熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要，而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。

SiC器件在擊穿場強、熱導(dǎo)率、熔點、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優(yōu)勢。

電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分，也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)....

電源模塊的高級封裝是非常重要。包裝優(yōu)化是提高性能的解決方案之一。

氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需....

碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢，市場廣闊，應(yīng)用場景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動汽車電驅(qū)....

三五族氮化物半導(dǎo)體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0....

磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式，然而研磨會導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致....

近日，鐳昱半導(dǎo)體（Raysolve）宣布完成Pre-A3輪融資，本輪融資由華映資本領(lǐng)投，三七互娛及米....

過去幾十年里，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過封裝集成....

在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景....

GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。

近年來，隨著通信技術(shù)的迅速發(fā)展以及人們對顯示色彩和實用性的追求，顯示技術(shù)呈現(xiàn)多元化的發(fā)展。

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和....

近日，據(jù)路透社消息，東芝和羅姆表示，他們將投資 3883 億日元（27 億美元）聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。

隨著全球及國內(nèi)在新能源汽車、新能源發(fā)電和儲能等終端市場需求的快速增長，行業(yè)對碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)....

在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用....

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。

高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機械、熱學(xué)和電學(xué)性能，在電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，可以支撐和固定半導(dǎo)體....

SiC MOSFET器件存在可靠性問題，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。

VCSEL是很有發(fā)展前景的新型光電器件，也是光通信中革命性的光發(fā)射器件。

第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定....

Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等優(yōu)點，有數(shù)據(jù)顯示，受智能穿戴和超高清大屏顯示需求影響

近日，在廈門召開的第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCH....

“十四五”以來，基于自發(fā)光顯示的微投影顯示光學(xué)系統(tǒng)成為了研究熱點。

當(dāng)前，Micro-LED顯示是備受關(guān)注的新一代顯示技術(shù)，具備高質(zhì)量顯示的大多數(shù)特征；

近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇在廈門國際會議中心召開。

近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈....