新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝,兼具前沿的SiC技術(shù)與高爬電距離的堅(jiān)固
2026-01-04 17:06:49
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探索FRDM - MCXE247開發(fā)板:功能、特性與使用指南 在電子設(shè)計(jì)和開發(fā)的領(lǐng)域中,一款優(yōu)秀的開發(fā)板能夠?yàn)楣こ處焸兲峁?qiáng)大的支持和便利。今天,我們就來深入了解一下NXP推出的FRDM
2025-12-24 11:10:06
169 的PF2472系列 - Riedon? TO - 247功率電阻器,看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來哪些驚喜。 文件下載: Bourns Riedon? PF2472 TO-247功率電阻器.pdf 產(chǎn)品背景與外觀
2025-12-22 14:40:09
211 的全面對比與應(yīng)用解析,探討它們各自的特點(diǎn)及應(yīng)用場景。封裝特點(diǎn)對比DO-15封裝尺寸與外觀:DO-15封裝的二極管體積小巧,外形尺寸通常為直徑約4.5mm,長度約9.5
2025-12-18 16:25:21
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陸芯科技正式推出內(nèi)絕緣IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGJ75N65FSA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench平臺(tái),TO247-3內(nèi)絕緣封裝。
2025-12-17 11:28:13
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逆變電源、工業(yè)開關(guān)電源、電焊機(jī)及高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用,對核心功率開關(guān)器件有嚴(yán)苛要求:高耐壓、大電流、低損耗及出色的抗沖擊能力。TO-220封裝的FHP20N50B型號(hào)MOS管憑借其出色的散熱性能與參數(shù)特點(diǎn),成為這類中高功率應(yīng)用的選型推薦。
2025-12-15 17:53:03
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威兆半導(dǎo)體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-12 15:36:26
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威兆半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-12 15:26:26
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FHP20N65B作為一款N溝道增強(qiáng)型VDMOS,采用TO-220封裝,具備優(yōu)異的開關(guān)特性與可靠性,可廣泛適用于AC-DC開關(guān)電源、電源適配器、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備配套電源、工業(yè)設(shè)備電源及鋰電池充電器等場景。
2025-12-05 11:48:17
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了元件排列密度、走線空間及散熱效率,成為優(yōu)化布局密度的關(guān)鍵變量。 一、封裝尺寸與元件排列密度:小尺寸實(shí)現(xiàn)指數(shù)級(jí)提升 三星貼片電容的封裝尺寸每縮小一個(gè)等級(jí),單位面積內(nèi)可容納的元件數(shù)量呈指數(shù)級(jí)增長。以0201封裝(0.50mm×0.25mm)為例,其體積僅為0402封裝
2025-12-04 16:35:18
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在電焊機(jī)應(yīng)用中,IGBT單管的耐壓能力、開關(guān)特性、導(dǎo)通損耗和可靠性直接影響整機(jī)的焊接性能、能耗水平和使用壽命。飛虹半導(dǎo)體推出的FHA25T120A(TO-247封裝)是一款專為電焊機(jī)優(yōu)化的場溝槽柵
2025-11-28 13:50:05
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SOT-23封裝的AO3400型號(hào)MOS管擊穿失效的案例,過程中梳理出MOS管最常見的失效原因,以及如何從原理層面規(guī)避這些問題。
2025-11-26 09:47:34
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如BMS、電機(jī)控制、電力開關(guān)的12V系統(tǒng)對低內(nèi)阻MOS管的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設(shè)計(jì)的解決方案。而HKTD100N03這款采用TO-252封裝的N溝道MOS管,以
2025-11-26 09:44:40
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在功率電子設(shè)備向小型化、高效化發(fā)展的當(dāng)下,合科泰TOLL4封裝是超結(jié)MOS管HKTS13N65,憑借超結(jié)工藝與TOLL4封裝的協(xié)同優(yōu)化,成為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)等領(lǐng)域提升功率密度的核心選擇。這款N
2025-11-26 09:42:00
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在電子電路設(shè)計(jì)中,肖特基二極管作為高頻、低功耗應(yīng)用的理想選擇,其選型至關(guān)重要。德昌推出的SOD-123封裝肖特基二極管系列,憑借其低正向壓降、快速反向恢復(fù)時(shí)間和高可靠性,廣泛應(yīng)用于電源管理、高頻
