向欣電子文章

• TEC半導(dǎo)體制冷器結(jié)構(gòu)解讀及工作原理研究2026-03-20 08:33

  

  TEC半導(dǎo)體制冷器的核心原理是‌帕爾帖效應(yīng)‌——當直流電通過由N型和P型半導(dǎo)體材料組成的電偶對時，一端會吸收熱量（冷端），另一端會釋放熱量（熱端），從而實現(xiàn)無機械運動的固態(tài)制冷。這一現(xiàn)象由法國物理學(xué)家讓·查爾斯·珀爾帖于1834年發(fā)現(xiàn)，其本質(zhì)是電荷載流子（電子和空穴）在不同能級半導(dǎo)體材料界面處發(fā)生能量轉(zhuǎn)移：電流從低能級流向高能級時吸熱，反之則放熱。與傳統(tǒng)壓縮

  TEC 制冷器 半導(dǎo)體 46瀏覽量

• 中篇?實戰(zhàn)篇：十大核心新材料賽道產(chǎn)業(yè)化全景拆解2026-03-20 07:31

  

  本文內(nèi)容源自《2026新材料行業(yè)與技術(shù)前沿發(fā)展趨勢》報告第4章「典型新材料發(fā)展趨勢：核心賽道產(chǎn)業(yè)化進展與前景」、第5章「新材料核心技術(shù)前沿趨勢：研發(fā)范式變革與技術(shù)突破方向」，為全文核心主體內(nèi)容。承接上篇《定調(diào)篇》獨家提出的「堡壘材料、主權(quán)材料、融合材料」三大戰(zhàn)線框架，基

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• 15W高導(dǎo)熱墊片助力解決智駕卡頓之痛 | 晟鵬科技2026-03-18 13:33

  

  智能駕駛時代，芯片散熱成關(guān)鍵挑戰(zhàn)智駕產(chǎn)業(yè)已從“參數(shù)營銷的狂歡”步入“用戶體驗為王的理性回歸期”，功能實用性、安全可靠性、場景覆蓋度成為用戶決策的核心要素。隨著汽車智能化加速發(fā)展，高算力智駕芯片成為智能駕駛系統(tǒng)的“最強大腦”，承擔著感知（識別行人、車輛、交通標識）、決策（規(guī)劃行駛路徑）、控制（調(diào)節(jié)油門、剎車、轉(zhuǎn)向）等核心任務(wù)。目前智駕芯片慢慢從SoC、SIP轉(zhuǎn)

  智能駕駛 智駕芯片 芯片散熱 220瀏覽量

• 上篇|定調(diào)篇?中國新材料的全球格局與三大核心戰(zhàn)線2026-03-18 09:50

  

  本文所有內(nèi)容、數(shù)據(jù)與核心觀點，均來自《2026新材料行業(yè)與技術(shù)前沿發(fā)展趨勢》原創(chuàng)報告，完整無刪減PPT原版可在文末獲取。開篇：所有卡脖子的盡頭，全是材料工信部2019年調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，我國130多種關(guān)鍵戰(zhàn)略材料中，32%處于完全空白，52%長期依賴進口。智能終端處理器核心

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• 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)與工程實踐2026-03-17 09:02

  

  在電力電子行業(yè)向高效化、高功率密度轉(zhuǎn)型的背景下，碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表，正憑借其優(yōu)異的物理特性重塑功率器件市場格局。電子聚焦新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET系列器件，致力于推動國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級。當前，SiCMOSFET器件展

  SiC 功率器件 碳化硅 215瀏覽量

• 人形機器人關(guān)節(jié)模組電機技術(shù)方案全景深洞察：軸向磁通、球形關(guān)節(jié)、一體化伺服系統(tǒng)2026-03-16 08:41

  

  以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關(guān)于人形機器人關(guān)節(jié)模組電機技術(shù)系統(tǒng)性調(diào)研-文字原創(chuàng)，素材來源：小象電動,安徽大學(xué),YASA、Traxial、BEYOND-本篇為知識星球節(jié)選，完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布導(dǎo)語：隨著AI大模型的日漸成熟，人形機器人也從原先的遙不可及逐步走向了產(chǎn)業(yè)化。談到人行機器人，更多地時候我們會關(guān)注大模型、靈巧手、整機品

  人形機器人 伺服系統(tǒng) 電機 221瀏覽量

• 如何選擇EMC吸波屏蔽濾波材料及經(jīng)典應(yīng)用2026-03-15 07:51

  

  隨著電子設(shè)備的性能和功能的提高，每個設(shè)備產(chǎn)生的熱量增加，有效地散發(fā)，消散和冷卻熱量很重要。對于5G智能手機和AR/VR設(shè)備等高性能移動產(chǎn)品，由于采用高性能IC和追求減輕重量的高度集成設(shè)計，導(dǎo)致散熱部件的安裝空間受到限制。限制了殼體內(nèi)部的安裝空間，因此利用高導(dǎo)熱墊片等TIM技術(shù)方案來更好地實現(xiàn)散熱。5G時代巨大數(shù)據(jù)流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的

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• 高性能散熱膜 | 助力直播神器隨行 WiFi X2026-03-14 07:52

  

  據(jù)報道，IT之家3月11日消息，在今日的華為鴻蒙智家技術(shù)溝通會上，華為隨行WiFiX正式發(fā)布。華為隨行WiFiX的宣傳語為“超級直播神器”，該產(chǎn)品已在2025年底首次亮相，適用于戶外直播和移動創(chuàng)作。華為隨行WiFiX宣稱是全球首款四發(fā)四收終端，支持1000Mbps上行峰值速率，以及5.3Gbps下行峰值速率。華為隨行WiFiX搭載隨行WiFi天線系統(tǒng)，內(nèi)置1

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• 鍵合率達95%！三菱電機推進 GaN-on-Diamond 新技術(shù)2026-03-12 10:01

  

  憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度，已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料?；贕aN的高電子遷移率晶體管（HEMT）目前已廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、移動通信、射頻功率放大器等關(guān)鍵領(lǐng)域，為高端電子設(shè)備的性能提升提供了重要支撐。然而，高功率運行場景下，GaNHEMT器件內(nèi)部會產(chǎn)生顯著的自熱效應(yīng)，過高的工作溫度

  GaN 三菱電機 氮化鎵 465瀏覽量

• AI筆記本電腦顯示屏導(dǎo)熱散熱材料應(yīng)用方案 | 晟鵬技術(shù)2026-03-11 08:31

  

  筆電作為“移動算力中心”，散熱邏輯與手機同源但規(guī)模更大、熱源更集中。以下是適配AI筆電（輕薄本/旗艦本）的屏幕端散熱全案，可直接作為供應(yīng)鏈技術(shù)溝通或產(chǎn)品規(guī)劃的參考基底。一、核心痛點與設(shè)計基準（旗艦級）維度痛點解析設(shè)計基準（目標值）熱源密度APU/CPU、高刷Mini-LED/OLED、充電IC屏體最高溫≤55℃，表面溫差≤3℃空間約束機身超?。?5-18mm

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