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深圳市首質(zhì)誠科技有限公司文章

  • 選型手冊:MOT2176D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-21 10:38

    仁懋電子(MOT)推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性,適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):20V,適配低壓大電流供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)
    MOS 仁懋電子 晶體管 114瀏覽量
  • 選型手冊:MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-21 10:31

    仁懋電子(MOT)推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET,憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于PWM應(yīng)用、負載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):-30V,適配低壓負電壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}
    MOS 仁懋電子 晶體管 149瀏覽量
  • 選型手冊:MOT6929G N+N 增強型 MOSFET 晶體管2025-11-21 10:24

    仁懋電子(MOT)推出的MOT6929G是一款N+N增強型MOSFET,集成兩顆N溝道單元,憑借60V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于電動工具電機驅(qū)動、電動汽車機器人等大功率開關(guān)場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N+N增強型MOSFET(集成兩顆N溝道單元)核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配中低壓大電流供電場景;導(dǎo)通電阻(\(
    MOS 仁懋電子 晶體管 133瀏覽量
  • 選型手冊:MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-20 16:22

    仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS
    MOS 仁懋電子 晶體管 216瀏覽量
  • 選型手冊:MOT6568J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-20 16:15

    仁懋電子(MOT)推出的MOT6568J是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性,適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\
    MOS 仁懋電子 晶體管 203瀏覽量
  • 選型手冊:MOT6515J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-20 16:06

    仁懋電子(MOT)推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性,適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓大電流供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)
    MOS 仁懋電子 晶體管 202瀏覽量
  • 選型手冊:MOT3180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-20 15:31

    仁懋電子(MOT)推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(o
    MOS 仁懋電子 晶體管 103瀏覽量
  • 選型手冊:MOT3510G N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-20 15:06

    仁懋電子(MOT)推出的MOT3510G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及高效散熱封裝,適用于SMPS(開關(guān)模式電源)、通用用途電路、硬開關(guān)與高頻電路、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場
    MOS 仁懋電子 晶體管 118瀏覽量
  • 選型手冊:MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-19 15:25

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借先進溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性,適用于負載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場景;導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(
    MOS 仁懋電子 晶體管 135瀏覽量
  • 選型手冊:MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-19 15:21

    仁懋電子(MOT)推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
    MOS 仁懋電子 晶體管 158瀏覽量