氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成C+輪數(shù)億元融資
近日,第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成C+輪數(shù)億元融資,這是晶湛公司繼2022年完成....
IDC預測2024年全球半導體市場八大趨勢
根據(jù)IDC(國際數(shù)據(jù)資訊)最新研究顯示,隨著全球人工智能(AI)、高性能計算(HPC)需求爆發(fā)式提升....
助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展
GaN性能優(yōu)異,在光電子、微電子器件應用廣泛,發(fā)展?jié)摿薮螅贿M一步發(fā)展,需提升材料質(zhì)量,制備高質(zhì)量氮....
產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能?
由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級應用的后起之秀,例如汽車、光....
基于晶圓級高導熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件
氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優(yōu)異代表,由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN,不僅可在更高場強、更高工....

華為新一代碳化硅電機發(fā)布:22000轉/分、零百加速3.3秒
電機將首發(fā)搭載于智界S7,四驅(qū)版配有前150千瓦交流異步電驅(qū)系統(tǒng),后215千瓦永磁同步電驅(qū)。得益于此....
中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn),一期投資19.3億元
紫金山觀察消息顯示,該項目一期投資19.3億元,項目達產(chǎn)后,預估新增年收入25億元,將形成8-12英....
三菱電機和安世半導體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導體
11月13日, 三菱電機株式會社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略....
芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品
2023年11月10日,溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電....

中瓷電子:電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪
近日,中瓷電子在接受機構調(diào)研時表示,國聯(lián)萬眾公司電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪,....
清華大學李兆麟:車規(guī)級MCU以及IGBT依然是汽車芯片短缺的主角
縱觀整個國際市場,歐美日企業(yè)長期占據(jù)汽車使能芯片(按照李兆麟的劃分,汽車使能芯片主要包括計算、控制、....
中瑞宏芯致力于開發(fā)新一代碳化硅功率芯片和模塊
10月30日,中瑞宏芯半導體宣布,公司于近日完成近億元人民幣的產(chǎn)投融資,由光伏微逆領頭公司禾邁股份和....
環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設
環(huán)球晶董事長徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預期....
三安光電碳化硅實現(xiàn)了8英寸襯底準量產(chǎn)
三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進展,實現(xiàn)8英寸襯底準量產(chǎn),部分產(chǎn)品已....
北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)
近日,“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術委員會委員北京鎵和半導體有....