Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。
2013-01-25 11:50:12
1053 高性能電容器的領(lǐng)導(dǎo)者）開(kāi)展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR
2022-06-23 10:23:58570 
CISSOID與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡(jiǎn)稱電機(jī)系）達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以求實(shí)現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢(shì)，并將大力支持在新能源汽車領(lǐng)域開(kāi)展廣泛應(yīng)用。
2019-04-08 11:39:362371 CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。
2019-05-13 11:33:45894 與大多數(shù)其他碳化硅評(píng)估平臺(tái)不同，GDEV提供快速連接插頭引腳端子，可以快速、一致地比較不同的柵極驅(qū)動(dòng)器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和高達(dá)200 kHz的開(kāi)關(guān)頻率。
2020-02-07 14:33:00630 極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠
2019-07-30 15:15:17
SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標(biāo)稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開(kāi)關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小，可靠性好。 (7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開(kāi)關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)?！ ?8
2019-01-11 13:42:03
社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
。 BOM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節(jié)省15%成本 加快上市等于減少了時(shí)間成本 半導(dǎo)體廠商通常都通過(guò)參考設(shè)計(jì)為其器件提供廣泛的支持。對(duì)于上面提到的OBC應(yīng)用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
和圖4所示。圖3所示，該原理圖顯示了使用雙極性柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)如何實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)。如上所述，這種雙極性柵極驅(qū)動(dòng)電壓不是強(qiáng)制性的，但它有助于最小化米勒效應(yīng)，并產(chǎn)生更好的可控開(kāi)關(guān)。因此
2023-02-24 15:03:59
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境?？膳渲?b class="flag-6" style="color: red">為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料?？芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓。基本上是無(wú)感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇?！ ≡谠O(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
特性比較 1、碳化硅肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)和特征 用碳化硅肖特基二極管替換快速PN 結(jié)的快速恢復(fù)二極管（FRD），能夠明顯減少恢復(fù)損耗，有利于開(kāi)關(guān)電源的高頻化，減小電感、變壓器等被動(dòng)元件的體積，使
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件導(dǎo)通損耗對(duì)溫度的依存度很小，隨溫度的變化也很小，這與傳統(tǒng)的Si器件也有很大差別。4) 開(kāi)關(guān)速度快SiC的熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報(bào)價(jià)TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報(bào)價(jià)TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
?！ ?4 結(jié) 論 引入了輔助源極管腳成為TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET，避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線路，實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦。同時(shí)，TO-247-4封裝的開(kāi)關(guān)器件由于沒(méi)有來(lái)自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時(shí)間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
的情況下，SiC MOSFET 也能夠可靠地操作，因此降低了驅(qū)動(dòng)的復(fù)雜度和成本。這些寬禁帶器件在各種應(yīng)用中為高效率、高功率密度的功率轉(zhuǎn)換提供了前所未有的機(jī)會(huì)。未來(lái)的研究將把平面磁性元件與表面貼裝功率器件結(jié)合起來(lái)，以實(shí)現(xiàn)更高功率密度轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。原作者： Wolfspeed WOLFSPEED
2023-02-27 14:02:43
近年來(lái)，因?yàn)樾履茉雌嚒⒐夥皟?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開(kāi)關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái)，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
在太陽(yáng)能光伏（PV）和能量存儲(chǔ)應(yīng)用中，存在功率密度增加以及始終存在的提高效率需求的趨勢(shì)。該問(wèn)題的解決方案以碳化硅（SiC）功率器件的形式出現(xiàn)。 ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器是單通道器件，在25 V工作電壓（VDD至VSS）下具有典型的7A源/灌電流驅(qū)動(dòng)能力
2020-05-27 17:08:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動(dòng)力致力于開(kāi)發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
通時(shí)由電容驅(qū)動(dòng)的柵極 - 源極電壓，其源于半橋配置中第二個(gè)碳化硅MOSFET的高dv/dt開(kāi)關(guān)?！ 」鐼OSFET設(shè)計(jì)中在此類問(wèn)題一般可以通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器和硅MOSFET柵極之間插入一個(gè)高阻值電阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
不同的2A通道控制。它經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可驅(qū)動(dòng)外部電源開(kāi)關(guān)器件，可以是碳化硅（SiC）MOSFET或常開(kāi)JFET器件（用戶可在板級(jí)選擇配置）?？梢允褂闷渌?b class="flag-6" style="color: red">功率開(kāi)關(guān)器件，例如常關(guān)JFET，以及IGBT甚至
2019-05-13 09:37:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
測(cè)試板?！ ?shí)驗(yàn)結(jié)果： 電流源驅(qū)動(dòng)器和傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)器板均使用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行評(píng)估。評(píng)估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場(chǎng)的可見(jiàn)部分，需要能夠提供負(fù)電壓的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 （SiC） MOSFET 成為 MOSFET 市場(chǎng)的可見(jiàn)部分，需要特殊的柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-02-27 09:52:17