2025-11-25 16:55:43
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FHA75T65V1DL作為一款飛虹第七代場截止(Trench Field Stop VII )技術(shù)工藝設(shè)計(jì)的IGBT單管,采用TO-247封裝,具備具有極低的VCE(sat)和極短的拖尾電流??蓮V泛適用于太陽能逆變器、UPS、變頻器、電焊機(jī)以及所有硬開關(guān)等電路設(shè)計(jì)。
2025-11-21 10:38:35
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在過載情況下能夠安全運(yùn)行。
13、柵極電壓范圍:確保MOS管的柵極電壓范圍與驅(qū)動(dòng)電路兼容。
14、體二極管特性:對于驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載或需要續(xù)流路徑的應(yīng)用,體二極管的特性很重要。
15、封裝類型:不同的封裝會(huì)影響散熱能力和安裝方式。
2025-11-20 08:26:30
新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件,是電動(dòng)汽車充電、儲(chǔ)能
2025-11-17 17:02:54
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在如BMS、電機(jī)控制、負(fù)載開關(guān)的12V/24V電源系統(tǒng)中,高電流容量、低損耗與可靠性是核心需求,合科泰新推出的HKTS190N03與HKTS190N04的TOLL4封裝MOS管,正是針對這類場景
2025-11-17 14:49:15
614 高速風(fēng)筒作為高頻使用的家電產(chǎn)品,其電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及輔助回路對MOS管的性能要求差異顯著。合科泰針對高速風(fēng)筒的電路特性,推出5N50ER慢恢復(fù)MOS管與5N50ES快恢復(fù)MOS管,通過針對性的性能設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)不同電路場景下的精準(zhǔn)適配,平衡性能與成本。
2025-11-17 14:44:51
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在快速發(fā)展的工業(yè)自動(dòng)化與電力電子領(lǐng)域,變頻器作為核心設(shè)備,其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到生產(chǎn)效率與設(shè)備穩(wěn)定性。而德昌SOD-323封裝肖特基二極管,憑借其卓越的電氣特性與精巧的封裝設(shè)計(jì),正成為推動(dòng)變頻器高效
2025-11-08 14:01:00
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在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn),是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管,以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L
2025-11-05 16:30:47
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陸芯科技正式推出1200V15A GEN3 IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGW15N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái),PitchSize 1.6um,TO247封裝。
2025-10-30 17:21:52
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工業(yè)通信核心組件:1×9封裝TTL串口光纖模塊深度解析 在工業(yè)自動(dòng)化和智能制造領(lǐng)域,高效可靠的通信系統(tǒng)是連接各個(gè)環(huán)節(jié)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。1×9封裝TTL串口光纖模塊作為工業(yè)通信的核心組件,在這一生態(tài)中扮演著
2025-10-20 16:28:33
490 逆變器提供最佳系統(tǒng)性能和效率平衡,具有低損耗和必要的短路功能。該器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),最高結(jié)溫為+175°C,短路耐受時(shí)間為6μs,30A時(shí)V~CE(sat)~ 低至1.7V,參數(shù)分布緊密。該器件還包括軟、快速恢復(fù)反向并聯(lián)二極管和低熱阻,采用TO-247長引線封裝。
2025-10-17 17:49:10
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本文將帶來星海SK系列肖特基二極管SMBG、SMBX、SMC三種封裝選型建議,幫助您為項(xiàng)目選擇最合適的器件。SMBG封裝尺寸適中:體積相對較小,適合在空間有限的P
2025-10-16 16:08:09
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電壓降的續(xù)流二極管。STMicro STGWA30IH160DF2專門設(shè)計(jì)用于讓任何諧振和軟開關(guān)應(yīng)用的效率最大化。該器件采用TO-247長引線封裝。
2025-10-15 17:06:05
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工程師們在電子設(shè)備電路設(shè)計(jì)時(shí),是不是常常被MOS管選型搞得頭大?電壓、電流、封裝需求五花八門,封裝不匹配安裝難,溝道類型或參數(shù)不對影響整機(jī)性能,而MOS管選得好不好直接關(guān)系到產(chǎn)品性能和可靠性。別愁啦
2025-10-11 13:55:06
