三電平變換器拓?fù)渲悬c(diǎn)電壓平衡控制策略與工程實(shí)現(xiàn)

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. 引言

隨著電力電子技術(shù)向高壓、大功率和高效率方向的演進(jìn)，多電平變換器拓?fù)湟殉蔀镾ST固態(tài)變壓器、中高壓變頻調(diào)速、新能源并網(wǎng)發(fā)電、柔性直流輸電以及電動汽車牽引驅(qū)動等領(lǐng)域的核心技術(shù)方案。在眾多多電平拓?fù)渲?，三電平中點(diǎn)鉗位型（Neutral Point Clamped, NPC）逆變器及其衍生拓?fù)洹性粗悬c(diǎn)鉗位型（Active NPC, ANPC）逆變器，憑借其輸出電壓諧波含量低、功率器件電壓應(yīng)力減半（相對于兩電平）、電磁干擾（EMI）小以及等效開關(guān)頻率高等顯著優(yōu)勢，占據(jù)了工業(yè)應(yīng)用的主導(dǎo)地位。

然而，三電平拓?fù)湓趲硇阅芴嵘耐瑫r，也引入了固有的技術(shù)挑戰(zhàn)，其中最為關(guān)鍵且棘手的問題便是直流側(cè)中點(diǎn)電壓（Neutral Point Voltage, NPV）的平衡問題。理想狀態(tài)下，三電平逆變器的直流母線由兩個串聯(lián)的電容支撐，中點(diǎn)電位應(yīng)嚴(yán)格保持在直流母線電壓的一半。但在實(shí)際工程應(yīng)用中，受負(fù)載工況變化、功率器件參數(shù)離散性、調(diào)制策略固有的不平衡性以及死區(qū)效應(yīng)等因素影響，流入和流出中點(diǎn)的電流往往不為零，導(dǎo)致上下分壓電容上的電壓發(fā)生偏移。

中點(diǎn)電壓的失衡將引發(fā)一系列連鎖的惡劣后果：首先，它會導(dǎo)致輸出電壓波形畸變，增加低次諧波含量，惡化電能質(zhì)量；其次，嚴(yán)重的電壓偏移會使得部分功率開關(guān)管承受超過其額定值的阻斷電壓，直接威脅器件安全，甚至導(dǎo)致炸機(jī)事故；此外，直流側(cè)的低頻電壓紋波會耦合至交流側(cè)，引發(fā)系統(tǒng)振蕩。因此，如何高效、可靠地實(shí)現(xiàn)中點(diǎn)電壓平衡，已成為三電平變換器控制技術(shù)研究的核心課題。

傾佳電子將對三電平拓?fù)渲悬c(diǎn)電壓平衡的解決辦法進(jìn)行詳盡的深度剖析。分析維度涵蓋中點(diǎn)電壓波動的物理機(jī)理、基于軟件算法的調(diào)制策略（SVPWM、CBPWM、ZSV注入）、基于硬件電路的平衡方案（無源/有源平衡電路）、以及基于拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)創(chuàng)新的解決方案（ANPC拓?fù)鋬?yōu)勢）。同時，結(jié)合基本半導(dǎo)體子公司青銅劍技術(shù)（Bronze Technologies）的先進(jìn)驅(qū)動方案與基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）的碳化硅（SiC）功率模塊技術(shù)，探討工程實(shí)現(xiàn)中的關(guān)鍵硬件支撐與系統(tǒng)級優(yōu)化策略，旨在為電力電子領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員提供一份兼具理論深度與工程實(shí)用價值的參考指南。

2. 三電平拓?fù)渲悬c(diǎn)電壓波動的物理機(jī)理與數(shù)學(xué)模型

要從根本上解決中點(diǎn)電壓不平衡問題，必須首先深入理解其產(chǎn)生的物理機(jī)制。對于標(biāo)準(zhǔn)的三電平NPC拓?fù)?，其直流?cè)由兩個串聯(lián)電容C1和C2構(gòu)成，總直流電壓為Vdc，中點(diǎn)O為兩個電容的連接點(diǎn)。

