金鑒實驗室文章

• LED芯片越亮，發(fā)熱量越大，還是芯片越暗，發(fā)熱量越大？2025-07-21 16:16

  

  LED芯片越亮，發(fā)熱量越大，還是芯片越暗，發(fā)熱量越大？遇到這個問題，相信很多人都會認(rèn)為是芯片越暗，發(fā)熱量越大，因為更多都能量轉(zhuǎn)化成了熱能。但是，事實并非如此，LED芯片越亮，發(fā)熱量可能越大，也可能會越小，這是因為電流密度大小會決定芯片的光功率和熱功率大小，同時溫度也會影響芯片的發(fā)光效率。那么應(yīng)該如何分析LED芯片的發(fā)光發(fā)熱性能并加以利用？下面我們將通過金鑒顯

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• SEM與TEM該如何選擇?2025-07-18 21:05

  

  掃描電鏡（SEM）把細(xì)束電子像畫筆一樣在樣品表面來回掃描，電子與表層原子短暫碰撞后，釋放出二次電子或背散射電子。探測器把這些信號逐點收集、放大，最后在屏幕上拼成一幅二維強(qiáng)度圖。因為作用深度只有幾納米，SEM的圖像顆粒輪廓、裂紋走向、元素襯度一目了然。透射電鏡（TEM）則讓高能電子直接“穿墻而過”。只有當(dāng)樣品被削到百納米以下，電子才能帶著晶格間距、厚度、缺陷密

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• LED支架鍍層結(jié)構(gòu)觀察：手工磨樣、氬離子拋光、FIB三種方法大PK2025-07-18 21:03

  

  制樣方式由于切片分析可以獲取到豐富的樣品內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)信息，因此被金鑒實驗室廣泛應(yīng)用于LED支架結(jié)構(gòu)觀察。例如：支架鍍層的厚度與均勻度，鍍層內(nèi)部質(zhì)量、鍍層晶體結(jié)構(gòu)和形貌、基材的材質(zhì)與質(zhì)量，無一不關(guān)乎到LED使用壽命。1.手工機(jī)械研磨樣雖價格便宜可觀察區(qū)域面積大，但由于其受到硬度、延展性等材料性能的影響，做出來的截面常常有變形、磨痕、脫落、褶皺、熱損傷等特性，產(chǎn)

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• FIB-SEM的常用分析方法2025-07-17 16:07

  

  聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）是一種集多種先進(jìn)技術(shù)于一體的微觀分析儀器，其工作原理基于離子束與電子束的協(xié)同作用。掃描電子顯微鏡（SEM）工作機(jī)制掃描電子顯微鏡（SEM）的核心成像邏輯并非傳統(tǒng)透射電鏡（TEM）所依賴的多級電磁透鏡放大，而是以極細(xì)的電子探針在樣品表面執(zhí)行“光柵式”逐點逐行掃描。電子槍產(chǎn)生的初始電子束經(jīng)2–3級電磁透鏡聚焦，最終形成直徑可小

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• AEC-Q102之什么是錫須生長？2025-07-17 16:06

  

  AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)是由汽車電子委員會制定的一系列嚴(yán)格規(guī)范，目的是確保汽車使用的電子元件能夠在嚴(yán)酷的工作環(huán)境中保持高度的可靠性和性能穩(wěn)定性。在這些規(guī)范中，錫須測試占據(jù)了至關(guān)重要的地位，它專門用來評估電子元件在預(yù)期服務(wù)壽命期間產(chǎn)生錫須的潛在可能性。錫須測試對于維護(hù)汽車電子系統(tǒng)的安全性和可靠性是必不可少的，它幫助確保元件在面對高溫、濕度和其他環(huán)境壓力時不會發(fā)生故

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• 深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——熱阻2025-07-17 16:04

  

  什么是熱阻即熱量？熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W。可以用一個類比來解釋，如果熱量相當(dāng)于電流，溫差相當(dāng)于電壓，則熱阻相當(dāng)于電阻。通常，LED器件在應(yīng)用中，結(jié)構(gòu)熱阻分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的熱阻，熱阻通道成串聯(lián)關(guān)系

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• 什么是聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）？2025-07-15 16:00

  

  工作原理聚焦離子束掃描電鏡（FIB-SEM）是一種集多種先進(jìn)技術(shù)于一體的微觀分析儀器，其工作原理基于離子束與電子束的協(xié)同作用。1.離子束原理離子束部分的核心是液態(tài)金屬離子源，通常使用鎵離子。在強(qiáng)電場的作用下，鎵離子被拉出并加速，形成高能量密度的離子束流。當(dāng)這些離子束轟擊樣品表面時，會與樣品原子相互作用，產(chǎn)生二次電子、背散射離子等信號。其中，二次電子信號可用于

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• 為什么有的芯片是正電極更熱，有的芯片是負(fù)電極更熱？2025-07-15 15:56

  

  案例分析（一）有的芯片是正電極更熱，有的芯片是負(fù)電極更熱！以下為兩個廠家22mil*35mil尺寸大小芯片光熱分布的對比。對于該尺寸大功率正裝芯片，電流在芯片中橫向擴(kuò)展的路徑較長，導(dǎo)致電流聚集效應(yīng)更加明顯，因此必須具備合理的電極圖形設(shè)計以及較好的歐姆接觸特性，才能使注入電流在LED芯片的有源層中均勻分布。目前許多與大功率LED芯片制造相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)問題還有待

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• 為什么LED芯片正電極要插入二氧化硅電流阻擋層，而負(fù)極沒有？2025-07-14 17:37

  

  為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋層？回答：LED芯片正極如果沒有二氧化硅阻擋層，芯片會出現(xiàn)電流分布不均，電流擁擠效應(yīng)，電極燒毀等現(xiàn)象。由于藍(lán)寶石的絕緣性，傳統(tǒng)LED的N和P電極都做在芯片出光面的同一側(cè)，電流需橫向流動。此結(jié)構(gòu)的問題是摻Mg的P型GaN層電導(dǎo)率遠(yuǎn)低于N型GaN層，電流橫向流動時的電阻較高，使得電流密度大的區(qū)域主要集中在正電極下方及附近，出現(xiàn)正

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• 聚焦離子束（FIB）技術(shù)在半導(dǎo)體中的應(yīng)用與操作指導(dǎo)2025-07-11 19:17

  

  聚焦離子束（FIB）技術(shù)作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導(dǎo)體行業(yè)具有不可替代的重要地位。它通過聚焦離子束直接在材料上進(jìn)行操作，無需掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)納米級精度的成像和修改，特別適合需要高精度的任務(wù)。金鑒實驗室作為專注于材料分析領(lǐng)域的科研檢測機(jī)構(gòu)，能夠?qū)IB進(jìn)行嚴(yán)格的檢測，致力于為客戶提供高質(zhì)量的測試服務(wù)，為產(chǎn)品在各個領(lǐng)域的可靠應(yīng)用提供堅實的質(zhì)量保障。F

  fib 半導(dǎo)體 離子束 295瀏覽量