589 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,封裝技術(shù)的創(chuàng)新正成為提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵突破口。借鑒ROHM DOT-247“二合一”封裝理念,翠展微電子推出全新?6-powerSMD?封裝,以模塊化設(shè)計(jì)、成本優(yōu)勢和卓越性能,為光伏逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等中小功率場景提供更優(yōu)解決方案。
2025-09-29 11:17:43
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在掌握MOS管的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、原理與分類后,實(shí)際工程應(yīng)用中更需關(guān)注選型匹配、故障排查及驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化三大核心環(huán)節(jié)。本文將結(jié)合工業(yè)與消費(fèi)電子場景,拆解MOS管應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn),幫助工程師規(guī)避常見風(fēng)險(xiǎn),提升電路可靠性與性能。
2025-09-26 11:25:10
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”,該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性,同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。
2025-09-26 09:48:02
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揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái),極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致性好,可靠性優(yōu)良,適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-09-18 18:01:39
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Bourns 推出全新 Riedon 系列功率電阻。此系列采用緊湊型 TO-247 封裝,具備堅(jiān)固耐用、高功率的厚膜電阻特性,能在搭配散熱器時(shí)提供高達(dá) 100 W 的輸出功率,并可承受最高 700
2025-09-17 14:37:11
678 ,快充專用MOS管
惠海半導(dǎo)體其他MOS管封裝及應(yīng)用
*常用封裝:DFN3333、SOT89-3、SOT23-3、SOP-8、TO-252、TO-220等
*常用型號(hào):3400、5N10、10N10
2025-09-10 09:24:59
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,肖特基二極管的封裝選型直接影響電路性能與空間利用率。星海(STARSEA)SD系列的SOD-123與SOD-323兩款貼片封裝,憑借差異化技術(shù)設(shè)計(jì),精準(zhǔn)適配不同場景,成為工程師選型
2025-09-09 13:55:19
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新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ,TO247-4引腳IMZA封裝,確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有
2025-09-08 17:06:34
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三環(huán)貼片電容0805封裝的尺寸為長2.0mm、寬1.2mm(或1.25mm),厚度通常為0.5mm至0.8mm 。具體分析如下: 1、長度與寬度 : 0805封裝的命名源于其英制尺寸,即長0.08
2025-09-08 15:25:37
1540 產(chǎn)品簡介: IPW90R120C3-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO247封裝,專為高壓和高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET 采用了先進(jìn)的超結(jié)(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術(shù)
2025-09-02 13:53:44
### 一、IPW65R420CFD-VB 產(chǎn)品簡介IPW65R420CFD-VB 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于平面技術(shù)(Plannar Technology)制造。這款
2025-09-02 13:48:31
### 一、IPW65R280E6-VB 產(chǎn)品簡介IPW65R280E6-VB 是一款高電壓單通道 N 型 MOSFET,采用 TO247 封裝,專為高功率和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源極電壓 (VDS
2025-09-02 13:41:35
### 一、IPW65R190CFD-VB 產(chǎn)品簡介IPW65R190CFD-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO247封裝。該MOSFET 具有650V的擊穿電壓和160mΩ的導(dǎo)通電
2025-09-02 13:36:38
### 一、IPW65R080CFDA-VB 產(chǎn)品簡介IPW65R080CFDA-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,封裝為TO-247,采用Super Junction(SJ)多重外延
2025-09-02 11:46:01
