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深圳市首質(zhì)誠科技有限公司文章

  • 選型手冊:MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-19 15:15

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
    MOS 仁懋電子 晶體管 131瀏覽量
  • 選型手冊:MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-19 11:15

    仁懋電子(MOT)推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓,適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{
    MOS 仁懋電子 晶體管 211瀏覽量
  • 選型手冊:MOT13N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-19 10:24

    仁懋電子(MOT)推出的MOT13N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、100%雪崩測試驗(yàn)證及500V耐壓,適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(o
    MOS 仁懋電子 晶體管 167瀏覽量
  • 選型手冊:MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 16:08

    選型手冊:MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子(MOT)推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓
    MOS 仁懋電子 晶體管 274瀏覽量
  • 選型手冊:MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 16:04

    仁懋電子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載能力及先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì),適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):1
    MOS 仁懋電子 晶體管 236瀏覽量
  • 選型手冊:MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 15:58

    仁懋電子(MOT)推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機(jī)等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)
    MOS 仁懋電子 晶體管 171瀏覽量
  • 選型手冊:MOT65R180HF N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 15:39

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道超級結(jié)功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_
    MOS 仁懋電子 晶體管 129瀏覽量
  • 選型手冊:MOT65R380F N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 15:32

    仁懋電子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET,憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道超級結(jié)功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓功率轉(zhuǎn)換場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{
    MOS 仁懋電子 晶體管 133瀏覽量
  • 選型手冊:MOT4633G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管2025-11-17 14:43

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4633G是一款N+P互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET,集成N溝道與P溝道單元,憑借先進(jìn)溝槽設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻及低熱阻特性,適用于電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N+P互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET(同時(shí)集成N溝道與P溝道單元)核心參數(shù):N溝道:漏源耐壓(\(BV_{DSS}\)):40V;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on
    MOS 仁懋電子 晶體管 124瀏覽量
  • 選型手冊:MOT2N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-17 14:37

    仁懋電子(MOT)推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性,適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_
    MOS 仁懋電子 晶體管 144瀏覽量