動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-08-18 21:21

  淺談透射電子顯微分析方法（TEM）大全

  

  一、什么是TEM?透射電子顯微鏡是利用波長(zhǎng)較短的電子束作為照明源，利用電磁透鏡進(jìn)行聚焦成像的高分辨本領(lǐng)和高放大倍數(shù)電子光學(xué)儀器。二、透射電子顯微鏡成像方式由電子槍發(fā)射高能、高速電子束；經(jīng)聚光鏡聚焦后透射薄膜或粉末樣品；透射電子經(jīng)過(guò)成像透鏡系統(tǒng)成像；激發(fā)熒光屏顯示放大圖像；專用底片/數(shù)字暗室記錄帶有內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息的高分辨圖像；主要性能一：微區(qū)物相分析TEM時(shí)中間

  TEM 電子顯微鏡 電子束

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• 發(fā)布了文章 2025-08-18 21:17

  RoHS新國(guó)標(biāo)發(fā)布：PBB/PBDE管控再?gòu)?qiáng)化

  

  中國(guó)RoHS的首個(gè)強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB26572-2025已于2025年8月1日正式發(fā)布169，并將于2027年8月1日正式實(shí)施，全面替代之前的推薦性標(biāo)準(zhǔn)GB/T26572-2011。新標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施后，PBB（多溴聯(lián)苯）和PBDE（多溴二苯醚）作為被嚴(yán)格管控的有害物質(zhì)，其限值維持0.1%，與歐盟RoHS指令一致，但監(jiān)管力度從“部分目錄”升級(jí)為“全品類覆蓋”，使得相

  RoHS 檢測(cè)

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• 發(fā)布了文章 2025-08-15 14:03

  如何用FIB截面分析技術(shù)做失效分析？

  

  在半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造領(lǐng)域，失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié)，F(xiàn)IB（聚焦離子束）截面分析，作為失效分析的利器，在微觀世界里大顯身手。它運(yùn)用離子束精準(zhǔn)切割樣品，巧妙結(jié)合電子束成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高分辨率觀察，尤其擅長(zhǎng)處理微小、復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)。什么是截面分析？截面分析是失效分析中的一種重要方法，而使用雙束聚焦離子束-掃描電鏡（FIB-SEM）則是截面分析

  fib 半導(dǎo)體器件 失效分析

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• 發(fā)布了文章 2025-08-15 13:59

  怎么找出PCB光電元器件失效問(wèn)題

  

  在電子信息產(chǎn)品中，PCB作為元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵樞紐，其質(zhì)量與可靠性對(duì)整機(jī)設(shè)備起著決定性作用。隨著產(chǎn)品小型化及環(huán)保要求的提升，PCB正向高密度、高Tg和環(huán)保方向發(fā)展。然而，受成本和技術(shù)限制，PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用中常出現(xiàn)失效，引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問(wèn)題并明確責(zé)任，失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務(wù)是基于失效

  pcb PCB 元器件 失效分析

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• 發(fā)布了文章 2025-08-14 11:24

  FIB - SEM 技術(shù)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的實(shí)踐應(yīng)用

  

  在半導(dǎo)體芯片的研發(fā)與失效分析環(huán)節(jié)，聚焦離子束雙束系統(tǒng)（FIB-SEM）憑借其獨(dú)特的功能，逐漸成為該領(lǐng)域的核心技術(shù)工具。簡(jiǎn)而言之，這一系統(tǒng)將聚焦離子束（FIB）的微加工優(yōu)勢(shì)與掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像能力相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了加工與觀測(cè)的高效協(xié)同，為芯片技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步提供了堅(jiān)實(shí)保障。技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)FIB-SEM雙束系統(tǒng)由FIB模塊、SEM模塊以及多軸樣

  fib SEM 半導(dǎo)體芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-08-14 11:23

  EBSD制樣不通用！一文讀懂不同材料的EBSD制樣方法

  

