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• 選型手冊(cè)：VSE025N10HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 16:36

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(

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• 選型手冊(cè)：VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 15:32

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術(shù)實(shí)現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（

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• 選型手冊(cè)：VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 15:07

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

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• 選型手冊(cè)：VS4401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 11:10

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.4mΩ極致低導(dǎo)通電阻與400A大電流承載能力，適用于低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V

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• 選型手冊(cè)：VS3620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-01 11:02

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

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• 選型手冊(cè)：VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:14

  

  選型手冊(cè)：VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.0mΩ極致低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOS

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• 選型手冊(cè)：VS8402ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:10

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電流承載能力，適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通

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• 選型手冊(cè)：VS3618BE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:07

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）

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• 選型手冊(cè)：VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 12:03

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管 117瀏覽量

• 選型手冊(cè)：VS3510AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-11-28 11:22

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

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