中芯國(guó)際2月14日發(fā)布截至2018年12月31日止的2018年Q4財(cái)報(bào)及2018年全年?duì)I收數(shù)據(jù)。因應(yīng)全球半導(dǎo)體形勢(shì)的嚴(yán)峻，中芯國(guó)際2018年Q4營(yíng)收較上一季有所下滑，并且預(yù)期2019年Q1收入預(yù)計(jì)為2019年相對(duì)低點(diǎn)。

中芯聯(lián)席CEO梁孟松于15日電話會(huì)議上表示持續(xù)加碼先進(jìn)工藝的決心，他表示，中芯國(guó)際第一代FinFET14nm技術(shù)進(jìn)入客戶(hù)驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時(shí)，12nm的工藝開(kāi)發(fā)也取得突破。

2018營(yíng)收連續(xù)增長(zhǎng) 2019Q1為低點(diǎn)

中芯國(guó)際2018年Q4財(cái)報(bào)顯示，銷(xiāo)售額達(dá)到7.876億美元，毛利潤(rùn)1.34億美元，同比下降9.7％；凈利潤(rùn)2652萬(wàn)美元，同比減少44.4％，其中中國(guó)區(qū)增長(zhǎng)12％。

2018年全年，中芯國(guó)際收入33.6億美元，創(chuàng)歷史新高，較2017年成長(zhǎng)8.3%，其中中國(guó)區(qū)占比達(dá)到歷史新高59.1％，比上年增長(zhǎng)11.8個(gè)百分點(diǎn)；毛利率22.2％，下滑1.7個(gè)百分點(diǎn)，凈利潤(rùn)1.34億美元，減少25.6％。

由于受行業(yè)淡季影響，公司預(yù)估2019年第1季銷(xiāo)售收入環(huán)比下滑16%至18%左右；預(yù)估毛利率介于20%至22%之間，環(huán)比增加3至5個(gè)百分點(diǎn)。

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍指出：“面對(duì)2019年大環(huán)境許多的不確定，我們努力尋求成長(zhǎng)機(jī)遇；穩(wěn)中帶進(jìn)，積極開(kāi)發(fā)客戶(hù)，拓展成熟和特色工藝的產(chǎn)品組合和應(yīng)用范圍，發(fā)掘市場(chǎng)價(jià)值機(jī)會(huì)，為成長(zhǎng)儲(chǔ)備力量?！?/p>

趙海軍透露，中芯在2019年看好NOR / NAND存儲(chǔ)、面板驅(qū)動(dòng)IC、CMOS傳感器、電源管理 IC等。他表示，NOR / NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品線受惠新客戶(hù)加入，預(yù)計(jì)營(yíng)收將倍數(shù)成長(zhǎng)，指紋辨識(shí)技術(shù)會(huì)朝 underglass 技術(shù)發(fā)展，而需要采用高壓工藝技術(shù)的面板驅(qū)動(dòng) IC 產(chǎn)品線，今年也會(huì)受惠新客戶(hù)加入，一起搶占市占率，8吋晶圓廠的需求持續(xù)熱絡(luò)到年底，整體客戶(hù)組合會(huì)以國(guó)內(nèi)、國(guó)際雙向發(fā)展。

上一季度財(cái)報(bào)會(huì)議時(shí)梁孟松表示，2019年下半年，中芯將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)Cowos以及FinFET，尤其FinFET已經(jīng)上軌道并受到客戶(hù)認(rèn)證，將提供移動(dòng)與無(wú)線客戶(hù)，未來(lái)14nm將應(yīng)用于AI、IoT和自駕車(chē)等領(lǐng)域，并導(dǎo)入新興市場(chǎng)等區(qū)域。而在此次電話會(huì)議上，梁孟松也重申AI、IoT以及自動(dòng)駕駛的重要性。