2.1 中點(diǎn)電流的形成機(jī)制

中點(diǎn)電位的波動本質(zhì)上是由流經(jīng)中點(diǎn)的電流iNP引起的。根據(jù)基爾霍夫電流定律（KCL），中點(diǎn)電流決定了上下電容電壓差的變化率。假設(shè)兩個電容參數(shù)一致（C1=C2=C），則上下電容電壓差ΔV=VC1?VC2的動態(tài)方程可描述為：

dtdΔV=dtd(VC1?VC2)=?C1iNP

該式表明，控制中點(diǎn)電位的核心在于控制中點(diǎn)電流iNP。在三相三線制系統(tǒng)中，中點(diǎn)電流iNP是三相負(fù)載電流與開關(guān)狀態(tài)的函數(shù)。三電平逆變器的每一相有三種開關(guān)狀態(tài)：

• P狀態(tài)（Positive）：上橋臂兩個開關(guān)管導(dǎo)通，輸出端接正母線，電流不流經(jīng)中點(diǎn)。
• O狀態(tài)（Zero）：中間兩個開關(guān)管導(dǎo)通，輸出端接中點(diǎn)，負(fù)載電流直接流經(jīng)中點(diǎn)。
• N狀態(tài)（Negative）：下橋臂兩個開關(guān)管導(dǎo)通，輸出端接負(fù)母線，電流不流經(jīng)中點(diǎn)。

因此，瞬時中點(diǎn)電流iNP可以表示為三相處于“O”狀態(tài)時的相電流之和 [1]。如果三相開關(guān)函數(shù)定義為Sx（x=a,b,c），當(dāng)Sx=0時表示O狀態(tài)，則：

iNP=∑x=a,b,cδ(Sx)?ix

其中δ(Sx)為指示函數(shù)，當(dāng)且僅當(dāng)相x處于O狀態(tài)時為1，否則為0。這揭示了一個關(guān)鍵結(jié)論：中點(diǎn)電位只能在逆變器輸出零電平（O狀態(tài)）時被控制或受影響。

2.2 造成不平衡的內(nèi)外部因素

導(dǎo)致iNP非零均值的因素復(fù)雜多樣，主要包括：

負(fù)載特性與功率因數(shù)：當(dāng)負(fù)載功率因數(shù)較低時，電流與電壓相位差較大，導(dǎo)致在某些扇區(qū)內(nèi)，流出中點(diǎn)的電流與流入中點(diǎn)的電流在時間積分上無法自然抵消。特別是在長矢量作用期間，中點(diǎn)無電流；而在小矢量作用期間，中點(diǎn)電流極其顯著。

調(diào)制策略的固有缺陷：傳統(tǒng)的正弦脈寬調(diào)制（SPWM）或未加修正的空間矢量調(diào)制（SVPWM）在某些調(diào)制比下，對小矢量的分配由于對稱性原因可能導(dǎo)致中點(diǎn)電荷積累。

硬件參數(shù)不對稱：

• 電容參數(shù)離散性：即使標(biāo)稱值相同，電容C1和C2的實(shí)際容值和漏電流（Leakage Current）也會存在差異，導(dǎo)致靜態(tài)電壓漂移 。
• 器件開關(guān)特性差異：IGBT或SiC MOSFET的開通/關(guān)斷延遲時間（Turn-on/off delay）以及死區(qū)時間（Dead-time）的不一致，會導(dǎo)致實(shí)際施加在電容上的伏秒積不對稱 。

死區(qū)效應(yīng)：為了防止橋臂直通設(shè)置的死區(qū)時間，會根據(jù)電流方向切削脈沖波形，這種非線性的電壓誤差積累也是造成中點(diǎn)電位低頻振蕩的重要原因。

3. 軟件級解決辦法：先進(jìn)調(diào)制策略

軟件平衡策略是通過改進(jìn)PWM算法，主動調(diào)節(jié)中點(diǎn)電流的方向和大小，以補(bǔ)償電容電壓的偏差。這是目前工業(yè)界最主流的方案，因?yàn)樗鼰o需增加昂貴的功率硬件，僅需在控制器（DSP/FPGA）中優(yōu)化代碼即可實(shí)現(xiàn)。

3.1 基于載波的PWM（CBPWM）與零序電壓注入

基于載波的調(diào)制策略（CBPWM）因其實(shí)現(xiàn)簡單、計算量小而被廣泛采用。其核心思想是利用零序電壓（Zero-Sequence Voltage, ZSV）注入技術(shù) 。

