動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-09-18 21:51
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發(fā)布了文章 2025-09-18 15:01
未來半導(dǎo)體先進(jìn)封裝PSPI發(fā)展技術(shù)路線趨勢解析
PART.01先進(jìn)封裝通過縮短（I/O）間距與互聯(lián)長度，大幅提升I/O密度，成為驅(qū)動芯片性能突破的關(guān)鍵路徑。相較于傳統(tǒng)封裝，其核心優(yōu)勢集中體現(xiàn)在多維度性能升級與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新上：不僅能實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存帶寬、更優(yōu)的能耗比與性能表現(xiàn)，還可將芯片厚度做得更薄，同時支持多芯片集成、異質(zhì)集成及芯片間高速互聯(lián)，完美適配當(dāng)下半導(dǎo)體器件對高密度、高速度、低功耗的需求。在先進(jìn)封裝的技 -
發(fā)布了文章 2025-09-17 07:21
一文讀懂功率半導(dǎo)體DESAT保護(hù)的來龍去脈
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于功率電子系統(tǒng)Desat保護(hù)的解析-「SysPro電力電子」知識星球節(jié)選-原創(chuàng)文章，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語：在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET等開關(guān)器件的安全運(yùn)行至關(guān)重要。其中，Desat保護(hù)作為一種關(guān)鍵的安全保護(hù)機(jī)制，對于防止器件因過載或短路而損1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-16 08:20
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發(fā)布了文章 2025-09-16 06:30
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發(fā)布了文章 2025-09-15 06:00
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發(fā)布了文章 2025-09-14 18:42
ABF膠膜：半導(dǎo)體封裝的“隱形核心”與國產(chǎn)突圍戰(zhàn)（附投資邏輯）
在人工智能、5G通信、高性能計(jì)算和自動駕駛技術(shù)飛速發(fā)展的今天，芯片已成為推動全球科技進(jìn)步的核心引擎。然而，在每一顆高端芯片的背后，都離不開一項(xiàng)被稱為“隱形核心”的關(guān)鍵材料——ABF膠膜（AjinomotoBuild-upFilm）。這種由日本味之素公司幾乎壟斷的環(huán)氧樹脂基絕緣薄膜，雖不為人熟知，卻是實(shí)現(xiàn)芯片高密度互1.1w瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-12 06:32
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發(fā)布了文章 2025-09-09 07:20
散熱底板對 IGBT 模塊功率循環(huán)老化壽命的影響
摘要：功率半導(dǎo)體模塊通常采用減小結(jié)殼熱阻的方式來降低工作結(jié)溫，集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效選擇。兩種封裝結(jié)構(gòu)的熱阻抗特性不同，可能對其失效機(jī)理及應(yīng)用壽命產(chǎn)生影響。該文針對平板基板和集成Pin-Fin基板兩種常見車規(guī)級IGBT模塊進(jìn)行了相同熱力測試條件（結(jié)溫差100K，最高結(jié)溫150℃）下的功率循環(huán)試驗(yàn)，結(jié)果表明，散熱更強(qiáng)的Pin-Fin模塊功2.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-07 09:21
導(dǎo)熱 vs. 散熱：別再傻傻分不清楚！
1一字之差，本質(zhì)大不同在材料科學(xué)與熱管理領(lǐng)域，“導(dǎo)熱”與“散熱”是緊密關(guān)聯(lián)卻又截然不同的兩個概念，很多人常常將二者混淆，在實(shí)際應(yīng)用中，準(zhǔn)確理解它們的差異至關(guān)重要，這關(guān)系到電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備等能否穩(wěn)定高效運(yùn)行。下面，我們就來深入剖析一下導(dǎo)熱與散熱的區(qū)別。No.1導(dǎo)熱導(dǎo)熱是一個在介質(zhì)內(nèi)部進(jìn)行熱量傳遞的過程，就像是一場微觀粒子間的“接力賽”。在這個過程中，熱量借助