### 一、產(chǎn)品簡介:IPW65R070C6-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO247,采用先進(jìn)的 SJ_Multi-EPI 技術(shù)。這款 MOSFET 的最大漏源電壓 (VDS
2025-09-02 11:42:50
一、產(chǎn)品簡介IPW60R280E6-VB 是一款采用TO247封裝的單N溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于高壓和中等電流應(yīng)用。該器件具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)承受能力
2025-09-02 11:37:31
### IPW60R190E6-VB 產(chǎn)品簡介IPW60R190E6-VB 是一款采用TO247封裝的N溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于高電壓和高功率應(yīng)用。其漏源極電壓(VDS)高達(dá)650V,柵源極電壓
2025-09-02 11:25:02
**產(chǎn)品簡介:**IPW60R190C6-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用超結(jié)(SJ)多重外延(Multi-EPI)技術(shù),封裝為TO247。它設(shè)計(jì)用于高壓高效應(yīng)用,具有650V的漏源極電壓
2025-09-02 11:21:50
### 一、IPW60R160C6-VB 產(chǎn)品簡介IPW60R160C6-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于Super Junction(SJ)多重外延
2025-09-02 11:16:53
### 一、產(chǎn)品簡介 **IPW60R099CP-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝為TO247,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS
2025-09-02 11:06:03
### 一、IPW50R350CP-VB 產(chǎn)品簡介IPW50R350CP-VB 是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于Super Junction(SJ)多重外延
2025-09-02 10:44:18
### 一、產(chǎn)品簡介:IPW50R299CP-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO247,采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)。這款 MOSFET 的漏源電壓 (VDS) 高達(dá)
2025-09-02 10:38:01
### 一、IPW50R140CP-VB 產(chǎn)品簡介IPW50R140CP-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO247封裝,設(shè)計(jì)用于處理高電流和高電壓應(yīng)用。它具有500V的擊穿電壓,并采用
2025-09-02 10:28:27
陸芯科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGW50N120TMA1。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái),PitchSize 1.6um,TO247封裝。
2025-08-21 14:46:18
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Texas Instruments TPS2001EEVM-247評估模塊一款簡單易用的電源開關(guān)模塊,具有2A最大工作電流,以及使能開關(guān)和故障指示功能。TI TPS2001EEVM-247評估模塊
2025-08-20 14:11:41
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來源:海思官網(wǎng)截圖#海思此次推出的兩款1200VSiC單管均采用TO-247-4封裝,具備優(yōu)良的導(dǎo)通和快速開關(guān)特性,能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。具體而言,AS
2025-07-29 06:21:51
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季豐電子極速封裝部再添 “新戰(zhàn)力”—— 正式具備 TO247-3P 封裝能力!這一技術(shù)突破不僅代表我們在封裝領(lǐng)域邁上一個(gè)新的臺(tái)階,同時(shí)將為廣大客戶帶來更適配、更高效的封裝解決方案,助力客戶產(chǎn)品研發(fā)加速落地。
2025-07-28 15:17:44
908 的設(shè)計(jì),成為工業(yè)逆變器、伺服驅(qū)動(dòng)和不間斷電源等應(yīng)用的理想選擇。本文將為您詳細(xì)介紹這款產(chǎn)品的關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢。 產(chǎn)品概述 DGW40N120CTLQ是一款1200V/40A的IGBT分立器件,采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝。該產(chǎn)品不僅集成了IGBT芯片,還內(nèi)置了快速軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管(FWD),
2025-06-26 13:53:20
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在功率器件領(lǐng)域,TO-252封裝的MOS管因緊湊尺寸與性價(jià)比優(yōu)勢成為工業(yè)場景的主流選擇。合科泰HKTD80N06通過單芯片工藝革新,在標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)性能突破,為新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域提供“高可靠、低阻抗、易散熱”的核心器件,助力B端客戶提升產(chǎn)品競爭力。
