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to-247 mos管封裝尺寸 to-247封裝型號(hào)選型

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2025-09-02 11:06:03

IPW50R350CP-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS

### 一、IPW50R350CP-VB 產(chǎn)品簡介IPW50R350CP-VB 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于Super Junction(SJ)多重外延
2025-09-02 10:44:18

IPW50R299CP-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS

### 一、產(chǎn)品簡介:IPW50R299CP-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO247,采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)。這款 MOSFET 的漏源電壓 (VDS) 高達(dá)
2025-09-02 10:38:01

IPW50R140CP-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS

### 一、IPW50R140CP-VB 產(chǎn)品簡介IPW50R140CP-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO247封裝,設(shè)計(jì)用于處理高電流和高電壓應(yīng)用。它具有500V的擊穿電壓,并采用
2025-09-02 10:28:27

陸芯科技推出IGBT單YGW50N120TMA1

陸芯科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT單,產(chǎn)品型號(hào)為YGW50N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái),PitchSize 1.6um,TO247封裝。
2025-08-21 14:46:181565

TPS2001EEVM-247評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS2001EEVM-247評估模塊一款簡單易用的電源開關(guān)模塊,具有2A最大工作電流,以及使能開關(guān)和故障指示功能。TI TPS2001EEVM-247評估模塊
2025-08-20 14:11:41987

如何選擇 1200V SiC(碳化硅)TO-247的耐高溫絕緣導(dǎo)熱墊片?

來源:海思官網(wǎng)截圖#海思此次推出的兩款1200VSiC單均采用TO-247-4封裝,具備優(yōu)良的導(dǎo)通和快速開關(guān)特性,能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。具體而言,AS
2025-07-29 06:21:51678

季豐電子正式具備TO247-3P封裝能力

季豐電子極速封裝部再添 “新戰(zhàn)力”—— 正式具備 TO247-3P 封裝能力!這一技術(shù)突破不僅代表我們在封裝領(lǐng)域邁上一個(gè)新的臺(tái)階,同時(shí)將為廣大客戶帶來更適配、更高效的封裝解決方案,助力客戶產(chǎn)品研發(fā)加速落地。
2025-07-28 15:17:44908

揚(yáng)杰科技DGW40N120CTLQ IGBT模塊:高性能與可靠性的完美結(jié)合

的設(shè)計(jì),成為工業(yè)逆變器、伺服驅(qū)動(dòng)和不間斷電源等應(yīng)用的理想選擇。本文將為您詳細(xì)介紹這款產(chǎn)品的關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢。 產(chǎn)品概述 DGW40N120CTLQ是一款1200V/40A的IGBT分立器件,采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝。該產(chǎn)品不僅集成了IGBT芯片,還內(nèi)置了快速軟恢復(fù)反并聯(lián)二極(FWD),
2025-06-26 13:53:201103

合科泰TO-252封裝MOS介紹

在功率器件領(lǐng)域,TO-252封裝MOS因緊湊尺寸與性價(jià)比優(yōu)勢成為工業(yè)場景的主流選擇。合科泰HKTD80N06通過單芯片工藝革新,在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)性能突破,為新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域提供“高可靠、低阻抗、易散熱”的核心器件,助力B端客戶提升產(chǎn)品競爭力。
2025-05-29 10:09:481551

楊杰科技頂部散熱貼片封裝IGBT產(chǎn)品介紹

在電子制造領(lǐng)域,傳統(tǒng)插件封裝器件(如TO-247/TO-220)正面臨轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。盡管這類封裝方案仍占據(jù)特定市場份額,但居高不下的生產(chǎn)成本以及勞動(dòng)密集型的插裝工序,已嚴(yán)重制約企業(yè)的降本增效
2025-05-29 09:52:313025

陸芯科技推出IGBT單AU40N120T3A5

陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單,產(chǎn)品型號(hào)為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺(tái),PitchSize 1.6um,TO247封裝
2025-05-27 12:04:171070

??如何選擇合適的MDD開關(guān)二極?封裝、頻率與電流能力的權(quán)衡??

