、13 mOhm導(dǎo)通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應(yīng)用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應(yīng)用而設(shè)計(jì)并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)
2022-05-12 10:20:49
6099 
本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET。對(duì)于設(shè)計(jì)師而言，關(guān)鍵的問題是FET可能會(huì)經(jīng)受的最大浪涌電流（或預(yù)計(jì)會(huì)限制到輸出）是多大，以及這種浪涌會(huì)持續(xù)多久。了解了這些信息，就可以相對(duì)簡(jiǎn)單地在設(shè)備數(shù)據(jù)表的SOA圖上查找相應(yīng)的電流和電壓差。
2018-08-06 17:19:308645 
Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電（PoE）應(yīng)用提供ASFET系列。
2020-10-23 09:38:131208 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對(duì)要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動(dòng)
2023-03-22 09:11:331254 
熱插拔電路主要用于高可用性系統(tǒng)，例如數(shù)據(jù)中心和電信基礎(chǔ)設(shè)施。在高可用性系統(tǒng)中采用熱插拔電路時(shí)，即使需要更換或添加組件以維持系統(tǒng)運(yùn)行，系統(tǒng)也不會(huì)中斷運(yùn)行。 對(duì)于電信服務(wù)器應(yīng)用而言，高功率和高冗余
2024-09-09 16:21:491605 
DC2116A-A，演示板用于LTC4234 20A保證SOA熱插拔控制器。演示電路2116A具有LTC4234 20A保證SOA熱插拔控制器。 LTC4234非常適用于2.9V至15V應(yīng)用中的緊湊型配電控制，用于熱板插入保護(hù)，高端功率開關(guān)和電子斷路器功能
2020-08-21 09:48:09
DC2116A-B，演示板用于LTC4233 10A保證SOA熱插拔控制器。演示電路2116A具有LTC4233 10A保證SOA熱插拔控制器。 LTC4233非常適用于2.9V至15V應(yīng)用中的緊湊型配電控制，用于熱板插入保護(hù)，高端功率開關(guān)和電子斷路器功能
2020-08-20 14:16:59
MOSFET 采用 100%銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅(jiān)固耐用，提供較高的板級(jí)可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用?！?具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統(tǒng)應(yīng)用
2022-10-28 16:18:03
的小型封裝，將高功率和熱效率與極高的質(zhì)量水平相結(jié)合。查看詳情<<特性：符合AEC Q101重復(fù)雪崩等級(jí)額定溫度為175°C，適用于高溫環(huán)境真邏輯電平門在175°C時(shí)的VGS
2021-01-23 11:20:27
什么是熱插拔？熱插拔（hot-plugging或Hot Swap）即帶電插拔，熱插拔功能就是允許用戶在不關(guān)閉系統(tǒng)，不切斷電源的情況下取出和更換損壞的硬盤、電源或板卡等部件，從而提高了系統(tǒng)對(duì)災(zāi)難的及時(shí)
2011-12-13 10:53:12
熱插拔的基本原理是什么？熱插拔有哪些功能？
2021-05-24 06:01:21
當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時(shí)，電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對(duì)電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護(hù)應(yīng)用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時(shí)
2019-08-06 06:28:49
介紹了一種框架，用于檢查設(shè)計(jì)的各項(xiàng)重要參數(shù)和熱插拔系統(tǒng)保護(hù)電路的PCB布局。另外，文章還列出了相關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果報(bào)告?！ 「呙芏认到y(tǒng)的熱插拔電路保護(hù) 許多分布式電源系統(tǒng)（如圖1所示）都集成了總線轉(zhuǎn)換器