中芯先進(jìn)工藝大進(jìn)展：14nm量產(chǎn)在即、12nm取得突破

縱觀全球晶圓代工廠，龍頭企業(yè)臺(tái)積電已量產(chǎn)7nm，5nm即將登場(chǎng)，三星亦已量產(chǎn)7nm，盡管中芯國(guó)際與臺(tái)積電等先進(jìn)工藝落后兩代，但距離正在逐漸縮小——中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松表示，中芯第一代 FinFET 工藝 14 nm 技術(shù)已進(jìn)入客戶(hù)驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時(shí)，12nm 的工藝開(kāi)發(fā)也取得突破，下一代的 FinFET 工藝（N+1 FF）也會(huì)根據(jù)客戶(hù)需求推出。

梁孟松指出，相較于14 nm工藝，12 nm在表現(xiàn)上功耗減少20 %、效能增加10 % 、面積減少20 %，兩個(gè)工藝有部分客戶(hù)重疊，預(yù)計(jì)在消費(fèi)性、中端手機(jī) AP、 wireless connectivity 、 AI 等應(yīng)用都會(huì)有需求。

此外，據(jù)悉中芯國(guó)際正準(zhǔn)備在2019年批量生產(chǎn)14nm智能手機(jī)SoC。整體來(lái)看，因應(yīng)新功能加入包括BCD工藝的charger應(yīng)用、CMOS、高壓HV、AMOLED驅(qū)動(dòng)IC等，2019年手機(jī)產(chǎn)業(yè)仍會(huì)有較多商機(jī)。

值得注意的是，梁孟松于15日電話會(huì)議上強(qiáng)調(diào)，中芯提供全系列IP以及封裝測(cè)試服務(wù)等，從IC制造到后端封裝、測(cè)試“一條龍”服務(wù)發(fā)展。

中芯國(guó)際于上海建造的高端工藝12吋晶圓廠房“中芯南方”也將進(jìn)入量產(chǎn)。中芯南方是由大基金、上海集成電路基金、中芯國(guó)際三方投資成立合資廠，專(zhuān)門(mén)生產(chǎn) 14 nm 以下的高端工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)在 2019 年第二季移入機(jī)臺(tái)設(shè)備，年底將開(kāi)始小量生產(chǎn)。

超前臺(tái)積電南京廠 中芯志在必得

事實(shí)上，中芯開(kāi)發(fā)14 nm 以下的高端工藝技術(shù)，還有一項(xiàng)重大意義，就是正式超前臺(tái)積電在南京的16納米工藝布局，但后續(xù)有待觀察的是，中芯國(guó)際能否以良好的良率批量生產(chǎn)FinFET?！半S著FinFET上的知識(shí)和工藝模塊配方的增加，中芯國(guó)際的開(kāi)發(fā)只是時(shí)間問(wèn)題，”Gartner的分析師Samuel Wang認(rèn)為?！吧鲜袝r(shí)間至關(guān)重要。如果早一點(diǎn)他們就能成功。如果太遲了，那就有挑戰(zhàn)性了?！?/p>

如果中芯國(guó)際能夠批量生產(chǎn)14納米FinFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管，并且，進(jìn)一步向前推進(jìn)“半世代”工藝12納米，那么將使中芯與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并駕齊驅(qū)，甚至超前，居于國(guó)內(nèi)晶圓代工的領(lǐng)先地位。尤其，臺(tái)積電受限于登陸投資，工藝卡位在16納米，那么12納米對(duì)于中芯而言，就具備地利優(yōu)勢(shì)。

事實(shí)上，在政策資助下，中芯計(jì)劃在一個(gè)新12吋廠中開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的工藝。“中芯國(guó)際將獲得100億美元資助以建設(shè)14、10和7納米的產(chǎn)能。到2021年第四季度，他們將每月生產(chǎn)7萬(wàn)片晶圓，”國(guó)際商業(yè)戰(zhàn)略首席執(zhí)行官Handel Jones透露?！安⑶乙呀?jīng)買(mǎi)了一些非關(guān)鍵設(shè)備?！敝行緡?guó)際還面臨一些挑戰(zhàn)。14納米場(chǎng)FinFET效應(yīng)晶體管開(kāi)發(fā)已初步有成，但7納米代表了一個(gè)重大進(jìn)展。