:散熱、尺寸與安裝方式的平衡??封裝不僅決定了二極的物理尺寸,還直接影響其散熱能力和電流承載能力。常見的封裝類型包括:??TO-220/TO-247??(大功率)
2025-05-22 10:18:57655

高效2.5kW空調(diào)電源 英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT

英飛凌推出2.5kW功率因數(shù)校正(PFC)評估板,展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現(xiàn)。該評估板集成PFC控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器和碳化硅二極,專為電源電子工程師設(shè)計(jì),用于評估4針封裝在效率和信號(hào)質(zhì)量上的優(yōu)勢。
2025-05-19 13:49:001208

特瑞仕發(fā)布降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器XCL247/XCL248系列

特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社(東京都中央?yún)^(qū),代表董事:木村岳史,以下簡稱特瑞仕)開發(fā)了集小型化、高耐壓、線圈一體式降壓同步整流為一體的通用型"micro DC/DC"轉(zhuǎn)換器XCL247/XCL248系列。該產(chǎn)品憑借節(jié)省空間、輕載高效等易用特性,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備/消費(fèi)電子等所有領(lǐng)域。
2025-04-18 16:45:571074

ULN2003 7通道SOP16封裝達(dá)林頓晶體驅(qū)動(dòng)器英文手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ULN2003 7通道SOP16封裝達(dá)林頓晶體驅(qū)動(dòng)器英文手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-04-17 16:11:571

0201貼片電容的封裝尺寸是多少?

在電子元件微型化趨勢下,0201貼片電容憑借其超小型封裝尺寸,已成為手持設(shè)備、無線傳感器等高密度電路設(shè)計(jì)的核心元件。其封裝尺寸直接決定了電路設(shè)計(jì)的空間利用率和性能表現(xiàn),本文將對其封裝尺寸進(jìn)行詳細(xì)解析
2025-04-10 14:28:153856

MOS電路及選型

1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS的GS結(jié)電容的充放電速度。對于MOS而言,開通速度越快,開通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩,震蕩波形(GS之間,這個(gè)震蕩與MOS
2025-04-09 19:33:021692

HMC247 400°模擬移相器芯片,5-18GHz技術(shù)手冊

HMC247是一款模擬移相器芯片,通過0至+10V的模擬控制電壓控制。 HMC247分別在9 GHz和18 GHz下提供0至300度和0至100度的連續(xù)可變相移,并提供一致的插入損耗和相移。 該相移
2025-04-09 10:49:261121

淺談MOS封裝技術(shù)的演變

隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝MOS封裝技術(shù)經(jīng)歷了許多變革,從而間接地影響到了智能應(yīng)用的表現(xiàn)。合科泰將帶您深入探討MOS封裝技術(shù)的演變。
2025-04-08 11:29:531217

LF247 36V、低輸入電流、高擺率、JFET四運(yùn)算放大器技術(shù)手冊

LF247是高速 J-FET 輸入四通道運(yùn)算放大器,在單片集成電路中集成了匹配良好的高壓 J-FET 和雙極晶體。
2025-03-31 09:42:30944

貼片三極封裝對應(yīng)尺寸及應(yīng)用

貼片三極是電子元件中的重要組成部分,其封裝形式及尺寸直接影響到電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、性能和生產(chǎn)成本。以下是常見的貼片三極封裝形式、對應(yīng)尺寸及其應(yīng)用領(lǐng)域的詳細(xì)介紹: 一、常見貼片三極封裝形式及尺寸 1
2025-03-26 15:23:514201

新品 | CoolSiC?肖特基二極G5 10-80A 2000V,TO-247-2封裝

新品CoolSiC肖特基二極G510-80A2000V,TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也采用TO-247-2封裝。在高達(dá)1500V的高直流母線系統(tǒng)
2025-03-25 17:04:241009

瑞能全新TO247 2000V 90A整流管WND90P20W亮相

瑞能全新TO247 2000V 90A整流管WND90P20W閃亮登場!
2025-03-25 16:57:58991

MUR8040PT快恢復(fù)二極手冊

MUR8040PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極手冊,TO-247封裝
2025-03-24 14:32:540

MUR6040PT/PTS快恢復(fù)二極手冊

MUR6040PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:31:020

MUR6030PT/PTS快恢復(fù)二極手冊

MUR6030PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:29:310

MUR4060PT快恢復(fù)二極手冊

MUR4060PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:28:120

MUR3040PT快恢復(fù)二極手冊

MUR3040PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:27:080

MUR6060P快恢復(fù)二極手冊

MUR6060PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極手冊,TO-247AC封裝。
2025-03-24 14:20:370

