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揚杰科技推出的TO-247 FRD產(chǎn)品,可應用于充電樁領域

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科技應用于車載OBC的SOT-227車載模塊FJ新封裝產(chǎn)品特點概述

科技 YANGJIETECHNOLOGY SOT-227 ? 車載模塊FJ新封裝 ? 01 ? ? 產(chǎn)品介紹 ??FJ封裝體積小,可集成于車載功能部件。 ? FJ產(chǎn)品采用環(huán)保物料,符合RoHS
2022-05-16 11:48:476149

采用 TO-247 封裝的 650V,35 mΩ 氮化鎵(GaN) FET-GAN041-650WSB

采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496

碳化硅MOS四引腳封裝在應用中有什么優(yōu)勢

瑞森半導體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場和客戶認可,廣泛應用于高端服務器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅動、儲能、充電領域。 碳化硅MOS 芯片
2023-02-20 16:02:420

240W 雙端口SiC風靡充電領域

近日,碳化硅技術在充電領域新增了2應用案例:
2023-06-13 18:24:48593

科技:公司MOS等功率器件產(chǎn)品已供貨英偉達

科技于6月26日的投資者互動平臺上人工智能領域的公司的重要的下游應用領域,公司的產(chǎn)品人工智能硬件相關產(chǎn)品的電源、電機、電池管理、同步整流器電路保護等方面可以使用?!彪S著ai服務器產(chǎn)業(yè)景氣的好轉,預計也會對公司業(yè)績產(chǎn)生積極的影響。
2023-06-27 10:50:581591

三安光電:碳化硅芯片產(chǎn)品已廣泛應用于光伏、新能源汽車、充電領域

三安光電目前擁有1200V系列碳化硅二極管(sic)和mosfet,可應用于800v平臺。其中,碳化硅(sic)二極管產(chǎn)品經(jīng)過持續(xù)的反復作業(yè),推出了第四代高性能產(chǎn)品,7種產(chǎn)品通過汽車規(guī)格認證
2023-10-12 10:59:552413

煥新動能,儲存未來|科技充電/逆變器功率器件解決方案推介會成功舉辦

12月15日,科技在中國深圳希爾頓酒店舉辦了“煥新動能,儲存未來”為主題的充電光伏逆變器功率器件解決方案推介會。大會邀請了科技在華南充電及光伏逆變器行業(yè)的主要客戶前來,旨在促進產(chǎn)業(yè)鏈
2023-12-17 20:45:011773

科技兩個產(chǎn)品獲得江蘇省重點創(chuàng)新項目支持計劃

科技再創(chuàng)輝煌,其“高壓大功率IGBT”產(chǎn)品成功入選省重點推廣應用的新技術新產(chǎn)品目錄。這一突破性的成就彰顯了科技在電力電子領域的領先地位。
2024-01-15 14:31:08984

hip247和TO247封裝區(qū)別

HIP247和TO247是兩種常見的封裝類型,用于電子元件,特別是功率器件的封裝。盡管它們在名稱上非常相似,但其實它們在尺寸、結構、材料和應用方面存在一些明顯的區(qū)別。下面將詳細討論HIP247
2024-03-12 15:34:435624

介紹一款用于光伏儲能充電的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:0746430

科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日,國內(nèi)半導體功率器件領軍企業(yè)揚州電子科技股份有限公司(以下簡稱“科技”)再度刷新業(yè)界認知,推出了一款專為光伏儲能充電等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224

科技發(fā)布一款應用于汽車PTC的80A/1200V IGBT單管

TO-247封裝80A/1200VIGBT單管;
2024-04-03 10:19:202049

直流充電和交流充電可以轉換嗎

直流充電和交流充電的設計和工作原理存在顯著差異,它們分別適用于不同的充電需求和場景。
2024-04-30 15:38:034732

復旦微電亮相展覽會,展示應用于汽車充電/槍的剩余電流保護芯片

5月22日至24日,2024上海國際充電及換電站展覽會于上海汽車會展中心順利舉行,上海復旦微電子集團股份有限公司應邀亮相,展示應用于汽車充電/槍的剩余電流保護芯片、NFC及MCU芯片、存儲芯片等產(chǎn)品及方案。
2024-05-24 14:16:422804

