深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司文章

• 選型手冊(cè)：MOT30150F（MBR30150F）肖特基勢(shì)壘整流二極管2025-11-12 09:48

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT30150F（MBR30150F）是一款30A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管，憑借150V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性，適用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：肖特基勢(shì)壘整流二極管核心參數(shù)：峰值反向耐壓（\(V_{RRM}\)）：150V（典型值），最小測(cè)試值160V；平均整流輸出電流（\(I_

  MOS 二極管 仁懋電子 235瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT7N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-12 09:34

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及700V耐壓，廣泛適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{

  MOS 仁懋電子 晶體管 143瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-11 09:34

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)（電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車機(jī)器人）等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（

  MOS MOSFET 仁懋電子 118瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT3145J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-11 09:29

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)及筆記本電腦電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場(chǎng)

  MOS 仁懋電子 晶體管 134瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-11 09:23

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開(kāi)關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓，廣泛適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

  MOS 仁懋電子 晶體管 138瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-11 09:18

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器、大功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等）。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通

  MOS 仁懋電子 晶體管 154瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET2025-11-10 16:17

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

  MOS MOSFET 仁懋電子 204瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET2025-11-10 16:12

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

  MOSFET MOT 仁懋電子 207瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-10 16:01

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）

  MOS 仁懋電子 晶體管 273瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-10 15:50

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電

  MOS 仁懋電子 晶體管 192瀏覽量