3.1.1 零序電壓注入原理

在三相三線制系統(tǒng)中，向三相調(diào)制波中同時注入一個相同的零序分量v0，不會改變線電壓輸出，但會改變各相的開關(guān)狀態(tài)占空比，從而改變各相接入中點(diǎn)的時間。

例如，若檢測到上電容電壓VC1偏高（即VC1>VC2），控制器需要構(gòu)造一個中點(diǎn)電流iNP使其為正（流出中點(diǎn)，對C2充電或C1放電，視電流方向定義而定），從而降低VC1。

注入的零序電壓voffset通常通過以下邏輯計算：vref,x?=vref,x+voffset通過調(diào)節(jié)voffset的大小和極性，可以平移三相調(diào)制波相對于三角載波的位置，進(jìn)而改變“P”狀態(tài)和“N”狀態(tài)的比例，間接調(diào)整“O”狀態(tài)的作用時間。

3.1.2 改進(jìn)型ZSV策略與重疊載波法

文獻(xiàn)指出，傳統(tǒng)的ZSV方法在高調(diào)制度下可能失效。改進(jìn)的方法包括建立中點(diǎn)電壓閉環(huán)控制系統(tǒng)，將電壓偏差ΔV經(jīng)過PI調(diào)節(jié)器輸出作為零序電壓的修正量 。 此外，還有一種**載波重疊（Carrier Overlapping）**策略 。通過增加兩個層疊載波的幅值使其發(fā)生部分重疊，可以動態(tài)改變零狀態(tài)的分布。這種方法在不改變調(diào)制波形狀的前提下，通過調(diào)整載波的垂直位置或幅值來強(qiáng)制平衡中點(diǎn)，具有邏輯簡單、響應(yīng)快速的特點(diǎn)。

3.2 空間矢量脈寬調(diào)制（SVPWM）及其優(yōu)化

SVPWM從空間矢量的角度分析，利用矢量合成的冗余性來實(shí)現(xiàn)中點(diǎn)平衡。三電平逆變器共有27個開關(guān)狀態(tài)，對應(yīng)19個基本電壓矢量，分為大矢量、中矢量、小矢量和零矢量。

3.2.1 冗余小矢量的利用

這是SVPWM平衡策略的基石。小矢量（Small Vectors）成對出現(xiàn)，例如矢量V1可以由狀態(tài)(POO)或(ONN)產(chǎn)生：

• POO狀態(tài)：A相接正，B、C相接中點(diǎn)。中點(diǎn)電流iNP=?(ib+ic)=ia。
• ONN狀態(tài)：A相接中點(diǎn)，B、C相接負(fù)。中點(diǎn)電流iNP=ia。

雖然兩者合成的線電壓矢量相同，但它們對中點(diǎn)電流的影響方向相反（注意：具體正負(fù)取決于電流方向定義，但在同一時刻，成對小矢量對中點(diǎn)的作用必然相反）。

控制策略的核心在于根據(jù)當(dāng)前的電壓偏差ΔV和相電流方向，動態(tài)分配成對小矢量（如POO和ONN）的作用時間因子（Dwell Time Factor）[7, 8, 9]。 令分配因子為k(0≤k≤1)，則POO作用時間為k?Tsmall，ONN作用時間為(1?k)?Tsmall。通過調(diào)節(jié)k，可以精確控制注入中點(diǎn)的平均電荷量。

3.2.2 虛擬空間矢量（Virtual Space Vector, VSV）

為了克服傳統(tǒng)NTV（Nearest Three Vector）算法在高調(diào)制度下中點(diǎn)電流波動大的問題，研究人員提出了虛擬空間矢量技術(shù)。VSV通過線性組合小矢量、中矢量和零矢量，構(gòu)造出一種對中點(diǎn)電流平均貢獻(xiàn)為零的“虛擬矢量” 。 例如，將三個互差120度的小矢量和一個中矢量按特定比例合成，可以使得在一個PWM周期內(nèi)，中點(diǎn)電荷的凈流量恒為零。這種方法雖然計算復(fù)雜度較高，但能從根本上消除低頻電壓紋波，特別適用于對電能質(zhì)量要求極高的并網(wǎng)變流器。