Model3A 7寸觸摸屏應用于充電的解決方案

一、充電概述(一)充電誕生背景隨著社會的進步和人們生活質量的提升,汽車已逐漸融入每個家庭的日常生活中。然而,汽車數(shù)量的激增也帶來了嚴重的環(huán)境污染問題,特別是尾氣排放。為了應對這一挑戰(zhàn),新能源汽車
2024-06-13 16:26:061991

科技發(fā)布用于PC主板的PDFN5060 N30V Mosfets

近日,科技推出了專為PC主板應用設計的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。該產(chǎn)品采用了先進的SGT技術,具有出色的電氣性能。
2024-10-12 15:59:231276

如何將FMEA應用于充電的安全管理?

,減少失效發(fā)生的概率和后果。在充電安全管理領域,F(xiàn)MEA如同一位細心的偵探,能夠深入挖掘潛在的安全隱患,為構建安全可靠的充電環(huán)境提供科學依據(jù)。 而充電作為連接電網(wǎng)與電動汽車的橋梁,面臨著多重挑戰(zhàn):電氣安全、環(huán)境適應性、操作便捷性、數(shù)據(jù)傳輸安全等。任何一個環(huán)
2024-10-16 16:28:33926

科技推出全新SiC MOSFET產(chǎn)品

科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK產(chǎn)品產(chǎn)品均采用開爾文接觸,明顯減少了開關時間,降低了開關損耗,支持更高頻率的應用與動態(tài)響應;同時相比插腳器件降低了電路板空間,增加了電路板的集成化,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)
2024-11-27 14:15:381287

應用于消費電子領域的羅姆產(chǎn)品介紹

多款可應用于手機、電腦、可穿戴設備等消費電子領域的新產(chǎn)品,促進行業(yè)發(fā)展,本文將為各位工程師介紹羅姆相關產(chǎn)品及技術。
2024-12-05 10:49:221012

BCB50A-1200V(TO-247)單向可控硅手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCB50A-1200V(TO-247)單向可控硅手冊.pdf》資料免費下載
2024-12-17 17:16:520

BTA60A,BTB60A(TO-247)雙向可控硅手冊

?BTA60ABTB60A (TO-247)雙向可控硅手冊
2024-12-16 18:02:220

科技N60V SGT MOSFET產(chǎn)品介紹

科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術,具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導通和開關損耗,可以支持更高頻率與動態(tài)響應。
2025-04-01 10:39:531036

科技亮相PCIM Europe 2025 以硬核技術驅動能源變革

科技亮相PCIM? 以硬核技術驅動能源變革 ? ? ? ? ? ? ? ? ? 5月6-8日,科技攜多款高性能功率器件及解決方案亮相德國PCIM Expo 在消費電子領域科技推出
2025-05-09 10:11:561318

科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術,具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導通和開關損耗,同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352

科技推出SOD-323HE封裝TVS新品

科技近日推出SOD-323HE封裝TVS新品,產(chǎn)品散熱性能優(yōu),背部Pad面積大,對比SOD-123FL散熱路徑更改,由原來的引腳散熱更改為背部金屬板Pad散熱,金屬散熱面積增大89% 。同時封裝外形小,比SOD-123HE封裝長度降低56%,寬度降低56%,滿足封裝小型化的發(fā)展趨勢。
2025-07-21 11:43:011210

千方科技推出AI視頻充電系列產(chǎn)品

近年來,充電基礎設施保有量快速增長,運營管理過程中普遍存在充電利用率低、設備維護困難等問題。千方科技推出AI視頻充電系列產(chǎn)品,從感知系統(tǒng)、控制系統(tǒng)到運維體系實現(xiàn)智能化升級,助力充電場站實現(xiàn)運營增效。
2025-07-26 14:47:371997

科技推出用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品

科技近日推出了一系列用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導通和開關損耗,可以支持更高頻率與動態(tài)響應,同時優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力
2025-08-13 17:57:012747

科技與北京一高科技達成合作

2025年8月8日上午,科技與北京一高科技控股集團(簡稱“北京一高科技”)聯(lián)合辦學簽約儀式在科技順利舉行。
2025-08-13 18:02:161214

科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管

科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺,極大的優(yōu)化了器件的導通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致性好,可靠性優(yōu)良,適用于伺服、變頻器等各類中低頻應用領域。
2025-09-18 18:01:392486

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