2lECa-AaA0GAASPVp43rEU356.png

2.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與工作原理

wKgZO2lECpuAbth_AAh0udyl_1g641.png

三相六開關(guān)PFC由六個B3M011C120Y SiC MOSFET組成,配合三相升壓電感。通過空間矢量脈寬調(diào)制(SVPWM)控制,可以實現(xiàn)輸入電流的正弦化,并保持DC總線電壓穩(wěn)定在800V左右。

與傳統(tǒng)的硅基二極管整流相比,使用SiC MOSFET的六開關(guān)PFC具有以下優(yōu)勢:

高效率:SiC MOSFET極低的反向恢復(fù)電流(Irr?)大幅降低了開通損耗。

低THD:通過高頻調(diào)制,可以將總諧波失真控制在5%以下,滿足嚴(yán)苛的電網(wǎng)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

雙向運(yùn)行:支持放電模式,將車輛電池能量反饋回電網(wǎng)或為其他設(shè)備供電。

2.2 關(guān)鍵參數(shù)計算

對于120kW的輸出功率,假設(shè)系統(tǒng)總效率為97%,功率因數(shù)為0.99,輸入三相電壓為額定400VAC(線電壓)。

輸入總功率:

Pin?=ηPout??=0.97120,000?≈123.71kW

線電流有效值(RMS):

IL.rms?=3

chaijie_default.png

?VL.rms??PFPin??=3

chaijie_default.png

??400?0.99123,710?≈180.4A

單個MOSFET需承受的峰值電流:

Ipk?=IL.rms??2

chaijie_default.png

?≈255.1A

鑒于B3M011C120Y在100°C時的持續(xù)電流能力為158A,單管無法直接承載120kW的全部電流需求。因此,120kW充電堆通常由兩個60kW的電源模塊并聯(lián)組成。在每個單體模塊內(nèi)部,通過使用多顆SiC MOSFET并聯(lián)或分流,可以有效分擔(dān)電流應(yīng)力。

2.3 升壓電感設(shè)計

wKgZO2lECkKAVh-hAAma5xxKn8A443.png

PFC電感的大小取決于允許的電流紋波和開關(guān)頻率。采用SiC器件后,開關(guān)頻率可提升至50kHz-100kHz,從而顯著減小電感感量和體積。

電感量計算公式近似為:

L=6?fs??ΔImax?Vbus??

其中Vbus?為800V,ΔImax?通常取峰值電流的20%。高頻化設(shè)計使得電感可以采用高性能的鐵硅鋁或納米晶磁芯,進(jìn)一步降低磁損并提高熱穩(wěn)定性。

3. 后級全橋LLC諧振變換器設(shè)計

后級DC-DC變換器是實現(xiàn)電隔離和輸出電壓精準(zhǔn)調(diào)節(jié)的核心。全橋LLC諧振變換器因其在全負(fù)載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊開關(guān)管ZVS(零電壓開關(guān))和副邊二極管ZCS(零電流開關(guān))的能力而成為首選。

3.1 兩路并聯(lián)架構(gòu)的必要性

為了輸出120kW的總功率,本方案采用兩路60kW全橋LLC電路并聯(lián)輸出。這種架構(gòu)相比于單路大功率設(shè)計有顯著優(yōu)勢:

熱應(yīng)力分散:將熱源均勻分布在PCB上,避免局部過熱。

磁件小型化:兩個小變壓器比一個巨大變壓器更容易繞制且漏感更容易控制。

靈活性:在輕載時可以關(guān)閉其中一路以提高輕載效率。

3.2 諧振槽路參數(shù)設(shè)計

諧振槽路由諧振電感Lr?、諧振電容Cr?和變壓器勵磁電感Lm?組成。對于800V輸入、200V-1000V寬范圍輸出的要求,諧振參數(shù)的設(shè)計至關(guān)重要。

諧振頻率fr?定義為:

fr?=2πLr?Cr?

chaijie_default.png

1

系統(tǒng)通常設(shè)計在fr?附近運(yùn)行以獲得最高效率。B3M011C120Y的極低輸出電容Coss?(250pF)意味著完成ZVS所需的電荷量極小,這允許增大勵磁電感Lm?,從而減小環(huán)流損耗。

3.3 變壓器設(shè)計:串并聯(lián)結(jié)構(gòu)的自動均流

在兩路并聯(lián)的LLC設(shè)計中,均流是一個巨大挑戰(zhàn)。傾佳電子推薦采用一種“原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián)”的變壓器結(jié)構(gòu)。