2018-09-26 17:32:54
適用于DB32，DB20和DB13的電源解決方案Vid_3.3V電源使用LTC1422，LTC1422是一個(gè)8引腳熱插拔控制器，可將外部外設(shè)安全插入器件托架插槽
2020-06-08 13:08:29
適用于需要省空間且低噪特性的無(wú)線通信設(shè)備和PCIe板等。隨著設(shè)備高功能化，使電源部分小型化能有助于有效使用基板的空間。本產(chǎn)品已在WAKURA村田制作所開始量產(chǎn)，也可應(yīng)對(duì)客戶的樣品要求。特點(diǎn)小型：產(chǎn)品及包括
2019-03-03 17:52:03
至DC全波整流或DC極性校正的應(yīng)用。 LT4320驅(qū)動(dòng)四個(gè)N溝道MOSFET，可在功能上與二極管橋類似地執(zhí)行全波整流，但功耗更低。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化了熱設(shè)計(jì)并增加了可用的輸出電壓
2019-04-11 06:44:02
的數(shù)量6倍倍增也意味著驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的印刷電路板（PCB）占用面積增加了6倍，那么BLDC設(shè)計(jì)不大可能仍適用于電動(dòng)工具和園藝工具制造商。請(qǐng)記住，電力電子設(shè)備通常位于這些工具的手柄中；因此，為適應(yīng)最小的手部
2018-06-27 09:58:14
時(shí)，就只能先拜關(guān)公，后拼人品了。 HDMI端口建議使用ESD10N4LC05、ESD26T4LC05靜電抑制芯片，這兩種芯片是采用TVS陣列設(shè)計(jì)，對(duì)HDMI端口可以全方位保護(hù)。ESD10N4LC05結(jié)電容極低，適用于HDMI 2.0端口高速傳輸。
2017-06-27 17:39:35
則不會(huì)。要檢查MOSFET是否有危險(xiǎn)，您需要考慮熱插拔控制器能夠承受的功率大小和持續(xù)時(shí)間的極限，并需要將其與MOSFET可無(wú)故障處理的功率大小和持續(xù)時(shí)間相比較。設(shè)計(jì)計(jì)算器工具將通過收集所有必要的輸入
2018-05-30 10:10:53
熱插拔控制器，MOSFET和檢測(cè)電阻集成在5mm 3mm DFN中，可在狹小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精確的電流限制和負(fù)載電流監(jiān)測(cè)
2019-10-25 07:05:29
MOSFET的安全工作區(qū)為什么SOA對(duì)于熱插拔應(yīng)用非常重要？
2021-03-08 07:49:01
對(duì)功率模塊和功率級(jí)的定義解決舊問題的新方法本技術(shù)文章的目的是說明TI如何為單個(gè)分立FET與集成功率模塊指定SOA的差異。如早期技術(shù)文章中所述，TI的分立功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的SOA曲線適用于
2019-07-30 22:47:52
使用熱插拔控制器的優(yōu)勢(shì)電子熔絲與熱插拔控制器之間的主要區(qū)別是熱插拔是一種能夠驅(qū)動(dòng)外部FET的控制器（如圖1所示）。FET通過熱插拔控制器中的控制邏輯進(jìn)行開啟和關(guān)閉，以調(diào)節(jié)負(fù)載處的電源供應(yīng)。當(dāng)感應(yīng)電
2022-11-17 07:12:49
則不會(huì)。要檢查MOSFET是否有危險(xiǎn)，您需要考慮熱插拔控制器能夠承受的功率大小和持續(xù)時(shí)間的極限，并需要將其與MOSFET可無(wú)故障處理的功率大小和持續(xù)時(shí)間相比較。設(shè)計(jì)計(jì)算器工具將通過收集所有必要的輸入
2018-09-03 15:17:27
VOUT 圖 1：具保證 SOA 的高電流、低導(dǎo)通電阻、12V 熱插拔圖 2 中的示波器波形顯示了當(dāng)在輸入端加電時(shí)的電路運(yùn)行方式。很明顯這是一種“階段式啟動(dòng)”。首先，LTC4234 的內(nèi)部 MOSFET 在
2018-10-23 14:26:00
：IRFB4410的SOA曲線圖5：IRL40B212的SOA曲線負(fù)載開關(guān)及熱插拔較長(zhǎng)時(shí)間工作在導(dǎo)通電阻的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)，分立MOSFET組成的LDO一直工作在負(fù)溫度系數(shù)區(qū)，也就是上面所謂的線性區(qū)，以后會(huì)推送文章說明這二種應(yīng)用設(shè)計(jì)的要點(diǎn)。
2016-10-31 13:39:12
有限，直到NT 4.0開始，微軟開始注意到NT操作系統(tǒng)將針對(duì)服務(wù)器領(lǐng)域，而這個(gè)領(lǐng)域中熱插拔是很關(guān)鍵的一個(gè)技術(shù)，所以操作系統(tǒng)中就增加了完全的熱插拔支持，并且這個(gè)特性一直延續(xù)到基NT技術(shù)的Windows
