在開關電源、電機驅(qū)動、新能源等電子設備中，MOS單管是決定電路效率、可靠性與成本的核心器件。不少工程....

周五技術咖時間到！對于電力電子工程師來說，MOS 單管的導通損耗是繞不開的核心問題 —— 它直接影響....

將萬用表設置到 R×1KQ 位置。用萬用表測量時，如果一級和另外兩極的電阻值是無窮大的，則更換表筆后....

在電力電子系統(tǒng)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為核心開關器件，承擔著電能轉(zhuǎn)換與控制的關鍵任務。但....

不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設計、材料導熱性、熱阻分布及溫度均勻性等....

2025年8月26-28日，深圳國際電子展（ELEXCON 2025） 在深圳會展中心（福田）盛大舉....

IGBT模塊的開關損耗（動態(tài)損耗）與導通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設計的核心挑戰(zhàn)。這兩....

IGBT模塊GE間驅(qū)動電壓可由不同地驅(qū)動電路產(chǎn)生。

沒有附加保護裝置的 10μs 短路 SOA 操作。

IGBT以發(fā)射極電壓為基準電位驅(qū)動。開關動作時，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之....

測量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過測量獲取IGBT關斷時的尖峰電壓Vp....

回路中各環(huán)節(jié)電感值對于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值....

研究IGBT器件的開關及特性對實現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義，IGBT DC Link主回....

盡管開關器件內(nèi)部工作機理不同，但對于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關斷時模型可....

IGBT作為功率半導體器件，對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細闡述使用過程中防靜電的具....

為驗證對主回路雜散電感效應的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動情況下的實際情況，我們?nèi)藶閷p 大小進....

此前，2025年4月15日至17日，全球半導體行業(yè)矚目的盛會——?慕尼黑上海電子展（Electron....

IGBT的開關損耗特性研究對IGBT變流器設計具有重要的意義，在有結構緊湊性要求或可靠性要求較高或散....

IGBT正弦波調(diào)光器是一種用于調(diào)節(jié)燈光亮度的設備，其工作原理主要基于IGBT的開關特性和對正弦波信號....

在電力電子的廣闊領域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關乎整個系統(tǒng)的運行....

IGBT模塊的反向恢復現(xiàn)象是指在IGBT關斷時，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?...

在現(xiàn)代工業(yè)電氣領域，中頻電源應用廣泛，而 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為中頻電源的核心器件，起著....

在全球積極推進能源轉(zhuǎn)型的大背景下，新能源領域蓬勃發(fā)展，而 IGBT 模塊作為其中的關鍵器件，發(fā)揮著不....

IGBT的溫度及安全運行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關系如下式： Rthj....

IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義： 1.對比不同的IGBT的參數(shù)； ....

IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗目的 1、通過實驗獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主....

在1字形二極管鉗位三電平電路中，當發(fā)生短路故障或過流故障時，傳統(tǒng)的關斷IGBT的做法是，檢測到故障的....

日前，中科知慧(北京)科技成果評價有限公司組織專家，對青島佳恩半導體有限公司完成的“IGBT1200....

隨著功率器件的發(fā)展，正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術得到了廣泛的應用，SPWM 控制是在逆變器輸出交流....

單相全橋逆變電路 單相全橋逆變電路也稱“H 橋”電路，其電路拓樸結構如圖1所示，由兩個半橋 圖1單相....