原邊串聯(lián):兩個變壓器的原邊繞組串聯(lián)在同一個諧振回路中,確保通過兩者的電流完全一致,從而強(qiáng)制功率平衡。

副邊并聯(lián):副邊通過各自的整流橋后并聯(lián)輸出,分?jǐn)偞箅娏鲬?yīng)力。

這種結(jié)構(gòu)極大地簡化了控制邏輯,不再需要復(fù)雜的數(shù)字均流算法,且對變壓器參數(shù)的一致性要求相對較低。

4. 兩路并聯(lián)的同步與控制策略

120kW模塊的高性能運(yùn)行離不開高性能的數(shù)字控制中心(通常為DSPFPGA)。

4.1 控制邏輯與均流

對于并聯(lián)運(yùn)行的LLC,如果未采用原邊串聯(lián)硬件方案,則需在控制層面引入“虛擬阻抗”算法。 通過采集每路LLC的輸出電流,DSP實時微調(diào)每路開關(guān)頻率fs?或移相角度。實驗表明,基于DSP的數(shù)字控制可以將滿載時的電流不平衡度降低到5%以內(nèi)。

4.2 寬輸出電壓范圍的應(yīng)對

EV充電器的輸出電壓范圍極寬(200V-1000V)。當(dāng)電池電壓較低時,LLC變換器往往需要運(yùn)行在遠(yuǎn)離諧振點(diǎn)的區(qū)域,導(dǎo)致效率下降。本方案建議結(jié)合頻率調(diào)制(PFM)和脈寬調(diào)制(PWM)的混合控制模式,或者在副邊整流側(cè)采用可重構(gòu)拓?fù)洌ù⒙?lián)切換二極管橋),以確保在全電壓范圍內(nèi)維持高效率。

輸出模式 電壓范圍 LLC控制狀態(tài) 效率預(yù)期
低壓模式 200V - 400V 調(diào)頻+移相 (或副邊并聯(lián)) > 96%
標(biāo)準(zhǔn)模式 400V - 800V 諧振點(diǎn)附近調(diào)頻 > 98.5%
高壓模式 800V - 1000V 低于諧振頻率運(yùn)行 > 97.5%

5. 驅(qū)動電路與系統(tǒng)保護(hù)設(shè)計

SiC MOSFET對驅(qū)動電路的要求遠(yuǎn)嚴(yán)于硅MOSFET。B3M011C120Y推薦的驅(qū)動電壓為 +18V / -5V。

5.1 隔離驅(qū)動器的選擇

推薦使用如TI的UCC21710或Infineon的1ED3122等隔離驅(qū)動芯片。這些芯片具備以下關(guān)鍵功能:

強(qiáng)驅(qū)動能力:提供±10A的峰值電流,快速充放電B3M011C120Y的柵極電容。

主動米勒鉗位(Active Miller Clamp) :在關(guān)斷期間通過低阻抗通路鉗位柵極電壓,防止高dv/dt產(chǎn)生的位移電流引起誤導(dǎo)通。

退飽和保護(hù)(DESAT) :監(jiān)測漏源極電壓,一旦發(fā)生短路,在微秒級時間內(nèi)關(guān)閉管子并反饋故障信號。

5.2 柵極回路布局優(yōu)化

由于B3M011C120Y的開關(guān)速度極快,柵極回路中的任何寄生電感都會導(dǎo)致劇烈的振鈴。布局時應(yīng)遵循:

驅(qū)動器盡量靠近MOSFET引腳。

使用開爾文源極引腳連接驅(qū)動地。

柵極電阻(RG.on?,RG.off?)應(yīng)分立設(shè)計,以分別優(yōu)化開通和關(guān)斷速度。

6. 120kW系統(tǒng)的熱管理:液冷與強(qiáng)制風(fēng)冷

120kW模塊在滿載時產(chǎn)生的廢熱約為3kW-5kW(按97%效率計算)。如何高效散熱直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性和功率密度。

6.1 液冷設(shè)計的優(yōu)勢

在120kW及以上功率等級,液冷系統(tǒng)已成為主流選擇。 通過鋁制冷板(Cold Plate)內(nèi)部流動的冷卻液(通常為50/50的水乙二醇混合液),可以將功率器件的熱量迅速帶走。仿真顯示,采用液冷冷板后,SiC MOSFET的結(jié)溫可從風(fēng)冷的110°C降低到70°C左右,熱管理效率提升約36%。

