荷蘭時間2019年7月17日，ASML Holding N.V.（ASML）公布了2019年第二季度財報

第二季度凈銷售額（net sales）為26億歐元，凈收入（net income）為4.76億歐元，毛利率（gross margin）為43.0％。

ASML預計2019年第三季度的凈銷售額（net sales）約為30億歐元，毛利率（gross margin）在43％至44％之間。

值得注意的市ASML二季度收到10臺EUV系統訂單，其中部分設備將被用于生產DRAM芯片。

CEO聲明

ASML總裁兼執(zhí)行長Peter Wennink表示 “ASML第二季度銷售額和毛利率高于預期，這得益于EUV系統制造效率提升和現場升級業(yè)務營收的增長，與第一季度相比我們已大幅排除之前的負面影響。

“在2019年下半年，我們看到內存芯片客戶需求趨弱，而邏輯芯片（Logic）客戶需求走強。我們預計邏輯芯片（Logic）客戶強勁的需求將彌補在內存芯片市場方面的需求減緩。邏輯芯片（Logic）市場的需求主要來自于客戶加速7奈米及以下先進制程節(jié)點的投資?！?/p>

“我們在第二季度收到了10臺EUV系統訂單，其中部分設備將被用于生產DRAM芯片。我們對于2019年的整體銷售目標維持不變，今年對于ASML來說仍是成長的一年?！?/p>

2019年第二季度產品和業(yè)務亮點

ASML持續(xù)強化EUV光刻系統NXE：3400C的量產效能，不僅在ASML廠內圓滿展示每小時曝光超過170片晶圓的實力，在客戶實際生產內存芯片的制造環(huán)境下，也成功達到每天曝光超過2,000片晶圓的成果。

ASML已同意將EUV光罩護膜 (pellicle) 組裝技術授權給日企三井化學公司 (Mitsui Chemicals)。未來，三井化學將能夠為我們的客戶提供大批量的光罩護膜組裝及銷售服務。同時，ASML將繼續(xù)與其合作伙伴共同開發(fā)下一代光罩護膜，持續(xù)提升EUV光罩護膜效能。

展望

展望2019年第三季度，ASML預估銷售凈額可達30億歐元，毛利率約在43~44%。研發(fā)費用約4.95億歐元，管理支出費用 (SG&A) 約1.25億歐元。ASML預估2019年的年化有效稅率約為9%。

ASML的客戶包括臺積電、三星、英特爾、美光等，從預估來看，下半年包括DRAM、NAND Flash等記憶體市場仍走弱，臺積電代工的邏輯芯片需求走強。

ASML今日發(fā)布2019年第2季財報，根據艾斯摩爾公布的資料顯示，2019 年第2 季的營收為26 億歐元，較第1 季的22.291 億歐元，上漲13.63%。凈收入4.76 億歐元，也較第1 季的3.55 億歐元，上漲34.08%。毛利率 43%，較第1 季的41.6%，成長1.4 個百分點。因上一季財報會議，艾司摩爾預估2019 年第2 季的營收將介于25.0 億至26.0 億歐元，毛利率則是預估在41% 到42% 之間，因此就公布的業(yè)績來看，整體表現優(yōu)于市場預期。

ASML 總裁暨執(zhí)行長Peter Wennink 表示，受惠于EUV 系統制造效率提升和現場升級業(yè)務營收的挹注，艾司摩爾2019 年第2 季的營收和毛利率都優(yōu)于先前財測。而對于2019 下半年，目前看到記憶體客戶需求趨弱，而邏輯客戶的需求走強。因此，預期邏輯芯片客戶的強勁需求，預計將可補償在記憶體市場方面的需求減緩。

Peter Wennink 強調，邏輯芯片市場的需求主要來自于客戶加速7 納米及以下先進制程節(jié)點的投資。而艾司摩爾在2019 年第2 季總計接獲10 臺EUV 極紫外光系統的訂單。當中有部分將被用于生產DRAM 芯片。至于，面對當前市場諸多不確定因素下，艾司摩爾2019 年的整體營收目標將維持不變，2019 年對艾司摩爾來說仍是成長的一年。

ASML在第2季接獲10臺EUV極紫外光系統的訂單，當中有部分將被用于生產DRAM芯片。公司對2019年的整體營收目標維持不變，今年對于ASML來說仍是成長的1年。

此外，ASML 已同意將EUV 光罩護膜(pellicle) 組裝技術，授權給日商三井化學，未來三井化學將能為ASML 客戶，提供大量的組裝與光罩護膜銷售。同時，ASML 將繼續(xù)與其合作伙伴，共同開發(fā)下一代光罩護膜，持續(xù)改善EUV 光罩護膜效能。

ASML正在研發(fā)下一代EUV***：性能提升70%

EUV***未來還能怎么發(fā)展？2016年ASML公司宣布斥資20億美元收購德國蔡司公司25%的股份，并投資數億美元合作研發(fā)新一代透鏡，而ASML這么大手筆投資光學鏡頭公司就是為了研發(fā)新一代EUV***。

日前韓媒報道稱，ASML公司正積極投資研發(fā)下一代EUV***，與現有的***相比，二代EUV***最大的變化就是High NA（高數值孔徑）透鏡，通過提升透鏡規(guī)格使得新一代***的微縮分辨率、套準精度兩大***核心指標提升70%，達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。

在這個問題上，ASML去年10月份就宣布與IMEC比利時微電子中心合作研發(fā)新一代EUV***，目標是將NA從0.33提升到0.5以上，而從***的分辨率公式——***分辨率=k1*λ/NA中可以看出，NA數字越大，***分辨率越高，所以提高NA數值孔徑是下一代EUV***的關鍵，畢竟現在EUV極紫外光已經提升過一次了。

之前ASML公布的新一代EUV***的量產時間是2024年，不過最新報道稱下一代EUV***是2025年量產，這個時間上臺積電、三星都已經量產3nm工藝了，甚至開始進軍2nm、1nm節(jié)點了。