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• 選型手冊(cè)：MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 16:01

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)等）。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS

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• 選型手冊(cè)：MOT5122T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 15:53

  

  選型手冊(cè)：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池管理系統(tǒng)（BMS）、無人機(jī)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：

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• 選型手冊(cè)：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 15:28

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V

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• 選型手冊(cè)：MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 12:10

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT15N50F為N溝道功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{DSS

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• 選型手冊(cè)：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 12:01

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高效電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息MOT1793G為P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）達(dá)-100V；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}

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• 選型手冊(cè)：MOT4025G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET2025-11-04 16:33

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道管，憑借40V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開關(guān)特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET（N溝道+P溝道）耐壓規(guī)格：漏源極耐壓（\(V_{DS}\)）均為40V導(dǎo)通電阻

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• 選型手冊(cè)：MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-04 15:59

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT4N65F為N溝道功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：6

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• 選型手冊(cè)：MOT13005DA NPN 硅晶體管2025-11-04 15:28

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT13005DA是一款NPN硅晶體管，憑借400V高耐壓、8A大電流及1700V擊穿能力，廣泛適用于熒光燈、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息核心參數(shù)：集電極-發(fā)射極耐壓（\(V_{CEO}\)）：400V集電極連續(xù)電流（\(I_C\)）：8A封裝形式：TO-220F

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• 選型手冊(cè)：MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-04 15:22

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息MOT9N50D為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：漏源極耐壓（\(V_{DSS

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• 選型手冊(cè)：MBR10200F 肖特基勢(shì)壘整流二極管2025-11-03 17:01

  

  仁懋電子（MOT）推出的MBR10200F是一款10A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管，憑借200V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性，適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息核心參數(shù)：峰值反向耐壓（\(V_{RRM}\)）：200V平均整流輸出電流（\(I_o\)）：10A（總電流）/5A

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