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EN-1230A可對各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導(dǎo)通延 遲時間、關(guān)斷延遲時間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復(fù)時間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化 率、反向恢復(fù)電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、柵極串聯(lián)等效電阻、雪崩耐量進(jìn)行測試。
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