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旺材芯片

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半導(dǎo)體封裝是指什么?封裝過程是如何完成的

半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 09-29 10:36 ?3998次閱讀

發(fā)展功率半導(dǎo)體,IDM模式為王

功率半導(dǎo)體行業(yè)在電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展中占據(jù)重要地位,主要用于電力設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換和電路控制,是進(jìn)行電能處理的核....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 09-06 17:11 ?2288次閱讀

AMD Giglio DPU計(jì)劃于2023年推出

從那以后,AMD 收購了 Pensando 的 DPU ,我們終于開始了解顯卡的更多細(xì)節(jié)?,F(xiàn)在是 A....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 09-05 16:26 ?1973次閱讀

混合模擬數(shù)位IC當(dāng)?shù)?,模擬芯片市場的「4個(gè)最」

通訊領(lǐng)域每年有15億支手機(jī)需求,市場規(guī)模穩(wěn)定,約可造就300億美元的模擬(射頻前端、電源)芯片產(chǎn)值,....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-30 17:31 ?1912次閱讀

基于RISC-V技術(shù)的用于太空任務(wù)的下一代高可靠性處理器

Microchip 通過收購 Atmel 和 Microsemi 以及在法國的空間設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),從豐富的....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-23 15:39 ?1398次閱讀

硅光芯片如何連接到GPU?

我們隨后了解到 Dally 在 OFC 2022 上所做的上述演示,該演示非常具體地概述了使用密集波....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-19 10:31 ?2561次閱讀

巨頭眼里的存儲(chǔ)技術(shù)路線圖

根據(jù)Gartner,Inc.的調(diào)查結(jié)果,2021全球半導(dǎo)體收入總計(jì)5950億美元,比2020年增長2....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-16 15:13 ?1022次閱讀

一文搞懂MOSFET

功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ,具有很高的戰(zhàn)略地位,下面我們從一張圖看功....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-15 10:23 ?5470次閱讀

淺談臺(tái)積電放棄450mm晶圓的背后原因

蔣尚義認(rèn)為450mm會(huì)占用臺(tái)積電太多的研發(fā)人員,削弱其在其他領(lǐng)域追求技術(shù)進(jìn)步的能力。然而,研發(fā)預(yù)算更....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-08 15:17 ?2581次閱讀

BMS中的主要芯片包括哪些?

AFE(模擬前端,Analog Front End Front End)是包含傳感器接口、模擬信號(hào)調(diào)....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-05 15:55 ?6499次閱讀

晶體管的誕生及應(yīng)用介紹

硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個(gè) MO....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-05 12:52 ?4600次閱讀

MOS管入門知識(shí)匯總

MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-03 10:24 ?2962次閱讀

如何驗(yàn)證GaN的可靠性

氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)正迅速獲得采用,因?yàn)樗軌蛱岣咝什⒖s小電源供應(yīng)器尺寸。不過,....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-02 14:24 ?2130次閱讀

基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成

CMOS技術(shù)是無數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計(jì)算工具的大腦。60多年來,CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 08-02 11:17 ?3255次閱讀

日本氧化鎵的新進(jìn)展

FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 07-28 11:22 ?2064次閱讀

基于Arm內(nèi)核的MCU

該芯片支持多種協(xié)議的能力可能是其最重要的特性。它支持符合IEC 60802工業(yè)自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)的最新一代 ....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 07-23 11:25 ?1308次閱讀

第4世代SiC MOSFET使用時(shí)的應(yīng)用優(yōu)勢

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的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 07-22 14:55 ?716次閱讀

2D材料工業(yè)化的需求

盡管如此,當(dāng)今技術(shù)的現(xiàn)實(shí)情況是,2D材料只在實(shí)驗(yàn)室中少量配備,以支持學(xué)術(shù)研究。與其急于發(fā)表另一篇關(guān)于....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 07-13 15:50 ?1210次閱讀

光刻路線圖中的光刻部分介紹

我們所知道的第一個(gè)半導(dǎo)體路線圖可能是摩爾觀察到的,以他為名字的“摩爾定律”預(yù)計(jì),芯片的計(jì)算能力隨著時(shí)....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 07-11 09:14 ?2670次閱讀

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 07-11 09:09 ?3309次閱讀

基于EDA仿真驗(yàn)證進(jìn)行IGBT芯片研發(fā)的方法使用

IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢特征的一種半導(dǎo)體復(fù)合器件,作為功率半導(dǎo)體分離器件的代表,廣泛....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 07-10 15:00 ?2359次閱讀
基于EDA仿真驗(yàn)證進(jìn)行IGBT芯片研發(fā)的方法使用

分享一下從PN結(jié)到IGBT的機(jī)理,掌握基礎(chǔ)

此時(shí)P區(qū)多子“空穴”在電場的作用下向N區(qū)運(yùn)動(dòng),N區(qū)多子電子相反,使耗盡層變窄至消失,正向?qū)щ奜K,也....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 07-04 11:38 ?4795次閱讀

先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體越來越普遍的主題

芯片上數(shù)據(jù)的輸入和輸出 (IO) 是計(jì)算的命脈。將內(nèi)存置于芯片上有助于通過減少通信開銷來減少 IO ....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-26 10:28 ?1223次閱讀

半導(dǎo)體工業(yè)的環(huán)境可持續(xù)性:日益增長的優(yōu)先事項(xiàng)

在FEOL中,F(xiàn)inFET已經(jīng)成為7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的主流設(shè)備架構(gòu),這是目前用于芯片生產(chǎn)最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。對....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-26 10:14 ?7794次閱讀

砷化鎵是什么?砷化鎵的制造流程

砷化鎵可在一塊芯片上同時(shí)處理光電數(shù)據(jù),因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計(jì)算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-25 10:58 ?13237次閱讀

芯耀輝加入U(xiǎn)CIe產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

今年3月,芯片制造商英特爾、臺(tái)積電、三星聯(lián)合日月光、AMD、ARM、高通、谷歌、微軟、Meta(Fa....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-13 09:35 ?1145次閱讀

Innolink-國產(chǎn)首個(gè)物理層兼容UCIe標(biāo)準(zhǔn)的Chiplet解決方案

隨著高性能計(jì)算、云服務(wù)、邊緣端、企業(yè)應(yīng)用、5G通信、人工智能、自動(dòng)駕駛、移動(dòng)設(shè)備等應(yīng)用的高速發(fā)展,算....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-13 09:29 ?1075次閱讀

深入了解芯片制造流程

這反過來又加劇了通貨膨脹,并在美國引起了人們的警覺:美國正變得過于依賴海外制造的芯片。美國僅占全球半....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-13 09:20 ?2467次閱讀

什么是GaN,為什么它如此重要?

氮化鎵(GaN)由原子序數(shù)31的鎵和原子序數(shù)7的氮結(jié)合而成,是一種具有堅(jiān)硬的六角形晶體結(jié)構(gòu)的寬帶隙半....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-11 14:46 ?7443次閱讀

外延層的摻雜濃度對SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷....
的頭像 旺材芯片 發(fā)表于 04-11 13:44 ?8777次閱讀