深圳市首質(zhì)誠科技有限公司文章

• 選型手冊：VS3618AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 16:52

  

  威兆半導體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_

  MOS MOSFET 晶體管 320瀏覽量

• 選型手冊：VS3698AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 16:41

  

  威兆半導體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術實現(xiàn)低導通電阻與高效能，憑借105A大電流承載能力，適用于低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、高功率負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\

  MOS 威兆半導體 晶體管 296瀏覽量

• 選型手冊：VS3633GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 14:53

  

  威兆半導體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于FastMOSII技術實現(xiàn)快速開關與高能量效率，憑借低導通電阻與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等中功率領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導

  MOS MOSFET 晶體管 132瀏覽量

• 選型手冊：VSP004N10MSC-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 14:48

  

  威兆半導體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術實現(xiàn)超低導通電阻與高效能，憑借1.00mΩ極致低阻、125A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、高功率電源管理系統(tǒng)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電

  MOS 仁懋電子 晶體管 120瀏覽量

• 選型手冊：VSP004N10MS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-27 14:42

  

  威兆半導體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于FastMOSII技術實現(xiàn)快速開關與高能量效率，憑借超低導通電阻與高可靠性，適用于中壓DC/DC轉換器、同步整流、電源管理系統(tǒng)等大電流領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，

  MOS 仁懋電子 晶體管 131瀏覽量

• 選型手冊：VSP007N12HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-26 15:24

  

  威兆半導體推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技術實現(xiàn)高效能與快速開關特性，憑借低導通電阻與高可靠性，適用于中壓DC/DC轉換器、同步整流、電源管理系統(tǒng)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：120V，適配中

  MOS 仁懋電子 晶體管 169瀏覽量

• 選型手冊：VS3618AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-26 15:21

  

  威兆半導體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，具備快速開關特性與高能量轉換效率，憑借低導通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等低壓大電流領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導通電阻（\(R_{

  MOS 仁懋電子 晶體管 156瀏覽量

• 選型手冊：VSP007P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-26 15:18

  

  威兆半導體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導通電阻與高電流承載能力，適用于負載開關、DC/DC轉換器、電源管理系統(tǒng)等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-60V，適配低壓負電壓供電場景；導通電阻（\(

  MOSFET 仁懋電子 晶體管 174瀏覽量

• 選型手冊：VSP003N10HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-26 15:13

  

  威兆半導體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持10V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術實現(xiàn)快速開關與高效能，適用于DC/DC轉換器、同步整流、電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導通

  MOS 仁懋電子 晶體管 172瀏覽量

• 選型手冊：VS4020AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管2025-11-26 14:55

  

  威兆半導體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓大電流供電場景；導通電阻（\(R_{DS(o

  MOSFET 仁懋電子 晶體管 161瀏覽量