chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

技術(shù)分享:認(rèn)識(shí)晶體管

云創(chuàng)硬見(jiàn) ? 2019-01-16 13:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

晶體管原理及應(yīng)用

晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor,BJT)又稱晶體三極管,簡(jiǎn)稱三極管,是一種固體半導(dǎo)體器件,可用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等。

(晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu),圖片來(lái)源:baidu圖片)

晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān).基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可用作電流的開(kāi)關(guān)。和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同的是:晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制,而且開(kāi)關(guān)速度非???,在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100吉赫茲以上。

晶體管是半導(dǎo)體器件,它既可以用作電控制的開(kāi)關(guān),也可以用作放大器。晶體管的優(yōu)點(diǎn)是以類似水龍頭控制水流的方式控制電流。調(diào)整水龍頭的旋鈕可以控制水流。利用加在晶體管一個(gè)控制端的小電壓或小電流可以控制通過(guò)晶體管另兩端的大電流。晶體管應(yīng)用于幾乎所有你能夠想到的電路中。例如,可以在開(kāi)關(guān)電路、放大器電路、振蕩器電路、電流源電路、穩(wěn)壓器電路、電源電路、數(shù)字邏輯集成電路中見(jiàn)到晶體管。幾乎所有的電路中晶體管都是用小信號(hào)控制大電流。

下面為大家概述一些常用的晶體管。

計(jì)算技術(shù)界的重大突破:1nm晶體管誕生

據(jù)外媒報(bào)道,沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破!晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小,同樣體積的芯片上就能集成更多,這樣一來(lái)處理器的性能和功耗都能會(huì)獲得巨大進(jìn)步。

多年以來(lái),技術(shù)的發(fā)展都在遵循摩爾定律。即當(dāng)價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的元器件的數(shù)目約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。不過(guò)放眼未來(lái),摩爾定律開(kāi)始有些失靈了,因?yàn)閺男酒闹圃靵?lái)看,7nm就是物理極限。一旦晶體管大小低于這一數(shù)字,它們?cè)谖锢硇螒B(tài)上就會(huì)非常集中,以至于產(chǎn)生量子隧穿效應(yīng),為芯片制造帶來(lái)巨大挑戰(zhàn)。

此前,英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來(lái)制作7nm晶體管,而現(xiàn)在勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室走在了前面。它們的1nm晶體管由納米碳管和二硫化鉬制作而成,二硫化鉬將擔(dān)起原本半導(dǎo)體的職責(zé),而納米碳管則負(fù)責(zé)控制邏輯門(mén)中電子的流向。

眼下這一研究還停留在初級(jí)階段,畢竟在14nm的制程下一個(gè)模具上就有超過(guò)10億個(gè)晶體管,而要將晶體管縮小到1nm,大規(guī)模量產(chǎn)的困難有些過(guò)于巨大。不過(guò)這一研究依然具有非常重要的指導(dǎo)意義,新材料的發(fā)現(xiàn)未來(lái)將大大提升電腦的計(jì)算能力。

以上所有信息僅作為學(xué)習(xí)交流使用,不作為任何學(xué)習(xí)和商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。若您對(duì)文中任何信息有異議,歡迎隨時(shí)提出,謝謝!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10282

    瀏覽量

    146363
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成,一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器,另一個(gè)是基極-發(fā)射極
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?483次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析與應(yīng)用指南

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期 以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)
    發(fā)表于 11-17 07:42

    0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.45-6.0
    發(fā)表于 09-18 18:33
    0.45-6.0 GHz 低噪聲<b class='flag-5'>晶體管</b> skyworksinc

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 09-15 15:31

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    晶體管通?;诩{米片堆疊技術(shù),納米片作為晶體管的溝道部分,其厚度和寬度可以精確控制,以實(shí)現(xiàn)更好的靜電控制和更高的驅(qū)動(dòng)電流。叉片晶體管可以實(shí)現(xiàn)垂直堆疊,即多個(gè)
    發(fā)表于 06-20 10:40

    薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

    導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件,通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造
    的頭像 發(fā)表于 05-27 09:51 ?2336次閱讀
    薄膜<b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>架構(gòu)與主流工藝路線

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1004次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    晶體管(Transistor)是一種?半導(dǎo)體器件?,用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開(kāi)關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設(shè)備(從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī))都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?3528次閱讀

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門(mén)電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門(mén)電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]

    本書(shū)主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
    發(fā)表于 03-07 13:55

    氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載

    氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?:并聯(lián)開(kāi)關(guān)廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合,如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:26 ?1012次閱讀

    晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

    這本書(shū)介紹了晶體管的基本特性,單電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5電路的設(shè)計(jì)與制作,6以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書(shū)中具體內(nèi)容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單
    發(fā)表于 02-26 19:55

    互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:03 ?4250次閱讀
    互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的結(jié)構(gòu)和作用