碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)，在許多大功率應(yīng)用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動(dòng)電路有較高要求，以優(yōu)化碳化硅器件的開關(guān)性能。盡管碳化硅 MOSFET 并非難以驅(qū)動(dòng)，但許多常見的驅(qū)動(dòng)器可能會(huì)導(dǎo)致開關(guān)性能下降。
2025-09-03 17:54:01
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與 UCC27532 輸出級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)器可為隔離式電源設(shè)計(jì)提供最高效率的輸出驅(qū)動(dòng)功能、最低的傳播延遲以及更高的系統(tǒng)保護(hù)力，以充分滿足太陽(yáng)能 DC/AC 逆變器、不間斷電源供應(yīng)以及電動(dòng)汽車充電等應(yīng)用需求。
2013-03-04 10:59:311559 CMT-TIT0697柵極驅(qū)動(dòng)器板被設(shè)計(jì)為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2.5W功率的板載隔離電源（且無需降低高達(dá)125°C的額定環(huán)境溫度），該柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)100KHz的XM3模塊，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2020-01-15 08:09:001545 與大多數(shù)其他碳化硅評(píng)估平臺(tái)不同，GDEV提供快速連接插頭引腳端子，可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動(dòng)器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和高達(dá)200 kHz的開關(guān)頻率。
2020-02-07 14:33:00993 隔離門驅(qū)動(dòng)器在許多系統(tǒng)中的電力傳輸扮演著重要角色。對(duì)此，世強(qiáng)代理的高性能模擬與混合信號(hào)IC廠商Silicon Labs推出可支持高達(dá)5KV隔離額定電壓值的ISO driver隔離驅(qū)動(dòng)IC Si823x。有誰(shuí)知道這款業(yè)界最佳單芯片隔離驅(qū)動(dòng)器解決方案到底有多厲害嗎？
2019-08-02 06:37:15
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
MOSFET 漏極出現(xiàn)浪涌并因寄生效應(yīng)意外打開時(shí)。這種導(dǎo)通會(huì)產(chǎn)生從高壓到地的短路，從而損壞電路?！ ∪绾?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管 考慮到卓越的材料性能，這個(gè)問題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
和電容器）的尺寸、重量和成本也可隨之降低。在極端情況下，整個(gè)冷卻系統(tǒng)本身效率也可以降低，甚至可以節(jié)省更多的成本。特別是在電動(dòng)汽車牽引逆變器應(yīng)用中，效率的提高是一個(gè)良性循環(huán)，因?yàn)榛?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的逆變器中的元件
2023-02-27 14:28:47
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J，允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機(jī)系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，使用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件，功耗降低效果明顯，設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少，同時(shí)可減少最高
2021-01-12 11:48:45
精細(xì)化，集成化方向發(fā)展。 在新技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命，行業(yè)整體升級(jí)。在汽車大量電子化的帶動(dòng)之下，車用電路板也會(huì)向上成長(zhǎng)。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
。如果選擇新的柵極驅(qū)動(dòng)器，則值得選擇具有13 V欠壓鎖定功能的柵極驅(qū)動(dòng)器，以確保在目標(biāo)應(yīng)用異常條件下的安全運(yùn)行。SiC 的另一個(gè)好處是溫度對(duì) 25 °C 和 150 °C 之間傳輸特性的影響有限（圖
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
切換時(shí)間間隔較長(zhǎng)。如圖3所示，采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動(dòng)同一功率MOSFET時(shí)，該驅(qū)動(dòng)器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動(dòng)電流。圖3.有柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-10-25 10:22:56
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動(dòng)同一功率MOSFET時(shí)，該驅(qū)動(dòng)器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動(dòng)電流。很多情況下，由于數(shù)字電路可能會(huì)透支電流，直接用微控制器驅(qū)動(dòng)較大功率MOSFET
2018-11-01 11:35:35
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案選項(xiàng)最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
2021-03-08 07:53:35
模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計(jì)：電感值為6.7 nH，有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng)，提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
科技有限公司TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
。這一特性在高壓、高噪聲環(huán)境中（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器）尤為重要，它能有效防止開關(guān)噪聲導(dǎo)致的誤觸發(fā)，保障系統(tǒng)運(yùn)行的絕對(duì)穩(wěn)定性和可靠性。
靈活的死區(qū)控制： 該驅(qū)動(dòng)器的一大特色是其 可編程死區(qū)時(shí)間 (DT) 功能
2025-08-16 09:18:54
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
組件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項(xiàng)背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關(guān)損耗，因此電源開關(guān)的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
一步提升電源效率。針對(duì)上述情況，解決方案有以下兩種?！ 》桨敢唬簩GBT單管上反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管換成基本半導(dǎo)體的“零反向恢復(fù)”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