3.2.3 五段式與七段式切換序列

優(yōu)化開關(guān)序列（Switching Sequence）也是平衡電壓的重要手段。傳統(tǒng)的七段式SVPWM雖然諧波性能好，但在某些扇區(qū)對中點(diǎn)控制力不足。文獻(xiàn)提出了一種新型五段式開關(guān)序列算法，通過在四種不同的五段式組合間切換，不僅降低了開關(guān)損耗，還將中點(diǎn)電壓的相對誤差降低了2.4倍，顯著提升了系統(tǒng)的運(yùn)行可靠性。

3.3 時間偏移估計方案（Time-Offset Estimation）

除了基于矢量的計算，還有一種基于時間域的方法，即時間偏移估計方案 。該方法不需要復(fù)雜的坐標(biāo)變換，而是直接在三相開關(guān)的導(dǎo)通時間上附加一個微小的時間偏移量Toffset。 該方案通過檢測電壓偏差，通過一個估計器算出一個精確的時間修正值，疊加到PWM比較寄存器中。這種方法的優(yōu)勢在于由于直接作用于時間域，其物理意義明確且易于在FPGA或低成本MCU中實(shí)現(xiàn)，無需額外的硬件電路即可實(shí)現(xiàn)高精度的平衡。

3.4 智能控制算法的應(yīng)用

隨著算力的提升，模型預(yù)測控制（MPC）和人工智能算法也開始應(yīng)用于中點(diǎn)平衡。例如，模型預(yù)測控制可以基于系統(tǒng)的離散數(shù)學(xué)模型，預(yù)測下一時刻不同開關(guān)狀態(tài)對中點(diǎn)電壓的影響，從而直接選擇使目標(biāo)函數(shù)（包含電壓平衡項(xiàng)）最小的開關(guān)狀態(tài) 。這種方法動態(tài)響應(yīng)極快，但對處理器性能要求極高。

4. 硬件級解決辦法：電路拓?fù)渑c輔助裝置

當(dāng)應(yīng)用場景對可靠性要求極高，或者工作在軟件控制能力受限的極端工況（如極低調(diào)制度、過調(diào)制區(qū)域）時，單純依賴軟件算法可能無法維持嚴(yán)格的平衡，此時需要引入硬件解決方案。

4.1 無源平衡電路（Passive Balancing）

最原始的硬件方案是在兩個直流分壓電容C1和C2兩端分別并聯(lián)大功率電阻。電阻通過持續(xù)消耗功率來強(qiáng)行拉平電壓。

• 優(yōu)點(diǎn)：結(jié)構(gòu)極其簡單，成本低，可靠性高。
• 缺點(diǎn)：存在巨大的持續(xù)功率損耗（I2R損耗），嚴(yán)重降低系統(tǒng)效率，且發(fā)熱量大，散熱設(shè)計困難。 該方案目前僅用于輔助平衡或放電回路，極少作為主平衡手段用于大功率場合 。

4.2 有源平衡電路（Active Balancing Circuits）

有源平衡方案通過引入額外的功率變換器來主動轉(zhuǎn)移電荷，實(shí)現(xiàn)能量在兩個電容間的雙向流動，從而維持電壓平衡。

Buck-Boost平衡器：這是最常見的有源平衡電路。它由一對開關(guān)管和一個電感組成，跨接在上下電容的中點(diǎn)。當(dāng)檢測到VC1>VC2時，控制電路驅(qū)動開關(guān)管動作，將C1的多余能量暫存在電感中，然后釋放給C2 。

• 優(yōu)勢：平衡能力強(qiáng)，與主電路負(fù)載工況解耦，即使在電機(jī)零速或堵轉(zhuǎn)（此時軟件平衡能力最弱）時也能有效工作。
• 劣勢：增加了額外的開關(guān)器件、電感和控制電路，增加了系統(tǒng)的體積、重量和成本（BOM成本）。