2025-05-29 10:09:48
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在電子制造領(lǐng)域,傳統(tǒng)插件封裝器件(如TO-247/TO-220)正面臨轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。盡管這類封裝方案仍占據(jù)特定市場份額,但居高不下的生產(chǎn)成本以及勞動(dòng)密集型的插裝工序,已嚴(yán)重制約企業(yè)的降本增效
2025-05-29 09:52:31
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陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺(tái),PitchSize 1.6um,TO247封裝。
2025-05-27 12:04:17
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:散熱、尺寸與安裝方式的平衡??封裝不僅決定了二極管的物理尺寸,還直接影響其散熱能力和電流承載能力。常見的封裝類型包括:??TO-220/TO-247??(大功率)
2025-05-22 10:18:57
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英飛凌推出2.5kW功率因數(shù)校正(PFC)評估板,展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現(xiàn)。該評估板集成PFC控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器和碳化硅二極管,專為電源電子工程師設(shè)計(jì),用于評估4針封裝在效率和信號(hào)質(zhì)量上的優(yōu)勢。
2025-05-19 13:49:00
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特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社(東京都中央?yún)^(qū),代表董事:木村岳史,以下簡稱特瑞仕)開發(fā)了集小型化、高耐壓、線圈一體式降壓同步整流為一體的通用型"micro DC/DC"轉(zhuǎn)換器XCL247/XCL248系列。該產(chǎn)品憑借節(jié)省空間、輕載高效等易用特性,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備/消費(fèi)電子等所有領(lǐng)域。
2025-04-18 16:45:57
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ULN2003 7通道SOP16封裝達(dá)林頓晶體管驅(qū)動(dòng)器英文手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-04-17 16:11:57
1 在電子元件微型化趨勢下,0201貼片電容憑借其超小型封裝尺寸,已成為手持設(shè)備、無線傳感器等高密度電路設(shè)計(jì)的核心元件。其封裝尺寸直接決定了電路設(shè)計(jì)的空間利用率和性能表現(xiàn),本文將對其封裝尺寸進(jìn)行詳細(xì)解析
2025-04-10 14:28:15
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1.外圍電路1.1.柵極電阻R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結(jié)電容的充放電速度。對于MOS管而言,開通速度越快,開通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩,震蕩波形(GS之間,這個(gè)震蕩與MOS管
2025-04-09 19:33:02
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HMC247是一款模擬移相器芯片,通過0至+10V的模擬控制電壓控制。 HMC247分別在9 GHz和18 GHz下提供0至300度和0至100度的連續(xù)可變相移,并提供一致的插入損耗和相移。 該相移
2025-04-09 10:49:26
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隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS管的封裝技術(shù)經(jīng)歷了許多變革,從而間接地影響到了智能應(yīng)用的表現(xiàn)。合科泰將帶您深入探討MOS管封裝技術(shù)的演變。
2025-04-08 11:29:53
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LF247是高速 J-FET 輸入四通道運(yùn)算放大器,在單片集成電路中集成了匹配良好的高壓 J-FET 和雙極晶體管。
2025-03-31 09:42:30
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貼片三極管是電子元件中的重要組成部分,其封裝形式及尺寸直接影響到電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、性能和生產(chǎn)成本。以下是常見的貼片三極管封裝形式、對應(yīng)尺寸及其應(yīng)用領(lǐng)域的詳細(xì)介紹: 一、常見貼片三極管封裝形式及尺寸 1
2025-03-26 15:23:51
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新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V,TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也采用TO-247-2封裝。在高達(dá)1500V的高直流母線系統(tǒng)
2025-03-25 17:04:24
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瑞能全新TO247 2000V 90A整流管WND90P20W閃亮登場!