6.2 風(fēng)冷設(shè)計的挑戰(zhàn)

若采用強(qiáng)制風(fēng)冷,則需要巨大的鋁散熱器和高風(fēng)壓風(fēng)機(jī)。

優(yōu)點(diǎn):系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單,維護(hù)成本低。

缺點(diǎn):噪音大(可達(dá)75dB以上),容易吸入灰塵和濕氣,降低模塊壽命。

優(yōu)化:采用獨(dú)立風(fēng)道設(shè)計,將功率件散熱器與敏感控制電路物理隔離。

散熱指標(biāo) 強(qiáng)制風(fēng)冷方案 集成液冷方案
熱傳遞系數(shù) (α) 約 450W/m2K 約 20,000W/m2K
120kW 典型結(jié)溫 (TJ?) 120°C?140°C 60°C?80°C
系統(tǒng)體積 較大 (需風(fēng)道空間) 緊湊 (冷板薄)
防護(hù)等級 通常 IP54 可達(dá) IP65/IP67

7. 電磁兼容性(EMC)與PCB布局

SiC MOSFET的高dv/dt(可達(dá)50V/ns以上)和di/dt會產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾。

7.1 PCB布局核心原則

為了抑制EMI,PCB設(shè)計必須關(guān)注“最小環(huán)路面積”。

功率環(huán)路:DC總線電容應(yīng)盡可能靠近MOSFET的D引腳和S引腳,使用多層板覆銅重疊以抵消寄生電感。

驅(qū)動環(huán)路:驅(qū)動信號線與返回地線應(yīng)成對布線,或者在驅(qū)動線正下方布置地平面。

電容去耦:在SiC MOSFET引腳處并聯(lián)高頻陶瓷電容(MLCC),吸收開關(guān)瞬態(tài)的高頻尖峰。

7.2 濾波器設(shè)計

120kW系統(tǒng)必須配備兩級EMI濾波器。

差模(DM)噪聲:主要由高頻開關(guān)電流引起,通過大容量電感和X電容濾除。

共模(CM)噪聲:由高dv/dt通過器件對地寄生電容耦合產(chǎn)生,通過共模電感和Y電容濾除。 在液冷模塊中,冷板通常接地,這會增加器件對地的共模電容,因此液冷系統(tǒng)需要更強(qiáng)的共模抑制能力。

8. 結(jié)論

深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者:
傾佳電子成立于2018年,總部位于深圳福田區(qū),定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商,業(yè)務(wù)聚焦三大方向:
新能源:覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施;
交通電動化:服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)(電控、電池、電機(jī))及高壓平臺升級;
數(shù)字化轉(zhuǎn)型:支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命,響應(yīng)國家“雙碳”政策(碳達(dá)峰、碳中和),致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。

wKgZO2kNRDWAKQieAAYnoo8wfus549.pngwKgZO2kNOcaAM2aAAAb4RMnV7os303.png

利用BASiC B3M011C120Y碳化硅MOSFET設(shè)計120kW充電樁電源模塊,是實現(xiàn)高性能快充設(shè)施的必然選擇。通過前級三相六開關(guān)PFC和后級兩路并聯(lián)全橋LLC拓?fù)涞慕M合,結(jié)合“原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián)”的變壓器平衡策略,可以充分發(fā)揮SiC器件高頻、高效、高耐溫的特性。

在工程實現(xiàn)中,必須高度重視開爾文源極的驅(qū)動布局、高dv/dt環(huán)境下的EMC設(shè)計以及集成液冷熱管理系統(tǒng)的開發(fā)。B3M011C120Y的11mΩ極低導(dǎo)通電阻和1200V耐壓,為重卡大功率充電的普及鋪平了道路。通過本文所述的系統(tǒng)化設(shè)計,可以構(gòu)建出峰值效率超過98.5%、運(yùn)行穩(wěn)定可靠的高功率密度充電模塊,有力支撐電動汽車行業(yè)的快速轉(zhuǎn)型。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9484

    瀏覽量

    230163
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3550

    瀏覽量

    68409
  • 充電樁
    +關(guān)注

    關(guān)注

    155

    文章

    2955

    瀏覽量

    88957
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3350

    瀏覽量

    51813
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    雙脈沖測試技術(shù)解析報告:國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗證與性能評估

    雙脈沖測試技術(shù)解析報告:國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗證與性能評估 傾佳電
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:48 ?292次閱讀
    雙脈沖測試<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析<b class='flag-5'>報告</b>:國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)功率<b class='flag-5'>模塊</b>替代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的驗證與性能評估