2012-10-23 10:26:55
基于LTC4224的熱插拔應(yīng)用，適用于5V和3.3V電壓軌。通常，專用DC / DC轉(zhuǎn)換器控制1.xV電壓軌并限制每個(gè)模塊的浪涌電流
2019-09-11 08:42:31
Linux中Netlink實(shí)現(xiàn)熱插拔監(jiān)控——內(nèi)核與用戶空間通信
2020-03-19 11:42:33
應(yīng)用實(shí)例設(shè)計(jì) 2.1 TPS2491功能結(jié)構(gòu) TPS2491是TI推出的一款正高壓熱插拔控制器，支持9-80 V正壓系統(tǒng)，適用于保護(hù)新興正高壓分布式電源系統(tǒng)，如12 V、24 V與48 V服務(wù)器背板
2018-10-08 15:26:22
適用于熱插拔測(cè)試的有效性。表2.使用計(jì)算的、非重復(fù)排列的連接序列在現(xiàn)實(shí)世界的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中是不實(shí)際的。因此，新設(shè)計(jì)的熱插拔序列將應(yīng)力應(yīng)用于連接的內(nèi)部偏置。這在一次方法中比簡(jiǎn)單的條件更強(qiáng)調(diào)設(shè)備的條件。組合
2018-09-07 18:20:00
要監(jiān)視更多的傳感器。本文將討論如何顯著減少PCB占用空間，增加通道密度以及最大限度地發(fā)揮其他組件和功能與TI微型數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器高度集成的優(yōu)勢(shì)，從而以更小的尺寸創(chuàng)造更多的價(jià)值。第一個(gè)優(yōu)點(diǎn)：PCB占用空間更小
2022-11-09 06:13:10
隨著系統(tǒng)尺寸越來越小，每平方毫米的印刷電路板（PCB）面積都至關(guān)重要。與此同時(shí)，隨著對(duì)數(shù)據(jù)需求的增加，則需要監(jiān)視更多的傳感器。 本文將討論如何顯著減少PCB占用空間，增加通道密度以及最大限度地發(fā)揮其他組件和功能與TI微型數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器高度集成的優(yōu)勢(shì)，從而以更小的尺寸創(chuàng)造更多的價(jià)值。
2021-01-19 06:41:35
當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時(shí)，電路寄生電感元件上的大電流擺動(dòng)會(huì)產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對(duì)電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護(hù)應(yīng)用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時(shí)
2020-10-29 06:54:03
安路CPLD支持熱插拔不？
2023-08-11 10:00:03
求一個(gè)適用于高頻開關(guān)電路的mosfet，極間電容要小一點(diǎn)，越小越好
2019-08-19 13:47:23
導(dǎo)讀：一般情況下，二極管或電路用于采用備用電源的系統(tǒng)，本文所介紹的LTC4225、LTC4227 和 LTC4228 通過控制外部 N 溝道 MOSFET,為兩個(gè)電源軌實(shí)現(xiàn)了理想二極管和熱插拔
2018-09-29 16:41:57
我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。一種估算熱插拔MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。本文中，我們把圖1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)
2013-09-12 15:51:10
MOSFET功耗和負(fù)載電容的精確值。設(shè)置示波器簡(jiǎn)化起見，我們用圖1所示的MAX5976熱插拔電路來做演示，其內(nèi)置的檢流功能和帶驅(qū)動(dòng)的MOSFET構(gòu)成了一個(gè)完整的電源切換電路(下面的測(cè)試方法同樣適用于由分立元件
2018-04-19 10:54:40
內(nèi)容簡(jiǎn)介
• 熱插拔簡(jiǎn)介• 熱插拔控制器及其應(yīng)用• MOSFET的安全運(yùn)作范圍（SOA）• LM5068 負(fù)電壓熱插拔控制器• LM5069 正電壓熱插拔控制器
2010-06-30 19:32:54
23 熱插拔表示一個(gè)系統(tǒng)在輸入端、輸出端和信號(hào)總線都處于工作狀態(tài)的情況下，安裝或拆卸電源模塊的能力。熱插拔冗余電源系統(tǒng)增加了系統(tǒng)的容錯(cuò)程度，這對(duì)于要求緊急停機(jī)的系