MOSFET的設(shè)計(jì)中，如果該振蕩問題是純電感性，降低振蕩方法是將碳化硅MOSFET源極分為電源極和驅(qū)動(dòng)器源極，鉗位二極管連接碳化硅MOSFET柵極和驅(qū)動(dòng)器源極之間。當(dāng)然首選方法并使用開爾文源極
2023-03-14 14:05:02
特點(diǎn), 高壓輸入
隔離DC/DC變換
器的拓?fù)淇梢缘玫胶?jiǎn)化（從原來的三電平簡(jiǎn)化為傳統(tǒng)全橋拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET在軟開關(guān)橋
式上具有以下明顯的優(yōu)勢(shì):高阻斷電壓可以簡(jiǎn)化拓?fù)湓O(shè)計(jì),電路從復(fù)雜三電平變?yōu)閮呻娖饺?/div>
2016-08-05 14:32:43
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場(chǎng)的可見部分，需要能夠提供負(fù)電壓的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場(chǎng)的可見部分，需要特殊的柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-02-27 09:52:17
功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷改進(jìn)使功率轉(zhuǎn)換器更加高效和緊湊。碳化硅 CoolSiC? MOSFET因其卓越的效率，尤其是在部分負(fù)載下而被視為電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的新趨勢(shì)。甚至可以實(shí)現(xiàn)無風(fēng)扇設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)集成度更高
2023-02-22 16:42:00
Brian Kennedy許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽(yáng)能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)
2018-10-23 11:49:22
隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽(yáng)能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，探索隔離式半橋柵極
2018-10-16 16:00:23
許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽(yáng)能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，以
2018-09-26 09:57:10
，工作結(jié)溫可達(dá)175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期，提高工作效率?！ ‘a(chǎn)品特點(diǎn) 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
電子的發(fā)展趨勢(shì)，但瓷片電容、傳感器、柵極驅(qū)動(dòng)等還無法完全匹配碳化硅的高溫高頻性能、散熱和電磁兼容問題；開發(fā)高溫電容、功率芯片片內(nèi)集成傳感器、研究 SiC CMOS 驅(qū)動(dòng)芯片或者采用 SOI
2023-02-22 16:06:08
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國(guó)，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
極限。 圖2. 典型柵極驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲和CMTI性能更高的開關(guān)頻率還會(huì)產(chǎn)生共模瞬變抗擾性問題，這對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來說是一個(gè)非常嚴(yán)重的問題。在隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器中的隔離柵上耦合的高壓擺率信號(hào)可能破壞
2018-10-16 06:20:46
極限。圖2. 典型柵極驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲和CMTI性能更高的開關(guān)頻率還會(huì)產(chǎn)生共模瞬變抗擾性問題，這對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來說是一個(gè)非常嚴(yán)重的問題。在隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器中的隔離柵上耦合的高壓擺率信號(hào)可能破壞數(shù)據(jù)傳輸
2018-10-16 21:19:44
轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案，這種技術(shù)人們期待已久，現(xiàn)在終于得以實(shí)現(xiàn)。雖然這種技術(shù)能夠提供極具吸引力的優(yōu)勢(shì)，但它們并非沒有代價(jià)。為了提供出色性能，新型開關(guān)技術(shù)需要更改所用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的要求，并且會(huì)為系統(tǒng)
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
概要：本文將討論諧振LLC和移相（Phase Shift）兩種隔離DC/DC拓?fù)涞男阅芴攸c(diǎn)以及在新能源汽車電源中的應(yīng)用，然后針對(duì)寬禁帶碳化硅MOSFET對(duì)兩種隔離DC/DC拓?fù)涞膽?yīng)用進(jìn)行了比較，并
2016-08-25 14:39:53
小于5ns； · 選用低傳輸延時(shí)，上升下降時(shí)間短的推挽芯片?！ 】傊啾扔诠鐸GBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí)，對(duì)于驅(qū)動(dòng)器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用?？蓮V泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
MP188xx是MPS提供的一系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，包括MP18831、MP18851和MP18871，本文回顧了該系列產(chǎn)品的特性與優(yōu)勢(shì)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)電源系統(tǒng)中的開關(guān)管驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要。要了解MPS隔離產(chǎn)品的更多信息，請(qǐng)閱讀MPS促進(jìn)碳中和的隔離式電源解決方案相關(guān)文章。
2022-09-30 14:05:41
通時(shí)間。對(duì)于 ≥150kW 牽引逆變器應(yīng)用，隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)具有 >10 A 的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以便以高壓擺率將 SiC FET 切換通過米勒平臺(tái)，并利用更高的開關(guān)頻率。碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有
2022-11-02 12:02:05
行業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施演進(jìn)，為電力電子從“硅時(shí)代”邁向“碳化硅時(shí)代”提供底層支撐。
相關(guān)研究： L. Zhang, Z. Zhao, R. Jin, et al, \"SiC MOSFET
2025-04-08 16:00:57
基于CMOS的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以提高電源供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)
與傳統(tǒng)的解決方案相比,完全集成的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器械可以顯著地提高開關(guān)電源的效率,性能和可靠性.