硬件基礎(chǔ)篇 - 電阻電容電感選型

圖說明:①、考慮PCB板尺寸沒有要求,可能需要手工焊接,電阻選用常用0603封裝的;②、R23與R24為反饋電阻,選用精度為1%的;③、電阻功耗都比較小,沒有選擇更大封裝尺寸。 二、電容1、選型依據(jù)容
2025-03-22 15:14:09

國產(chǎn)芯片解析:無線充電管理芯片CH246跟CH247對比詳細(xì)

CH246 ? 和 ? CH247 ? 的功能對比分析,內(nèi)容基于公開技術(shù)資料整理,供參考: ? 一、核心功能定位 ? 特性 CH246 CH247 ? 主要應(yīng)用 ? 無線充電發(fā)射端(Tx)單芯片方案
2025-03-19 16:16:471807

如何選擇合適的MDD整流二極封裝?DIP、SMA、DO-41各有何優(yōu)劣?

在電子設(shè)計(jì)中,MDD整流二極封裝選擇直接影響電路的性能、可靠性和成本。某工業(yè)電源項(xiàng)目因封裝選型不當(dāng),導(dǎo)致整流二極溫升超標(biāo),最終引發(fā)批量失效。MDD本文通過對比DIP、SMA、DO-41等常見
2025-03-18 11:29:511139

英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321135

MOS選型十大陷阱:參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD

在電力電子設(shè)計(jì)中,MOS選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸,直接損失50萬元。本文以真實(shí)案例為鑒,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體帶您解析MOS選型中的十大參數(shù)陷阱,為工程師
2025-03-04 12:01:401280

SOD1001-1塑料,表面貼封裝

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2025-02-20 13:53:250

MOS選型的問題

MOS選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝,同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS?!安恢?b class="flag-6" style="color: red">MOS要怎么選?!?? “這個(gè)需要
2025-02-17 10:50:251545

PSC2065L碳化硅肖特基二極在TO247 R2P應(yīng)用

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2025-02-14 15:21:320

CS1262封裝

誰有CS1262的封裝庫或者 DEMO 開發(fā)板的資料
2025-02-14 14:59:00

SN74ALVC164245封裝中,DL、DGG性能一致嗎?

沒有問題吧?該芯片使用28V轉(zhuǎn)5V,5V最大輸出電流3A,輸入28V電流是多少? SN74ALVC164245封裝中,DL、DGG性能一致?市面上都容易毛到?我考慮使用DL封裝 謝謝!
2025-02-14 06:55:48

SOD1002-1塑料、表面貼封裝

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2025-02-13 14:43:260

MOS的并聯(lián)使用:如何保證電流均流?

。因此,如何保證并聯(lián)MOS的電流均流,是設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面,探討實(shí)現(xiàn)電流均流的方法: 1. MOS選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS 導(dǎo)通電阻(Rds(on)) :MOS的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:354243

SOT8061-1塑料、表面貼封裝

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2025-02-10 16:20:330

SOT8098-1塑料、表面貼封裝

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2025-02-10 15:52:341

新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
2025-02-08 08:34:44972

詳解TOLL封裝MOS應(yīng)用和特點(diǎn)

TOLL封裝MOS廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn),TOLL封裝MOS在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。
2025-02-07 17:14:041918

整流二極封裝類型

整流二極封裝類型多種多樣,每種類型都有其特定的應(yīng)用場景和優(yōu)勢。選擇合適的封裝類型對于確保器件的性能和可靠性至關(guān)重要。以下是一些常見的整流二極封裝類型: 1. DO-41封裝 DO-41
2025-01-15 09:09:482833

新品 | 670V TRENCHSTOP? IGBT7 PR7帶反并聯(lián)二極TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝

670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯(lián)二極TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產(chǎn)品專門針對RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進(jìn)行了優(yōu)化。它是TRENCHSTOPIGBT5
2025-01-09 17:06:511232

SMD貼片元件的封裝尺寸

SMD貼片元件的封裝尺寸
2025-01-08 13:43:197

EE-247:AD7676 ADC與ADSP-21065L SHARC處理器接口

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-247:AD7676 ADC與ADSP-21065L SHARC處理器接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 09:45:140

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