  EBSD技術(shù)的重要地位與樣品制備基礎(chǔ)經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展以來(lái)，電子背散射衍射技術(shù)（EBSD）便在金屬材料研究領(lǐng)域嶄露頭角，成為不可或缺的關(guān)鍵工具，有力地促進(jìn)了材料科學(xué)研究的持續(xù)進(jìn)展。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為專注于材料分析領(lǐng)域的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，憑借其先進(jìn)的EBSD分析設(shè)備和豐富的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，能夠?yàn)榭蛻籼峁└哔|(zhì)量的材料晶體結(jié)構(gòu)與取向分析服務(wù)，助力材料科學(xué)研究的深入開(kāi)展。EBSD技術(shù)的

  檢測(cè) 金屬材料

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• 發(fā)布了文章 2025-08-13 14:02

  顯微紅外光譜（Micro-FTIR）在異物分析中的應(yīng)用

  

  顯微紅外光譜法1.簡(jiǎn)介：顯微紅外光譜技術(shù)融合了紅外光譜與顯微鏡的功能。其核心原理是分子振動(dòng)會(huì)導(dǎo)致偶極矩變化，當(dāng)分子振動(dòng)頻率與紅外光頻率匹配時(shí)，分子會(huì)吸收紅外光能量，形成獨(dú)特的紅外吸收光譜，類似于人類的指紋。通過(guò)顯微鏡對(duì)樣品微小區(qū)域進(jìn)行定位，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)微量有機(jī)污染物的精確分析。2.優(yōu)勢(shì)：（1）靈敏度高，檢測(cè)限可低至10納克，幾納克的樣品就能獲得很好的紅外光譜圖

  FTIR 光譜

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• 發(fā)布了文章 2025-08-12 14:42

  IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器：電力電子系統(tǒng)的核心組件

  

  在電力電子行業(yè)，隨著對(duì)功率電平和開(kāi)關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，成為中高功率開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器作為控制和驅(qū)動(dòng)IGBT的核心器件，其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端：信號(hào)接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動(dòng)

  IGBT 電子系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2025-08-12 14:41

  EDS 與 XPS 的系統(tǒng)性差異：從原理到應(yīng)用

  

  分析原理的再闡釋1.EDS的能量色散機(jī)制EnergyDispersiveX-raySpectroscopy（EDS）以高能電子束為激發(fā)源。電子束轟擊樣品后，原子內(nèi)殼層電子被逐出，外層電子躍遷填補(bǔ)空位并釋放特征X射線。探測(cè)器直接采集這些X射線的能量-強(qiáng)度分布，形成能譜圖；橫軸為能量（keV），縱軸為計(jì)數(shù)。定量計(jì)算通過(guò)對(duì)特征峰面積與標(biāo)準(zhǔn)曲線比對(duì)完成，例如CuKα

  EDS XPS 電子束

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• 發(fā)布了文章 2025-08-08 11:46

  常見(jiàn)的氣候環(huán)境試驗(yàn)有哪些？

  

  氣候環(huán)境試驗(yàn)是模擬自然氣候條件對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行的測(cè)試，旨在評(píng)估產(chǎn)品在各種氣候應(yīng)力作用下的性能表現(xiàn)。這些氣候應(yīng)力包括溫度、濕度、陽(yáng)光、雨淋、沙塵、低氣壓、微生物等。以下是常見(jiàn)的氣候環(huán)境試驗(yàn)項(xiàng)目：高溫試驗(yàn)高溫試驗(yàn)是氣候環(huán)境試驗(yàn)中最常見(jiàn)的項(xiàng)目之一，主要用于檢驗(yàn)產(chǎn)品在高溫條件下持續(xù)工作或存儲(chǔ)后的性能。例如，高溫可能導(dǎo)致電子元件的性能下降、材料的老化加速、機(jī)械部件的熱膨脹等

  環(huán)境 電子產(chǎn)品 電子元件

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