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
位功能，可用于各種開(kāi)關(guān)拓?fù)淇刂?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個(gè)有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計(jì)人員防止半橋配置晶體管意外導(dǎo)通提供一個(gè)簡(jiǎn)便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
主要差異，以及柵極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。多年來(lái)，功率輸出系統(tǒng)的功率開(kāi)關(guān)技術(shù)選擇一直非常簡(jiǎn)單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會(huì)選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會(huì)更多地選擇
2018-10-16 06:20:46
的一些主要差異，以及柵極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。多年來(lái)，功率輸出系統(tǒng)的功率開(kāi)關(guān)技術(shù)選擇一直非常簡(jiǎn)單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會(huì)選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會(huì)更多地選擇
2018-10-16 21:19:44
主要差異，以及柵極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。多年來(lái)，功率輸出系統(tǒng)的功率開(kāi)關(guān)技術(shù)選擇一直非常簡(jiǎn)單。在低電壓水平(通常為600 V以下)，通常會(huì)選擇MOSFET；在高電壓水平，通常會(huì)更多地選擇IGBT
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
管子開(kāi)關(guān)影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動(dòng)器提供更低的信號(hào)
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開(kāi)辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業(yè)界公認(rèn)的汽車封裝，針對(duì)牽引逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了優(yōu)化。為了提供汽車級(jí)HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
高溫半導(dǎo)體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開(kāi)關(guān) JUPITER ，據(jù)稱是首款以簡(jiǎn)單0/5V邏輯電平無(wú)縫閘極控制的高溫碳化硅高電壓開(kāi)關(guān)
2011-04-14 11:41:581237 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動(dòng)板，其額定溫度為125°C（Ta），它還針對(duì)采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
2019-08-05 17:07:554175 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布，為Wolfspeed提供強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動(dòng)器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模塊。該新型柵極驅(qū)動(dòng)器板旨在為高功率密度轉(zhuǎn)換器
2020-01-14 15:00:102120 Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示：“開(kāi)發(fā)和優(yōu)化快速開(kāi)關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且粋€(gè)挑戰(zhàn)，這款SiC智能電源模塊是針對(duì)極端溫度和電壓環(huán)境開(kāi)發(fā)電源模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的多年經(jīng)驗(yàn)的成果。有了它，我們很高興支持汽車行業(yè)向高效的電動(dòng)汽車解決方案過(guò)渡。”
2020-03-07 13:59:472573 緊湊的印制電路板（PCB）設(shè)計(jì)。這些柵極驅(qū)動(dòng)器所取得的新進(jìn)展可以幫助電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員滿足甚至超越日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)及尺寸限制，同時(shí)支持使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和快速Si FET等新興技術(shù)。 ? ? ? ? ?Silicon Labs 的Si825xx系列產(chǎn)品為強(qiáng)健的柵極驅(qū)動(dòng)器，
2020-12-29 10:32:381991 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 ，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產(chǎn)的數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，為系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)行并滿足嚴(yán)格的運(yùn)輸要求。 對(duì)于基于碳化硅的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人 員
2021-10-09 16:17:461644 Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章： 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品：TDK-Lambda CUS350MP-1000醫(yī)療和工業(yè)電源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模塊。
2022-08-04 09:51:111458 多家公司已將 SiC 技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已經(jīng)為未來(lái)基于 SiC 的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅 （SiC）MOSFET 即將徹底取代硅功率開(kāi)關(guān)；該行業(yè)需要能夠應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)的新驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。
2022-08-09 08:02:071519 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過(guò)提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng)，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 2023年3月20 日 –佛羅里達(dá)州奧蘭多市 - CISSOID和Silicon Mobility今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其合作伙伴關(guān)系，以提供完整的模塊化碳化硅（SiC）逆變器參考設(shè)計(jì)，且支持高達(dá)
2023-03-23 17:31:01555 
比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-21 16:18:243392 
碳化硅（SiC）技術(shù)比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗，從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用，以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29393 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
、 NXP、Skyworks共同開(kāi)發(fā)了一款專為碳化硅快速測(cè)試而全新模塊化評(píng)估平臺(tái)Wolfspeed SpeedVal Kit?。
2023-12-25 17:05:22525 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）作為第三代半導(dǎo)體材料核心，碳化硅（SiC）與其它半導(dǎo)體產(chǎn)品去庫(kù)存的市場(chǎng)節(jié)奏截然不同。市場(chǎng)中高性能碳化硅仍然持續(xù)緊缺，并且隨著新能源汽車的蓬勃發(fā)展，也帶動(dòng)著碳化硅市場(chǎng)熱度
2023-07-07 01:15:00943
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