動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-18 21:03

  LED支架鍍層結構觀察：手工磨樣、氬離子拋光、FIB三種方法大PK

  

  制樣方式由于切片分析可以獲取到豐富的樣品內部微觀結構信息，因此被金鑒實驗室廣泛應用于LED支架結構觀察。例如：支架鍍層的厚度與均勻度，鍍層內部質量、鍍層晶體結構和形貌、基材的材質與質量，無一不關乎到LED使用壽命。1.手工機械研磨樣雖價格便宜可觀察區(qū)域面積大，但由于其受到硬度、延展性等材料性能的影響，做出來的截面常常有變形、磨痕、脫落、褶皺、熱損傷等特性，產

  fib led

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• 發(fā)布了文章 2025-07-17 16:07

  FIB-SEM的常用分析方法

  

  聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）是一種集多種先進技術于一體的微觀分析儀器，其工作原理基于離子束與電子束的協(xié)同作用。掃描電子顯微鏡（SEM）工作機制掃描電子顯微鏡（SEM）的核心成像邏輯并非傳統(tǒng)透射電鏡（TEM）所依賴的多級電磁透鏡放大，而是以極細的電子探針在樣品表面執(zhí)行“光柵式”逐點逐行掃描。電子槍產生的初始電子束經2–3級電磁透鏡聚焦，最終形成直徑可小

  fib SEM 分析儀器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-17 16:06

  AEC-Q102之什么是錫須生長？

  

  AEC-Q102標準是由汽車電子委員會制定的一系列嚴格規(guī)范，目的是確保汽車使用的電子元件能夠在嚴酷的工作環(huán)境中保持高度的可靠性和性能穩(wěn)定性。在這些規(guī)范中，錫須測試占據了至關重要的地位，它專門用來評估電子元件在預期服務壽命期間產生錫須的潛在可能性。錫須測試對于維護汽車電子系統(tǒng)的安全性和可靠性是必不可少的，它幫助確保元件在面對高溫、濕度和其他環(huán)境壓力時不會發(fā)生故

  AEC 汽車電子 錫須

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• 發(fā)布了文章 2025-07-17 16:04

  深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——熱阻

  

  什么是熱阻即熱量？熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質或介質間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W。可以用一個類比來解釋，如果熱量相當于電流，溫差相當于電壓，則熱阻相當于電阻。通常，LED器件在應用中，結構熱阻分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的熱阻，熱阻通道成串聯(lián)關系

  led 熱阻

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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 16:00

  什么是聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）？

  

  工作原理聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）是一種集多種先進技術于一體的微觀分析儀器，其工作原理基于離子束與電子束的協(xié)同作用。1.離子束原理離子束部分的核心是液態(tài)金屬離子源，通常使用鎵離子。在強電場的作用下，鎵離子被拉出并加速，形成高能量密度的離子束流。當這些離子束轟擊樣品表面時，會與樣品原子相互作用，產生二次電子、背散射離子等信號。其中，二次電子信號可用于

  SEM 掃描電鏡 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 15:56

  為什么有的芯片是正電極更熱，有的芯片是負電極更熱？

  

  案例分析（一）有的芯片是正電極更熱，有的芯片是負電極更熱！以下為兩個廠家22mil*35mil尺寸大小芯片光熱分布的對比。對于該尺寸大功率正裝芯片，電流在芯片中橫向擴展的路徑較長，導致電流聚集效應更加明顯，因此必須具備合理的電極圖形設計以及較好的歐姆接觸特性，才能使注入電流在LED芯片的有源層中均勻分布。目前許多與大功率LED芯片制造相關的關鍵技術問題還有待

  電極 電流 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-07-14 17:37

  為什么LED芯片正電極要插入二氧化硅電流阻擋層，而負極沒有？

  

  為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋層？回答：LED芯片正極如果沒有二氧化硅阻擋層，芯片會出現(xiàn)電流分布不均，電流擁擠效應，電極燒毀等現(xiàn)象。由于藍寶石的絕緣性，傳統(tǒng)LED的N和P電極都做在芯片出光面的同一側，電流需橫向流動。此結構的問題是摻Mg的P型GaN層電導率遠低于N型GaN層，電流橫向流動時的電阻較高，使得電流密度大的區(qū)域主要集中在正電極下方及附近，出現(xiàn)正

  fib LED芯片 電流

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• 發(fā)布了文章 2025-07-11 19:17

  聚焦離子束（FIB）技術在半導體中的應用與操作指導

  

  聚焦離子束（FIB）技術作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導體行業(yè)具有不可替代的重要地位。它通過聚焦離子束直接在材料上進行操作，無需掩模，能夠實現(xiàn)納米級精度的成像和修改，特別適合需要高精度的任務。金鑒實驗室作為專注于材料分析領域的科研檢測機構，能夠對FIB進行嚴格的檢測，致力于為客戶提供高質量的測試服務，為產品在各個領域的可靠應用提供堅實的質量保障。F

  fib 半導體 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-07-10 16:01

  利用透射電子顯微鏡（TEM）能夠觀察到什么？

  

  超高分辨率形貌與結構信息1.微觀形貌TEM能夠直接觀察樣品的微觀結構，包括顆粒的形狀、大小、分布、表面特征、孔洞以及缺陷（如位錯、層錯、晶界、相界等）。這些信息對于理解材料的基本性質和性能至關重要。例如，在納米材料的研究中，顆粒的形狀和大小直接影響其催化活性、光學性質和電學性質。通過TEM觀察，可以清晰地看到納米顆粒的均勻性、團聚情況以及表面修飾的效果，從而

  TEM 電子顯微鏡

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• 發(fā)布了文章 2025-07-09 15:14

  EBSD在織構分析中的作用

  

  微觀結構的重要性組織結構是指構成材料的微觀結構，這些結構包括但不限于晶粒的大小、形狀、分布以及晶粒的取向等。這些微觀特征直接影響材料的宏觀性能，如強度、韌性、導電性、熱導率等。因此，深入理解材料的組織結構對于材料的設計、加工和應用至關重要。晶體取向晶體取向是組織結構研究中的一個核心概念。晶體取向描述的是晶體中晶胞的特定方向與空間坐標軸之間的相對位置關系。晶胞

  材料 結構

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