2010-10-04 21:32:0153 熱插拔PCI電源控制器MIC2580的應(yīng)用
MIC2580是MICREL公司2000年7月推出的新產(chǎn)品，是一種適用于PCI熱插拔系統(tǒng)及Compact PCITM熱插拔系統(tǒng)的電源控制器。該器件主要
2009-02-08 11:00:501391 
適用于汽車的DirectFET2功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅(jiān)固可靠、
2010-01-26 16:25:041724 本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容
2011-01-06 14:28:18927 
MAX5976A/MAX5976B為完全集成的解決方案，適用于需要在帶電背板上安全插入、拔出電路板卡的熱插拔應(yīng)用。器件在單芯片封裝內(nèi)集成了熱插拔控制器、24mΩ功率MOSFET以及電子斷路器保護(hù)
2011-02-18 09:49:191442 
雖然系統(tǒng)升級(jí)后的新功能通常會(huì)占用更多的儲(chǔ)存空間，但蘋果最新的iOS 10.3卻可以釋放更多的可用容量。很多用戶升級(jí)后發(fā)現(xiàn)，設(shè)備的可用容量提升了很多。根據(jù)測(cè)試，256GB的 iPhone 7 Plus完成升級(jí)后，系統(tǒng)可用容量增加了7.81 GB。
2017-03-30 23:57:423918 電源設(shè)計(jì)小貼士28&29：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升
2018-08-16 00:10:007514 MOSFET 的安全工作區(qū) （SOA） 經(jīng)過生產(chǎn)測(cè)試并保證滿足規(guī)格要求，以確保實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固型熱插拔解決方案，特別適用于服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由器和交換器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)系統(tǒng)中的空間受限電路板和插件卡。
2018-09-05 15:11:001944 增加了在PCB布局或原理圖與3D之間進(jìn)行交叉探測(cè)的功能。
2019-08-14 08:12:003132 LTC4224 - 適用于光網(wǎng)絡(luò)的纖巧雙路熱插拔控制器
2021-03-18 20:35:288 MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
2021-03-20 08:32:3316 LTC4234：20A保證SOA熱插拔控制器數(shù)據(jù)表
2021-04-18 19:44:377 LTC4233：10A保證SOA熱插拔控制器數(shù)據(jù)表
2021-04-20 09:24:385 新的三端穩(wěn)壓器增加了功能
2021-04-23 11:22:163 DN253 LTC1646：電源隔離控制器簡(jiǎn)化了僅適用于5V/3.3V應(yīng)用的CompactPCI總線熱插拔
2021-04-25 17:06:551 LTC4234LTC4365演示電路-大電流、低導(dǎo)通電阻、12V熱插拔，保證SOA
2021-06-03 13:15:149 LTC4226演示電路-適用于FireWire應(yīng)用的雙12V、7.6A理想二極管和熱插拔控制器
2021-06-05 16:51:130 LTC4218演示電路-采用并聯(lián)MOSFET的12V 100A熱插拔設(shè)計(jì)
2021-06-07 16:44:307 全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA ? 奈梅亨， 2022 年 11 月 18 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔
2022-11-18 10:32:58992 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的 ASFET 產(chǎn)品組合，推出 10 款全面優(yōu)化的 25V 和 30V 器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先
2022-11-21 16:11:381509 轉(zhuǎn)換計(jì)算器增加了可靠性
2023-01-03 09:45:021207 
每個(gè) MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)都包含一個(gè) SOA 圖，該圖描述了 MOSFET 暴露于特定電壓和電流的最長(zhǎng)時(shí)間。圖1顯示了恩智浦半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)中PSMN1R5-30BLE 30V 1.5mΩ N溝道
