朋友圈被一眾“錦鯉”刷屏？與其依靠現(xiàn)象級的好運(yùn)護(hù)體，不如喝一碗官宣的“技術(shù)雞湯”更實(shí)際！10月16日及18日，2018三菱電機(jī)功率模塊技術(shù)研討會二巡分別在南京景楓萬豪酒店和武漢富力威斯汀酒店順利落幕?？旄S小菱角的步伐，一起來看看這碗“鮮嫩雞湯”是如何烹制的吧！

【秘制方法一】

高校學(xué)者授業(yè)解惑，助力科技落地

（清華大學(xué)電機(jī)系教授、IEEE PELS北京分部主席、IEEE Fellow 趙爭鳴）

在清華大學(xué)電機(jī)系趙爭鳴教授的精彩演講中，本次研討會專題內(nèi)容正式開始。與以往不同的是，趙教授的此番演講不再只是分析行業(yè)宏觀發(fā)展，還帶領(lǐng)現(xiàn)場觀眾落地實(shí)際，進(jìn)一步聚焦用與時俱進(jìn)的研究方法來適應(yīng)瞬息萬變的電力電子發(fā)展環(huán)境。比如，原來采用的連續(xù)的大時間尺度電磁暫態(tài)過渡過程分析方法就難以適應(yīng)電力電子混雜系統(tǒng)。

基于該問題，趙教授在接下來的內(nèi)容中，便詳細(xì)介紹了電磁能量脈沖傳遞規(guī)律、器件組合相互作用規(guī)律、短時間尺度的主動控制以及仿真能量平衡控制等相關(guān)要點(diǎn)。最后，他還引用一個基于能量平衡綜合控制策略的仿真案例做輔助，將之前介紹的幾項關(guān)鍵點(diǎn)融于其中，幫助來賓更好地理解原本略顯晦澀的知識點(diǎn)。

【秘制方法二】

技術(shù)大拿如數(shù)家珍，行業(yè)熱點(diǎn)全解析

（三菱電機(jī)功率器件制作所應(yīng)用技術(shù)部部長 山田順治）

理論與實(shí)踐的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，往往可以激發(fā)出高質(zhì)量的思維火花。

眾所周知，從事研究和開發(fā)功率半導(dǎo)體有60年歷史的三菱電機(jī)，已為市場輸出了眾多高科技產(chǎn)品。尤其在近年來大熱的SiC器件研究領(lǐng)域，三菱電機(jī)也一直堪稱敢為人先。在本屆研討會上，功率器件制作所應(yīng)用技術(shù)部部長山田順治先生，就針對SiC芯片技術(shù)、最新封裝技術(shù)以及相關(guān)應(yīng)用等問題，展開詳細(xì)的剖析解答。

從晶圓制造到模塊生產(chǎn)，從低壓到高壓，山田部長層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評。他介紹到，與傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優(yōu)勢是開關(guān)損耗大幅減小。對于特定逆變器應(yīng)用，這種優(yōu)勢可以減小逆變器尺寸，提高逆變器效率及增加開關(guān)頻率。同時，他還將SiC和GaN兩種寬禁帶功率芯片進(jìn)行對比，進(jìn)一步闡明SiC功率芯片對高電壓和高功率應(yīng)用具有獨(dú)特的優(yōu)越性。

山田部長還特別提到，三菱電機(jī)內(nèi)置SBD的SiC MOSFET芯片，相比采用獨(dú)立SBD芯片的功率模塊，可以大幅縮小內(nèi)部功率芯片的面積，從而實(shí)現(xiàn)高壓SiC MOSFET模塊的高功率密度設(shè)計，同時這種SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)完全能夠避免由堆垛層錯擴(kuò)展引起的雙極退化效應(yīng)，應(yīng)用前景可觀。

三菱電機(jī)是將SiC技術(shù)應(yīng)用于功率模塊的先驅(qū)之一，其SiC功率模塊產(chǎn)品線涵蓋額定電流15A~1200A及額定電壓600V~3300V，目前均可提供樣品。

除此之外，三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國區(qū)的工程師團(tuán)隊也帶來了精彩的產(chǎn)品及應(yīng)用介紹，以至于在會后的互動環(huán)節(jié)，許多來賓仍求知欲高漲，紛紛踴躍提問，從理論知識到實(shí)踐應(yīng)用，問題內(nèi)容十分豐富！而三菱電機(jī)半導(dǎo)體的工程師們也是見招拆招，果然專業(yè)技術(shù)人員之間的切磋都是這么的有質(zhì)量啊！

（三菱電機(jī)半導(dǎo)體大中國區(qū)總經(jīng)理 楠真一）

作為即將步入百年的老牌跨國企業(yè)，三菱電機(jī)始終相信，唯有在精進(jìn)技藝的基礎(chǔ)上，實(shí)時了解業(yè)界動態(tài)和用戶痛點(diǎn)，才是經(jīng)久不衰的不二法門。在未來的日子里，三菱電機(jī)還將繼續(xù)保持暢通交流的渠道，以期為市場提供更多更好的產(chǎn)品和服務(wù)。