在電網(wǎng)波動、雷擊干擾、負(fù)載突變或誤接高壓電源，輕則導(dǎo)致芯片損壞，重則引發(fā)設(shè)備燒毀。OVP（Over-Voltage Protection）過壓保護(hù)芯片作為電源前端的核心防護(hù)器件，憑借實時監(jiān)測、快速響應(yīng)的特性，構(gòu)建起第一道安全防線，廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制、車載電子等多領(lǐng)域。本文將從原理、參數(shù)、產(chǎn)品、應(yīng)用及選型維度，全面拆解OVP過壓保護(hù)芯片的技術(shù)價值與實踐邏輯。

一、核心工作原理：從監(jiān)測到防護(hù)的閉環(huán)機制

OVP過壓保護(hù)芯片的核心功能的是精準(zhǔn)識別過壓狀態(tài)并快速執(zhí)行保護(hù)動作，其工作機制圍繞“采樣-比較-響應(yīng)”形成閉環(huán)，核心結(jié)構(gòu)包括電壓采樣模塊、基準(zhǔn)電壓源、比較器、控制邏輯及執(zhí)行單元（通常為MOSFET驅(qū)動電路），具體流程如下：

1. 電壓采樣與閾值對比 ：芯片通過內(nèi)部分壓電阻（固定閾值型號）或外接電阻（可調(diào)閾值型號）對輸入電壓（VIN）進(jìn)行實時采樣，將采樣電壓與內(nèi)部高精度基準(zhǔn)電壓（VREF）進(jìn)行對比。當(dāng)采樣電壓超過基準(zhǔn)電壓時，判定為過壓狀態(tài)。
2. 保護(hù)動作執(zhí)行 ：比較器輸出過壓信號后，芯片在μs級時間內(nèi)驅(qū)動執(zhí)行單元動作，主要分為兩種模式：一是截止模式（主流方案），驅(qū)動內(nèi)部或外部MOSFET關(guān)斷，切斷輸入與負(fù)載的通路，隔離高壓；
3. 復(fù)位與故障反饋 ：過壓故障解除后，芯片可通過自動復(fù)位。現(xiàn)代OVP芯片常與TVS管構(gòu)成多級防護(hù)體系，進(jìn)一步提升系統(tǒng)可靠性。

二、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)：決定防護(hù)性能的核心指標(biāo)

OVP芯片的選型與應(yīng)用需聚焦核心參數(shù)解析如下：

1. 過壓閾值（VOVP）

閾值是觸發(fā)保護(hù)的“警戒線”，需略高于實際工作電壓（如5V系統(tǒng)選6.1V或者5.5V以上閾值），避免正常波動誤觸發(fā)。固定閾值芯片（如PW2609A（3A）PW2606(2A),PW2605(1A)的6.1V閾值）集成內(nèi)部電阻，無需外圍元件；可調(diào)閾值芯片（如平芯微PW1600和PW2609A）通過外接電阻實現(xiàn)4V~20V閾值調(diào)節(jié)，適配多場景需求。PW2609A可以設(shè)置固定6.1V和可調(diào)引腳

2. 響應(yīng)時間（tOV）

指從檢測到過壓到執(zhí)行保護(hù)動作的時間，直接決定能否抵御瞬態(tài)高壓尖峰。消費電子中USB拔插尖峰需ns級響應(yīng)（如平芯微的OVP過壓保護(hù)芯片，響應(yīng)時間一般都在50nS-100ns），響應(yīng)速度過慢會導(dǎo)致后端敏感器件受損。

3. 導(dǎo)通阻抗（RON）與功耗

導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗直接影響電源效率，低導(dǎo)通阻抗（如如PW2609A（35mΩ）PW2606(100mΩ),PW2605(350mΩ)）可減少功耗與發(fā)熱，越小內(nèi)阻尤其適用于大電流場景。

4. 工作電壓范圍與耐壓能力

輸入電壓范圍需覆蓋應(yīng)用場景的供電波動，一般USB設(shè)備常需30V耐壓適配，（PW1600（70V）PW2609A和PW2606和PW2605是40V），USB場景需耐受28V瞬態(tài)高壓。芯片耐壓能力需高于可能出現(xiàn)的最大沖擊電壓，避免自身被擊穿。

5. 封裝與環(huán)境適應(yīng)性

消費電子偏好小型化封裝（SOT-23），工業(yè)設(shè)備可選用QFN封裝提升散熱性能。工作溫度范圍需匹配應(yīng)用環(huán)境

三、典型應(yīng)用場景：覆蓋多領(lǐng)域的防護(hù)需求

消費電子領(lǐng)域

在手機、筆記本、智能穿戴設(shè)備中，OVP芯片用于USB Type-C接口、電池充電回路防護(hù)。例如USB Type-C接口可能誤接20V高壓適配器，PW2609A可在100ns內(nèi)切斷通路，避免主控芯片與充電管理芯片損壞；智能音箱、寵物喂食器等低功耗設(shè)備則選用低靜態(tài)電流型號，平衡防護(hù)性能與續(xù)航。

審核編輯 黃宇