2023-01-04 15:08:124154 
LTC?4234 是一款用于熱插拔的集成式解決方案?允許從帶電背板上安全插入和拔出電路板的應(yīng)用程序。該器件在單個(gè)封裝中集成了熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測(cè)電阻器，適用于小尺寸應(yīng)用。MOSFET 安全工作區(qū) （SOA） 經(jīng)過生產(chǎn)測(cè)試，可保證承受熱插拔應(yīng)用中的應(yīng)力。
2023-01-08 15:59:051725 
雖然在熱插拔?電路中使用多個(gè)并聯(lián)MOSFET通常是可取的，有時(shí)甚至是絕對(duì)關(guān)鍵的，但仔細(xì)分析安全工作區(qū)（SOA）至關(guān)重要。電路中每增加一個(gè)并聯(lián)MOSFET，就會(huì)改善應(yīng)用的壓降、功率損耗和隨之而來的溫升。
2023-01-09 15:06:471607 
數(shù)字示波器是大多數(shù)工程實(shí)驗(yàn)室的常態(tài)，但您可能還沒有充分探索它們的功能。數(shù)字示波器更有趣的功能之一是“數(shù)學(xué)”通道，它可以以新穎的方式應(yīng)用于簡(jiǎn)化和擴(kuò)展熱插拔和負(fù)載開關(guān)電路的分析。本應(yīng)用筆記介紹了如何將
2023-01-29 10:32:501944 
超大規(guī)模計(jì)算通常依賴于具有超高可擴(kuò)展性的服務(wù)器架構(gòu)和虛擬網(wǎng)絡(luò)。要確保設(shè)備全天24小時(shí)保持連接，熱插拔功能仍然是一種關(guān)鍵功能。但是，要在開關(guān)效率和強(qiáng)大安全工作區(qū)(SOA)方面達(dá)到要求的性能水平，以前
2023-02-07 09:20:16840 
N 溝道 25 V、1.9 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN1R6-25YLE
2023-02-07 19:09:320 N 溝道 25 V、1.1 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR98-25YLE
2023-02-07 19:09:480 N 溝道 25 V、0.98 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR89-25YLE
2023-02-07 19:10:070 N 溝道 30 V、2.2 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN2R1-30YLE
2023-02-07 20:22:450 N 溝道 30 V、1.3 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN1R1-30YLE
2023-02-07 20:23:010 N 溝道 30 V、1.1 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN1R0-30YLE
2023-02-07 20:23:200 N 溝道 30 V、0.87 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，采用增強(qiáng)型 SOA，采用 LFPAK56-PSMNR82-30YLE
2023-02-07 20:23:370 N 溝道 30 V、0.70 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR67-30YLE
2023-02-07 20:23:550 N 溝道 25 V、0.63 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR56-25YLE
2023-02-07 20:24:141 N 溝道 25 V、0.77 mOhm、用于熱插拔的 ASFET，在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR68-25YLE
2023-02-07 20:24:310 本文介紹熱插拔控制器的功能和基本操作，以及用于控制浪涌電流的一些方案。本文討論了熱插拔控制器的特性和趨勢(shì)，并提供了電路板布局和MOSFET選擇的技巧。
2023-03-15 11:30:303564 
其他熱插拔控制器。它通過將控制器、MOSFET 和檢測(cè)電阻器集成到單個(gè) IC 中，簡(jiǎn)化了熱插拔系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。這節(jié)省了大量的設(shè)計(jì)時(shí)間，否則需要花費(fèi)在選擇最佳控制器/MOSFET 組合、設(shè)置電流限值以及仔細(xì)設(shè)計(jì)布局以保護(hù) MOSFET 免受過度功耗的影響上。
2023-04-11 10:58:191924 