2025-03-25 16:57:58
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MUR8040PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極管手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:32:54
0 MUR6040PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極管手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:31:02
0 MUR6030PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極管手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:29:31
0 MUR4060PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極管手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:28:12
0 MUR3040PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極管手冊,TO-247封裝。
2025-03-24 14:27:08
0 MUR6060PT,F(xiàn)RED 快恢復(fù)二極管手冊,TO-247AC封裝。
2025-03-24 14:20:37
0 圖說明:①、考慮PCB板尺寸沒有要求,可能需要手工焊接,電阻選用常用0603封裝的;②、R23與R24為反饋電阻,選用精度為1%的;③、電阻功耗都比較小,沒有選擇更大封裝的尺寸。 二、電容1、選型依據(jù)容
2025-03-22 15:14:09
CH246 ? 和 ? CH247 ? 的功能對比分析,內(nèi)容基于公開技術(shù)資料整理,供參考: ? 一、核心功能定位 ? 特性 CH246 CH247 ? 主要應(yīng)用 ? 無線充電發(fā)射端(Tx)單芯片方案
2025-03-19 16:16:47
1807 在電子設(shè)計(jì)中,MDD整流二極管的封裝選擇直接影響電路的性能、可靠性和成本。某工業(yè)電源項(xiàng)目因封裝選型不當(dāng),導(dǎo)致整流二極管溫升超標(biāo),最終引發(fā)批量失效。MDD本文通過對比DIP、SMA、DO-41等常見
2025-03-18 11:29:51
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英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:32
1135 在電力電子設(shè)計(jì)中,MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管,直接損失50萬元。本文以真實(shí)案例為鑒,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體帶您解析MOS管選型中的十大參數(shù)陷阱,為工程師
2025-03-04 12:01:40
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOD1001-1塑料,表面貼裝封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-20 13:53:25
0 MOS管選型需考慮溝道類型(NMOS或PMOS)、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝,同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本,避免混淆NMOS和PMOS?!安恢?b class="flag-6" style="color: red">MOS管要怎么選?!?? “這個(gè)需要
2025-02-17 10:50:25
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 15:21:32
0 誰有CS1262的封裝庫或者 DEMO 開發(fā)板的資料
2025-02-14 14:59:00
沒有問題吧?該芯片使用28V轉(zhuǎn)5V,5V最大輸出電流3A,輸入28V電流是多少?
SN74ALVC164245封裝中,DL、DGG性能一致?市面上都容易毛到?我考慮使用DL封裝
謝謝!
2025-02-14 06:55:48
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2025-02-13 14:43:26
0 。因此,如何保證并聯(lián)MOS管的電流均流,是設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面,探討實(shí)現(xiàn)電流均流的方法: 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導(dǎo)通電阻(Rds(on)) :MOS管的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:35
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8061-1塑料、表面貼裝封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 16:20:33
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8098-1塑料、表面貼裝封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 15:52:34
1 新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
2025-02-08 08:34:44
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TOLL封裝MOS管廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電子游戲、汽車電子控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。由于其高集成度、低功耗和穩(wěn)定性好的特點(diǎn),TOLL封裝MOS管在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著重要的角色。
2025-02-07 17:14:04
1918 整流二極管的封裝類型多種多樣,每種類型都有其特定的應(yīng)用場景和優(yōu)勢。選擇合適的封裝類型對于確保器件的性能和可靠性至關(guān)重要。以下是一些常見的整流二極管封裝類型: 1. DO-41封裝 DO-41
2025-01-15 09:09:48
2833 670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產(chǎn)品專門針對RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進(jìn)行了優(yōu)化。它是TRENCHSTOPIGBT5
2025-01-09 17:06:51
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SMD貼片元件的封裝尺寸
2025-01-08 13:43:19
7 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-247:AD7676 ADC與ADSP-21065L SHARC處理器接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 09:45:14
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