背靠背（Back-to-Back）系統(tǒng)平衡：在風(fēng)電或柔性直流輸電中，常采用背靠背雙PWM變流器結(jié)構(gòu)（整流側(cè)+逆變側(cè)）。此時，可以利用網(wǎng)側(cè)整流器（Rectifier）來主動控制中點(diǎn)電位，而機(jī)側(cè)逆變器（Inverter）則專注于電機(jī)控制。通過協(xié)同控制策略，利用整流側(cè)的冗余矢量來補(bǔ)償逆變側(cè)產(chǎn)生的不平衡，這是一種系統(tǒng)級的硬件復(fù)用方案 。

電感/電容式均衡器：利用開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)或多繞組變壓器進(jìn)行電荷泵送。這種方法效率較高，但對于高壓大功率系統(tǒng)，無源元件的體積和耐壓設(shè)計是一大挑戰(zhàn) 。

5. 拓?fù)浼壗鉀Q辦法：ANPC拓?fù)涞墓逃袃?yōu)勢

在眾多三電平拓?fù)渲校?*有源中點(diǎn)鉗位（Active Neutral Point Clamped, ANPC）**拓?fù)涞某霈F(xiàn)，從根本架構(gòu)上為解決中點(diǎn)平衡和損耗分布不均提供了革命性的手段。

5.1 ANPC與NPC的結(jié)構(gòu)差異

傳統(tǒng)的NPC拓?fù)涫褂脙蓚€二極管將中點(diǎn)鉗位到輸出端。在“O”狀態(tài)下，電流流經(jīng)的路徑是固定的（取決于電流方向），無法人為選擇。這意味著控制器對中點(diǎn)電流的控制自由度受限。 相比之下，ANPC拓?fù)鋵PC中的鉗位二極管替換為有源開關(guān)（IGBT或MOSFET），或者在鉗位二極管旁并聯(lián)開關(guān)。典型的三相3L-ANPC每相包含6個有源開關(guān)（T1-T6） 。

5.2 ANPC在中點(diǎn)平衡中的獨(dú)特機(jī)制

ANPC拓?fù)渥畲蟮膬?yōu)勢在于其零狀態(tài)（Zero State）的冗余性。在輸出“O”電平時，ANPC可以通過控制T2/T3導(dǎo)通，也可以通過控制鉗位支路的開關(guān)（如T5/T6）配合實(shí)現(xiàn)多種通流路徑。

• 路徑選擇自由度：這種多樣的通流路徑允許控制器在不改變輸出電壓的前提下，主動選擇電流流經(jīng)上鉗位回路還是下鉗位回路，或者利用并聯(lián)路徑分流。
• 解耦控制：利用ANPC的冗余狀態(tài)，可以實(shí)現(xiàn)中點(diǎn)電壓平衡控制與開關(guān)損耗分布控制的解耦 。例如，在高調(diào)制度低功率因數(shù)工況下，傳統(tǒng)NPC的中點(diǎn)平衡會導(dǎo)致某些管子損耗過大，而ANPC可以通過輪換使用長/短換流路徑（Long/Short Commutation Loops）來均衡熱應(yīng)力，同時維持NPV平衡 。

5.3 損耗平衡與NPV平衡的協(xié)同

分區(qū)域控制方法，利用ANPC的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，在高調(diào)制度區(qū)域優(yōu)先保證損耗平衡，在低調(diào)制度區(qū)域優(yōu)先保證中點(diǎn)電壓平衡，或者在全區(qū)域內(nèi)通過加權(quán)因子同時優(yōu)化兩者。這種拓?fù)浼壍慕鉀Q方案使得ANPC在風(fēng)電變流器等大功率、高可靠性應(yīng)用中逐漸取代了傳統(tǒng)NPC 。

6. 工程實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)：驅(qū)動器與功率模塊

理論策略的落地離不開高性能硬件的支持。在實(shí)際工程中，驅(qū)動器（Gate Driver）和功率半導(dǎo)體模塊（Power Module）的選型與設(shè)計對中點(diǎn)平衡的實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要。

