chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司

致力打造一站式元器件采購平臺!

157 內(nèi)容數(shù) 3.2w 瀏覽量 0 粉絲

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司文章

  • 選型手冊:MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-17 11:27

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):40V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}
    MOS 仁懋電子 晶體管 147瀏覽量
  • 選型手冊:MOT3650J N+P 增強型 MOSFET 晶體管2025-11-14 16:12

    仁懋電子(MOT)推出的MOT3650J是一款N+P增強型MOSFET,集成N溝道與P溝道單元,憑借超低導通電阻、低柵極電荷特性,適用于計算設備電源管理、負載開關(guān)、快速無線充電、電機驅(qū)動等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N+P增強型MOSFET(同時集成N溝道與P溝道單元)核心參數(shù):N溝道:漏源耐壓(\(BV_{DSS}\)):30V;導通電阻(\(R_{D
    MOS 仁懋電子 晶體管 463瀏覽量
  • 選型手冊:MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-14 16:04

    仁懋電子(MOT)推出的MOT2718J是一款P-溝道增強型功率MOSFET,憑借-20V耐壓、低導通電阻及高效功率處理能力,適用于PWM應用、負載開關(guān)、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P-溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):-20V,適配低壓負電源供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{
    MOS 仁懋電子 晶體管 270瀏覽量
  • 選型手冊:MOT2514J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-14 15:51

    仁懋電子(MOT)推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借高密度單元設計實現(xiàn)的超低導通電阻,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本核心電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):20V,適配低壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{
    MOS 仁懋電子 晶體管 166瀏覽量
  • 選型手冊:MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-14 12:03

    仁懋電子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借2.8mΩ超低導通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統(tǒng))、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\
    MOS 仁懋電子 晶體管 124瀏覽量
  • 選型手冊:MBR30200W 肖特基勢壘整流二極管2025-11-13 09:35

    仁懋電子(MOT)推出的MBR30200W是一款30A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管,憑借200V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:肖特基勢壘整流二極管核心參數(shù):峰值反向耐壓(\(V_{RRM}\)):200V(典型值),最小測試值210V;平均整流輸出電流(\(I_o\)):30A(總電
  • 選型手冊:MBR40100W 肖特基勢壘整流二極管2025-11-13 09:30

    仁懋電子(MOT)推出的MBR40100W是一款40A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管,憑借100V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:肖特基勢壘整流二極管核心參數(shù):峰值反向耐壓(\(V_{RRM}\)):100V(典型值),最小測試值108V;平均整流輸出電流(\(I_o\)):40A(總電
  • 選型手冊:MOT12N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-12 14:19

    仁懋電子(MOT)推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R
    MOS 仁懋電子 晶體管 213瀏覽量
  • 選型手冊:MOT10N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-12 14:15

    仁懋電子(MOT)推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{DS(
    MOS 仁懋電子 晶體管 195瀏覽量
  • 選型手冊:MOT4511AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-12 14:10

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4511AF是一款面向450V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):450V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導通電阻(\(R_{D
    MOS 仁懋電子 晶體管 160瀏覽量