數(shù)字示波器是大多數(shù)工程實(shí)驗(yàn)室的常態(tài)，但您可能還沒有充分探索它們的功能。數(shù)字示波器更有趣的功能之一是“數(shù)學(xué)”通道，它可以以新穎的方式應(yīng)用于簡(jiǎn)化和擴(kuò)展熱插拔和負(fù)載開關(guān)電路的分析。本應(yīng)用筆記介紹了如何將
2023-04-13 11:54:342165 
Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:111160 高可用性系統(tǒng)中常見的兩種系統(tǒng)功率級(jí)別（–48 V和+12 V）使用不同的熱插拔保護(hù)配置。–48V 系統(tǒng)集成了低側(cè)熱插拔控制和調(diào)整 MOSFET;+12 V系統(tǒng)使用高邊控制器和調(diào)整MOSFET。
2023-06-17 17:24:563945 
MAX15090B/MAX15090C IC是額定電流為12A的集成方案，適用于需要從帶電背板上安全插入和拔出電路線卡的熱插拔應(yīng)用。這些器件在單個(gè) 6.2mm x 07.3mm WLP 封裝中集成了一個(gè)熱插拔控制器、53mΩ 功率 MOSFET 和一個(gè)電子斷路器保護(hù)。
2023-06-25 10:38:261330 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:312071 LFPAK88 封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)（SOA）的特性。這些新型 ASFET 針對(duì)要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在 175℃ 下工作，適用于先進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備。
2023-09-22 09:08:101797 Nexperia ASFET 是定制器件。經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定的設(shè)計(jì)和 IU。通過專注于對(duì)某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，它提供全新性能水平，從而最好地滿足系統(tǒng)要求。
2023-11-02 16:07:451370 
Nexperia 適用于 36V 電池系統(tǒng)的特定應(yīng)用 MOSFET
2023-11-30 11:47:401120 
熱插拔和非熱插拔的區(qū)別? 熱插拔和非熱插拔是指電子設(shè)備或組件在工作狀態(tài)下是否可以進(jìn)行插拔操作的一種分類。熱插拔指的是可以在設(shè)備或系統(tǒng)正常運(yùn)行的情況下進(jìn)行插拔操作，而非熱插拔則表示插拔操作需要在設(shè)備或
2023-12-28 10:01:215211 鍵盤熱插拔和非熱插拔的區(qū)別 鍵盤是計(jì)算機(jī)外設(shè)設(shè)備之一，熱插拔是指在計(jì)算機(jī)運(yùn)行中插入或拔出設(shè)備而無(wú)需重啟計(jì)算機(jī)，非熱插拔則需要重啟計(jì)算機(jī)才能生效。鍵盤熱插拔和非熱插拔的區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：連接方式
2024-02-02 17:34:2314115 和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度
2024-12-12 11:35:134678 服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可
2024-12-16 14:09:09578 “RY7P250BM”，是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用的理想之選。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計(jì)該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長(zhǎng)，可以輕松替代現(xiàn)有
2025-06-05 13:15:05711 
MOSFET和電流檢測(cè)電阻器，適用于小外形尺寸應(yīng)用。MOSFET安全工作區(qū)在生產(chǎn)中經(jīng)過了測(cè)試，保證耐受熱拔插應(yīng)用中的應(yīng)力。
2025-06-25 09:50:54661 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校，可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27701 ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封裝，非常適用于采用48V電源AI
2025-11-17 13:56:19200 
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