6.1 驅(qū)動器的關(guān)鍵作用：以基本半導(dǎo)體子公司青銅劍技術(shù)（Bronze Technologies）為例

作為國內(nèi)領(lǐng)先的驅(qū)動方案提供商，基本半導(dǎo)體子公司青銅劍技術(shù)（Bronze Technologies）推出了專門針對I型三電平NPC1和ANPC拓?fù)涞尿?qū)動解決方案（如6AB0460Txx系列、2QD0535Txx系列）。雖然驅(qū)動器本身通常不負(fù)責(zé)執(zhí)行復(fù)雜的SVPWM平衡算法（這通常由主控DSP/FPGA完成），但它們提供了實(shí)現(xiàn)平衡控制所必需的物理基礎(chǔ)和保護(hù)機(jī)制：

拓?fù)渲С峙c中點(diǎn)連接：青銅劍的驅(qū)動板明確支持NPC1和ANPC架構(gòu)，其電路設(shè)計中包含了對中點(diǎn)“N”的處理邏輯。在ANPC方案中，驅(qū)動器需要獨(dú)立驅(qū)動6個開關(guān)管（T1-T6），其時序邏輯比傳統(tǒng)NPC更復(fù)雜。驅(qū)動器必須具備高精度的互鎖功能（Interlock）和死區(qū)設(shè)置，以防止在為了平衡中點(diǎn)而頻繁切換零狀態(tài)路徑時發(fā)生橋臂直通 。

有源鉗位（Active Voltage Clamp, AVC）與過壓保護(hù)：中點(diǎn)電壓失衡的最直接后果是某一側(cè)開關(guān)管承受過電壓。青銅劍驅(qū)動器集成了模擬控制的智能關(guān)斷技術(shù)和有源鉗位功能。

• AVC原理：當(dāng)檢測到集電極-發(fā)射極電壓（VCE）超過閾值（可能由NPV嚴(yán)重失衡導(dǎo)致）時，有源鉗位電路會強(qiáng)制微導(dǎo)通IGBT，將門極電壓抬升，使IGBT工作在有源區(qū)，從而鉗制VCE尖峰，吸收過電壓能量 。這構(gòu)成了中點(diǎn)平衡失效后的最后一道安全防線。

VCE短路檢測與軟關(guān)斷（Soft Turn-off）：在嚴(yán)重失衡導(dǎo)致器件及負(fù)載發(fā)生短路風(fēng)險時，驅(qū)動器通過檢測VCE退飽和現(xiàn)象，觸發(fā)軟關(guān)斷功能。軟關(guān)斷通過緩慢降低門極電壓，限制關(guān)斷時的di/dt，防止因直流母線電壓分布不均而激發(fā)出破壞性的電壓尖峰 。

高絕緣與高可靠性設(shè)計：三電平拓?fù)鋵Ω綦x要求極高。青銅劍驅(qū)動器采用**磁隔離（變壓器）**方案，而非光耦，避免了光衰問題，確保了長期運(yùn)行下PWM信號傳輸?shù)难舆t一致性 。對于ANPC這種需要極高同步性的拓?fù)?，?qū)動信號的一致性直接影響到并聯(lián)路徑的均流和中點(diǎn)控制的精度。

無CPLD設(shè)計與ASIC芯片組：利用自研ASIC芯片組替代分立器件或復(fù)雜CPLD，降低了外圍電路復(fù)雜度，提高了在惡劣電磁環(huán)境（如風(fēng)電變流器）下的抗干擾能力，確保在執(zhí)行高頻注入平衡算法時驅(qū)動器不會誤動作 。

6.2 功率模塊的選型：以基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）為例

基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC）MOSFET模塊（如Pcore?2 ED3系列、E2B封裝、62mm封裝）為三電平中點(diǎn)平衡控制帶來了新的可能性 。

高開關(guān)頻率帶來的控制帶寬優(yōu)勢：

SiC模塊支持的開關(guān)頻率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)Si IGBT（例如從幾kHz提升至幾十kHz）。更高的開關(guān)頻率意味著：

• 更快的平衡響應(yīng)：控制器可以在更短的周期內(nèi)執(zhí)行ZSV注入或矢量調(diào)整，能夠抑制更高頻率的中點(diǎn)電壓波動。
• 更小的無源元件：高頻化允許減小直流分壓電容的容值，雖然這對平衡算法提出了更高要求（容值小，電壓波動快），但配合高頻控制，可以實(shí)現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計 。