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告

    基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電電源模塊深度報告 傾佳電子(Changer Te
    的頭像 發(fā)表于 12-14 07:32 ?1268次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的c<b class='flag-5'>研究報告</b>

    傾佳電子光伏與儲能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報告

    傾佳電子光伏與儲能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 12-01 09:49 ?1875次閱讀
    傾佳電子光伏與儲能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>轉(zhuǎn)型的深度<b class='flag-5'>研究報告</b>

    傾佳電子SVG技術(shù)發(fā)展趨勢與SiC模塊應(yīng)用價值深度研究報告

    傾佳電子SVG技術(shù)發(fā)展趨勢與基本半導(dǎo)體SiC模塊應(yīng)用價值深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 11-30 09:58 ?842次閱讀
    傾佳電子SVG<b class='flag-5'>技術(shù)</b>發(fā)展趨勢與<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>應(yīng)用價值深度<b class='flag-5'>研究報告</b>

    基本半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) MOSFET 外特性深度研究報告:飽和區(qū)、線性區(qū)及動態(tài)行為的物理與工程分析

    基本半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) MOSFET 外特性深度研究報告:飽和區(qū)、線性區(qū)及動態(tài)行為的物理與工程分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的
    的頭像 發(fā)表于 11-24 04:40 ?787次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b> 外特性深度<b class='flag-5'>研究報告</b>:飽和區(qū)、線性區(qū)及動態(tài)行為的物理與工程分析

    傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報告

    傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 11-23 11:04 ?1831次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>驅(qū)動特性與保護(hù)機(jī)制深度<b class='flag-5'>研究報告</b>

    傾佳電子主流廠商碳化硅 (SiC) MOSFET 驅(qū)動 IC 產(chǎn)品及其技術(shù)特征深度研究報告

    傾佳電子主流廠商碳化硅 (SiC) MOSFET 驅(qū)動 IC 產(chǎn)品及其技術(shù)特征深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于
    的頭像 發(fā)表于 11-23 10:53 ?1250次閱讀
    傾佳電子主流廠商<b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b> 驅(qū)動 IC 產(chǎn)品及其<b class='flag-5'>技術(shù)</b>特征深度<b class='flag-5'>研究報告</b>

    傾佳電子全碳化硅 (SiC) MOSFET 設(shè)計戶儲逆變器如何助力安全性提升的深度研究報告

    傾佳電子全碳化硅 (SiC) MOSFET 設(shè)計戶儲逆變器如何助力安全性提升的深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服
    的頭像 發(fā)表于 11-23 10:17 ?2522次閱讀
    傾佳電子全<b class='flag-5'>碳化硅</b> (<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b> 設(shè)計戶儲逆變器如何助力安全性提升的深度<b class='flag-5'>研究報告</b>

    傾佳電子先進(jìn)拓?fù)渑cSiC碳化硅技術(shù)的融合:現(xiàn)代電動汽車充電電源模塊綜合解析

    傾佳電子先進(jìn)拓?fù)渑cSiC碳化硅技術(shù)的融合:現(xiàn)代電動汽車充電電源模塊綜合解析 傾佳電子(Chan
    的頭像 發(fā)表于 10-19 20:03 ?700次閱讀
    傾佳電子先進(jìn)拓?fù)渑c<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>的融合:現(xiàn)代電動汽車<b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>樁</b><b class='flag-5'>電源模塊</b>綜合解析

    基本碳化硅B3M040120Z在40KW充電電源模塊中的應(yīng)用優(yōu)勢分析

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:50 ?499次閱讀
    基本<b class='flag-5'>碳化硅</b>B3M040120Z在40<b class='flag-5'>KW</b><b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>樁</b><b class='flag-5'>電源模塊</b>中的應(yīng)用優(yōu)勢分析

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?1054次閱讀
    高頻電鍍<b class='flag-5'>電源</b>國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗對比

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    為何基本碳化硅MOSFET充電電源單級拓?fù)鋵崪y效率高于進(jìn)口器件

    基本碳化硅MOSFET充電電源單級拓?fù)鋵崪y效率高于進(jìn)口器件
    的頭像 發(fā)表于 01-13 09:58 ?1419次閱讀
    為何基本<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在<b class='flag-5'>充電</b><b class='flag-5'>樁</b><b class='flag-5'>電源</b>單級拓?fù)鋵崪y效率高于進(jìn)口器件

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET
    發(fā)表于 01-04 12:37