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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

文章:289 被閱讀:42.7w 粉絲數(shù):19 關(guān)注數(shù):0 點贊數(shù):1

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GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性研究

當(dāng)前,人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-11 09:50 ?1639次閱讀
GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性研究

思坦科技公開展示全球已發(fā)布最高PPI的Micro LED微顯示器

CES 2024展會于1月9日-1月12日在美國拉斯維加斯舉行。此前,國產(chǎn)Micro LED微顯示初....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-11 09:45 ?1721次閱讀

理想汽車下一代800V高壓純電車型將采用安森美EliteSiC1200V裸芯片

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:2024 年1月 9日,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-10 09:23 ?1485次閱讀

安森美推出九款全新Elite SiC功率集成模塊

2024年1月8日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-08 18:04 ?1300次閱讀

固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)

在過去的十年里,固態(tài)照明行業(yè)創(chuàng)造了數(shù)萬億美元的收入,引領(lǐng)了全球照明領(lǐng)域的能源革命。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-08 18:02 ?1367次閱讀
固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術(shù)挑戰(zhàn)

2029年襯底和外延晶圓市場將達到58億美元,迎來黃金發(fā)展期

在功率和光子學(xué)應(yīng)用強勁擴張的推動下,到2029年,全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場預(yù)計將達到58億....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-05 15:51 ?1479次閱讀
2029年襯底和外延晶圓市場將達到58億美元,迎來黃金發(fā)展期

國電南自引領(lǐng)儲能核心技術(shù)突破,碳化硅功率模塊助雙碳目標(biāo)實現(xiàn)

中國電科基礎(chǔ)辦付興昌表示:“碳化硅器件在電網(wǎng)和儲能領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用空間,希望雙方未來能發(fā)掘出更多的合....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-05 14:52 ?1944次閱讀

一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率(高達2000 W/m·K),在大功率激光器、微波器件和集成電....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-04 17:20 ?2233次閱讀
一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

第三代半導(dǎo)體龍頭涌現(xiàn),全鏈布局從國產(chǎn)化發(fā)展到加速出海

第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢,在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-04 16:13 ?1817次閱讀

Micro LED企業(yè)辰顯光電完成數(shù)億元A輪融資

1月2日消息,據(jù)媒體報道,維信諾參股公司成都辰顯光電有限公司(以下簡稱“辰顯光電”)于近日順利完成數(shù)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-03 10:03 ?1390次閱讀

山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

軟包裝復(fù)合膠粘劑龍頭——高盟新材(300200.SZ)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的投資取得新進展、新成效。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-03 10:00 ?1200次閱讀
山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片

新疆首個用于超特高壓換流站的高壓電力電子實驗室正式投入使用

近日新疆首個用于超特高壓換流站大功率半導(dǎo)體器件性能分析的高壓電力電子實驗室正式投入使用,順利完成3支....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-02 11:46 ?1013次閱讀

日本團隊公布金剛石MOSFET研制取得最新進展

早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結(jié)構(gòu),其中金剛石表....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-02 11:44 ?1514次閱讀
日本團隊公布金剛石MOSFET研制取得最新進展

基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

硅基光電集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低時延的優(yōu)勢;無需過分追求工藝尺寸的縮小。硅光產(chǎn)業(yè)今年市場....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-02 11:42 ?1567次閱讀
基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

益中封裝擴建車規(guī)Si/SiC器件先進封裝產(chǎn)線

近日,據(jù)晶能微電子官微消息,浙江益中封裝技術(shù)有限公司舉行一期擴建項目開工儀式。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-02 11:39 ?1340次閱讀

富士電機將投2000億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

據(jù)日經(jīng)新聞消息,日本富士電機(Fuji Electric)將在2024~2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-29 10:22 ?1080次閱讀

芯微泰克功率器件超薄芯片背道加工線項目投產(chǎn)

12月27日,浙江芯微泰克半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“芯微泰克”)功率器件超薄芯片背道加工線項目正式通....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-29 10:20 ?1224次閱讀

大尺寸AlN單晶生長研究

AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(PVT)是最適....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-28 09:20 ?1504次閱讀
大尺寸AlN單晶生長研究

GaN濺射技術(shù)進展

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-28 09:18 ?1176次閱讀
GaN濺射技術(shù)進展

基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-28 09:15 ?1654次閱讀
基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-27 09:34 ?1849次閱讀
新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

低成本垂直GaN功率器件研究

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-27 09:32 ?1421次閱讀
低成本垂直GaN功率器件研究

SOI+SiN平臺上III-V集成的考慮因素

硅光子是一種光子集成電路,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,硅光子學(xué)已經(jīng)取得了重大進展
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-26 11:33 ?1296次閱讀
SOI+SiN平臺上III-V集成的考慮因素

碳化硅SiC的高溫氧化研究

SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機械強度等優(yōu)勢,因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-26 10:13 ?2152次閱讀
碳化硅SiC的高溫氧化研究

面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快,但與....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-26 10:11 ?1620次閱讀
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

單晶藍綠雙波長LED在寬色域背光應(yīng)用的研究

利用具有窄波峰寬和精確可調(diào)峰值的色轉(zhuǎn)換材料是當(dāng)今電視和顯示器背光中獲得寬色域 (WCG) 的常見方法....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-26 10:09 ?2442次閱讀
單晶藍綠雙波長LED在寬色域背光應(yīng)用的研究

普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長

當(dāng)前,SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件,有效的降低了提升了開關(guān)速度,降低了能量....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-25 10:43 ?1347次閱讀
普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

近日,武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組和斯洛伐克科學(xué)院Filip Gucmann課題組合作,在國際權(quán)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-25 10:41 ?2302次閱讀
武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進展

當(dāng)前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 14:18 ?1628次閱讀
8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進展

意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議助力800V平臺

12 月 22 日消息,據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息,該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 10:35 ?988次閱讀