低電感封裝與ANPC適配：BASiC的模塊采用低雜散電感設(shè)計（如Si3N4 AMB基板），這對于ANPC拓?fù)溆葹橹匾?。因?yàn)锳NPC涉及復(fù)雜的換流回路，雜散電感會導(dǎo)致關(guān)斷過壓。低電感設(shè)計配合SiC的高速開關(guān)特性，使得ANPC在高頻下運(yùn)行成為可能，從而充分利用其損耗平衡和中點(diǎn)平衡優(yōu)勢 。

米勒鉗位（Miller Clamp）的必要性：由于SiC MOSFET開關(guān)速度極快（高dv/dt），在三電平橋臂切換過程中，極易通過米勒電容（Cgd）引起串?dāng)_導(dǎo)通（Crosstalk）?；景雽?dǎo)體的文檔特別強(qiáng)調(diào)了在驅(qū)動SiC模塊時必須使用米勒鉗位功能 。這對于維持中點(diǎn)平衡至關(guān)重要，因?yàn)槿魏握`導(dǎo)通都會破壞預(yù)期的電流路徑，導(dǎo)致中點(diǎn)電位不可控的漂移。

7. 綜合解決方案對比與應(yīng)用建議

針對不同的應(yīng)用場景，應(yīng)選擇不同的中點(diǎn)平衡策略組合。

工程建議：

• 對于風(fēng)電變流器（1800V系統(tǒng)）：推薦采用ANPC拓?fù)?。利用ANPC的主動換流路徑選擇功能，配合青銅劍技術(shù)的6AB0460Txx系列驅(qū)動器，可以同時解決低頻下的器件熱應(yīng)力不均和中點(diǎn)電壓漂移問題。驅(qū)動器的有源鉗位功能為長壽命運(yùn)行提供最后保障。
• 對于電動汽車電機(jī)控制器（SiC應(yīng)用）：推薦采用SVPWM軟件平衡 + SiC MOSFET。利用基本半導(dǎo)體SiC模塊的高頻特性，通過高頻SVPWM算法（如20kHz以上）快速修正中點(diǎn)偏差，同時依靠驅(qū)動器的米勒鉗位防止高dv/dt串?dāng)_。
• 對于電網(wǎng)側(cè)SVG/APF：由于需處理無功功率，功率因數(shù)變化范圍大，推薦采用滯環(huán)控制或改進(jìn)型ZSV注入，并結(jié)合大容量薄膜電容來緩沖能量波動。

8. 結(jié)論

三電平拓?fù)涞闹悬c(diǎn)電壓平衡是一個系統(tǒng)工程，涉及控制理論、電路拓?fù)渑c核心器件三個維度。

1. 理論層面：中點(diǎn)電壓的波動源于中點(diǎn)電流的非零積分，其根源在于負(fù)載工況與調(diào)制策略的不匹配。
2. 軟件層面：基于**零序電壓注入（ZSV）和虛擬空間矢量（VSV）**的調(diào)制策略是目前性價比最高的解決方案，能夠覆蓋絕大多數(shù)工況。
3. 硬件層面：ANPC拓?fù)渫ㄟ^引入有源開關(guān)，從結(jié)構(gòu)上打破了NPC的限制，提供了更多的控制自由度，是解決高功率、復(fù)雜工況下平衡問題的終極手段。
4. 器件支撐：基本半導(dǎo)體子公司青銅劍技術(shù)的ASIC芯片組驅(qū)動器通過提供精準(zhǔn)的時序控制、有源鉗位保護(hù)和高絕緣能力，為ANPC等復(fù)雜策略的實(shí)施提供了堅實(shí)的物理基礎(chǔ)；基本半導(dǎo)體的SiC模塊則通過提升開關(guān)頻率，從時間尺度上提升了平衡控制的帶寬和精度。

綜上所述，構(gòu)建一個穩(wěn)健的三電平系統(tǒng)，應(yīng)以ANPC拓?fù)浠騼?yōu)化SVPWM算法為核心，選用具備有源鉗位和軟關(guān)斷保護(hù)的專用驅(qū)動器，并根據(jù)負(fù)載特性匹配高性能的SiC或IGBT功率模塊，從而實(shí)現(xiàn)中點(diǎn)電壓的動態(tài)、靜態(tài)精確平衡。

審核編輯 黃宇