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技術(shù) | 東北大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)出低電流下也可高效發(fā)光的GaN Micro LED!

XcgB_CINNO_Crea ? 來源:YXQ ? 2019-07-15 10:22 ? 次閱讀
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產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)總研)和東北大學(xué)于2019年7月宣布,他們開發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。他們?cè)囎龅腉aN Micro LED尺寸僅為6μm見方,如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話,就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。

也適應(yīng)于分辨率為2000ppi以上的顯示屏

此次研究成果得益于以下成員:產(chǎn)總研氮化物半導(dǎo)體先進(jìn)設(shè)備(Device)開放創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室(Open Innovation Laboratory ) GaN光設(shè)備小組的王學(xué)論(實(shí)驗(yàn)室組長(zhǎng))、電子光學(xué)技術(shù)研究部門的朱俊元客座研究員、納米電子(Nano Electronics)研究部門的遠(yuǎn)藤和彥(研究小組組長(zhǎng))、日本東北大學(xué)流體科學(xué)研究所創(chuàng)新能源(Innovative Energy)研究中心負(fù)責(zé)人兼材料科學(xué)高等研究所主任研究員的寒川誠(chéng)二教授(同時(shí)兼任產(chǎn)綜研納米電子研究部門的特定研究員(Fellow) )。

Micro LED作為可穿戴設(shè)備的顯示設(shè)備而頗受關(guān)注。然而,如果是采用一般的電感耦合等離子體(ICP,Inductive Coupled Plasma)蝕刻技術(shù)的制造工藝,因等離子的影響,LED的側(cè)面容易出現(xiàn)缺陷。特別是,LED的尺寸越小,有缺陷的側(cè)面的比例就越高。據(jù)說電流密度區(qū)域如果在20A/cm2以下,發(fā)光效率會(huì)急劇下降。

本次研究中,產(chǎn)總研致力于研究通過中性粒子光束蝕刻(Beam Etching)技術(shù)制作具有GaN納米結(jié)構(gòu)的LED;日本東北大學(xué)開發(fā)了對(duì)半導(dǎo)體材料幾乎不會(huì)產(chǎn)生損傷的中性粒子光束蝕刻技術(shù)(Beam Etching)。兩家單位通過合作,共同開發(fā)了GaN Micro LED。

該研究小組此次采用了中性粒子光束蝕刻(Beam Etching)技術(shù)和傳統(tǒng)的ICP蝕刻(Etching)技術(shù),分別制作了4種不同尺寸(40μm見方、20μm見方、10μm見方、6μm見方)的GaN Micro LED。

產(chǎn)總研和東北大學(xué)合作制作的GaN Micro LED模式圖 (圖片來源:產(chǎn)總研、東北大學(xué))

關(guān)于此次試做的Micro LED,調(diào)查了作為表示發(fā)光效率的指標(biāo)之一的外部量子效率和電流密度的依存關(guān)系。結(jié)果,通過ICP蝕刻技術(shù)制作的Micro LED的尺寸在20μm以下的情況下,且電流密度區(qū)域?yàn)?0A/cm2以下時(shí),發(fā)光效率急劇下降。然而,利用中性粒子光束蝕刻技術(shù)制作的Micro LED的尺寸即使減小到6μm,發(fā)光效率也幾乎沒有下降。

分別采用ICP蝕刻技術(shù)(左)、中性粒子光束蝕刻技術(shù)(右)試做的Micro LED的外部量子效率和電流的依存關(guān)系(圖片來源:產(chǎn)總研、東北大學(xué))

此外,關(guān)于6μm的Micro LED,當(dāng)電流密度為5A/cm2時(shí),比較了采用兩種技術(shù)后的發(fā)光效率。結(jié)果,利用中性粒子光束蝕刻技術(shù)試做的產(chǎn)品的發(fā)光效率幾乎是ICP蝕刻技術(shù)的5倍。

利用新技術(shù)和傳統(tǒng)技術(shù)試做的GaN Micro LED 的發(fā)光效率的比較(圖片來源:產(chǎn)總研、東北大學(xué))

若使用6μm的Micro LED,顯示屏的分辨率就會(huì)超過2000像素(Pixel)/英寸,那么就可以應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(shí)(AR)、擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)(XR)的頭戴式顯示屏(Head Mount Display)等用途。

與傳統(tǒng)的液晶屏、有機(jī)EL顯示屏相比,Micro LED 顯示屏的功耗不及它們的1/10,輝度是它們1萬多倍,分辨率是它們的10倍左右。此次開發(fā)的Micro LED的發(fā)光色為藍(lán)色。今后,計(jì)劃制作綠色、紅色的Micro LED,并實(shí)現(xiàn)全彩色(Full Color)的Micro LED顯示屏。

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原文標(biāo)題:東北大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)出低電流下也可高效發(fā)光的GaN Micro LED!

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