2010-06-19 09:29:31
44 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽(yáng)能逆變器等等，不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。
2017-02-09 17:40:113617 
此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:000 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:564561 提供支持，可以安全地驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)碳化硅功率模塊以實(shí)現(xiàn)低損耗，同時(shí)可以在空間受限的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、緊湊型電源或快速電池充電器內(nèi)部的高溫環(huán)境中運(yùn)行。
2020-01-14 15:00:102715 緊湊的印制電路板（PCB）設(shè)計(jì)。這些柵極驅(qū)動(dòng)器所取得的新進(jìn)展可以幫助電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員滿足甚至超越日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)及尺寸限制，同時(shí)支持使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和快速Si FET等新興技術(shù)。 ? ? ? ? ?Silicon Labs 的Si825xx系列產(chǎn)品為強(qiáng)健的柵極驅(qū)動(dòng)器，
2020-12-29 10:32:382887 高效的雙向主動(dòng)平衡器可延長(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間
2021-03-19 09:06:203 最大化延長(zhǎng)即使具有老化電池的汽車電池組運(yùn)行時(shí)間
2021-03-20 12:44:259 數(shù)字電源遙測(cè)有助于降低能耗，并延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間
2021-03-21 15:04:501 ，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產(chǎn)的數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)行并滿足嚴(yán)格的運(yùn)輸要求。 對(duì)于基于碳化硅的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人 員
2021-10-09 16:17:462122 意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高
2021-10-22 10:06:393307 電動(dòng)出行和可再生能源系統(tǒng)需要能夠提高性能效率和加快開發(fā)時(shí)間的電源管理解決方案。為滿足這些要求，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布與Mersen合作推出150千伏安（kVA）三相碳化硅電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)。
2021-12-14 09:44:592375 隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:003179 
使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)用設(shè)計(jì)指南
2022-11-14 21:08:4313 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。為了進(jìn)一步
2022-12-21 14:02:331689 摘 要 基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成的冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
2022-12-21 14:05:032918 碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性，發(fā)展勢(shì)頭迅猛?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅特性，碳化硅驅(qū)動(dòng)器相較于硅器件驅(qū)動(dòng)器有其特殊要求，面臨不同的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。青銅劍技術(shù)針對(duì)碳化硅的應(yīng)用特點(diǎn)，推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驅(qū)動(dòng)器，可滿足多樣化需求。
2022-12-29 11:34:262029 隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器用于許多應(yīng)用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽(yáng)能逆變器。本文將詳細(xì)討論這些設(shè)計(jì)概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。
2023-01-17 11:08:464711 
(onsemi) 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器針對(duì)SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計(jì)，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業(yè)的許多設(shè)計(jì)人員對(duì)于在諸多類型的電力電子應(yīng)用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經(jīng)驗(yàn)，
2023-02-05 05:55:011950 ），本文為第二部分，將帶大家全面了解使用 安森美(onsemi) 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的 電源、濾波設(shè)計(jì)以及死區(qū)時(shí)間控制 。 電源建議 以下是使用隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)應(yīng)注意的一些建議。 V DD 和 V CC 的旁路電容對(duì)于實(shí)現(xiàn)可靠的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-02-08 21:40:031979 EVAL-PSIR2085是為了給EiceDRIVER隔離柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（如EVAL-1ED3122MX12H）提供電源。這是一塊默認(rèn)的電源板，用于各種不同的EiceDRIV
2022-02-20 14:51:542006 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD316x故障管理、診斷、中斷和優(yōu)先級(jí)表 先進(jìn)IGBT和碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-17 14:22:0816 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的影響.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 09:31:180 利用集成負(fù)偏壓來關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí)，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因?yàn)榕c IGBT 相比，SiC 技術(shù)具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071290 
電隔離式（GI）柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其
2024-11-11 17:12:321493 電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC
2024-11-11 17:16:131437 
意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331279 關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動(dòng)器。該方案不僅能實(shí)現(xiàn)高效率，還能在高開關(guān)頻率下保持良好控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動(dòng)器原理轉(zhuǎn)換器
2025-05-08 11:08:401153 
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