威兆半導體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向 85V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：85V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 8.5mΩ，中壓場景下傳導損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)，柵極限制）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 78A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 49A，承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：312A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：兼顧低導通電阻與快速開關(guān)特性，搭配優(yōu)化的柵極設(shè)計，大幅降低開關(guān)損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試、100% 柵極電阻測試，單脈沖雪崩能量達 530mJ，抗沖擊能力極強；
• 高功率密度：PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設(shè)計，散熱性能優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷；
• 典型應(yīng)用：
  • 85V 級中壓大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 儲能系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備的中壓超大電流負載開關(guān)；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關(guān)。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）