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提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力
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奈梅亨，2024年12月12日：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊(cè)，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，便于無縫集成。
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標(biāo)桿器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能夠承載460 A電流并達(dá)到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封裝，僅占用12mm×12mm的電路板空間。PSMN1R0-100CSF的頂部散熱版本也具備類似的性能。
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優(yōu)越的性能表現(xiàn)與器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。CCPAK1212中的“CC”代表銅夾片(Copper Clip)，這意味著功率MOSFET的晶圓夾在兩片銅片之間，一側(cè)是漏極散熱片，另一側(cè)是源極夾片。優(yōu)化后的設(shè)計(jì)無需引線鍵合，進(jìn)而可降低導(dǎo)通電阻和寄生電感，提高最大額定電流并改進(jìn)熱性能。
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CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET適合側(cè)重于高效率和高可靠性的耗電工業(yè)應(yīng)用，包括無刷直流(BLDC)電機(jī)控制、開關(guān)電源(SMPS)、電池管理系統(tǒng)(BMS)和可再生能源存儲(chǔ)。這類單個(gè)大功率封裝的MOSFET可減少并聯(lián)需求、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并提供更緊湊、更具成本效益的解決方案。
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Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，還包括一些為特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)開發(fā)的新型MOSFET (ASFET)，主要用于為日益增強(qiáng)的AI服務(wù)器實(shí)現(xiàn)熱插拔操作。這些器件的安全工作區(qū)(SOA)經(jīng)過強(qiáng)化，可在線性模式轉(zhuǎn)換期間提供出色的熱穩(wěn)定性。
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本系列器件提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，讓相關(guān)應(yīng)用的工程師可以靈活選擇散熱途徑，尤其適用于因?yàn)槟承崦舾衅骷拗贫鵁o法直接通過PCB進(jìn)行散熱的設(shè)計(jì)。
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Nexperia產(chǎn)品部總經(jīng)理Chris Boyce表示：“盡管我們擁有市場(chǎng)領(lǐng)先的性能，但我們知道，一些客戶對(duì)于采用相對(duì)較新的封裝進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)仍猶豫不決。為此，我們已經(jīng)向JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織注冊(cè)了CCPAK1212，參考編號(hào)為MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封裝時(shí)，我們就采用了類似的方法，因此現(xiàn)在市場(chǎng)上有許多兼容的器件。當(dāng)創(chuàng)新能夠?yàn)榭蛻魟?chuàng)造真正的價(jià)值時(shí)，市場(chǎng)很快就會(huì)給予響應(yīng)。”
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所有新款CCPAK1212 MOSFET器件均享受一系列先進(jìn)的設(shè)計(jì)工具支持，包括熱補(bǔ)償仿真模型。Nexperia還將傳統(tǒng)的PDF數(shù)據(jù)手冊(cè)升級(jí)成了用戶友好型交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，其中新增了一項(xiàng)“圖形轉(zhuǎn)csv”功能，使工程師能夠下載、分析和解釋每個(gè)器件關(guān)鍵特性背后的數(shù)據(jù)。這不僅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程，而且增強(qiáng)了對(duì)設(shè)計(jì)選擇的信心。
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Nexperia計(jì)劃將CCPAK1212封裝應(yīng)用到所有電壓范圍的功率MOSFET及其符合車規(guī)級(jí)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品組合，以實(shí)現(xiàn)超高電流和出色熱性能，滿足下一代系統(tǒng)不斷變化的需求。
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欲了解有關(guān)Nexperia CCPAK1212 MOSFET的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問：
https://www.nexperia.com/products/mosfets/family/ccpak1212-mosfets
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CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
- MOSFET(213344)
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2009-12-31 09:59:441571
1571創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80％
創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個(gè)采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:22930
930
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
用作功率開關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实?b class="flag-6" style="color: red">提升。功率器件從電流驅(qū)
2010-04-24 11:44:421345
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IR推出新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET
IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列，與傳統(tǒng)的TO-262封裝相比，可減少 50%引線電阻，并提高30%電流
2011-05-24 08:54:351623
1623Diodes推出超小型DFN1006-3封裝MOSFET
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183576
3576SDIP6封裝IC耦合器TLP705A
SDIP6封裝IC耦合器TLP705A,TLP705A是一款SDIP6封裝IC耦合器，能夠直接驅(qū)動(dòng)一個(gè)小容量IGBT或功率MOSFET。
2012-03-14 15:31:104688
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AOS推出超薄DFN3X3封裝功率MOSFET
日前，集設(shè)計(jì)，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242687
2687Vishay擴(kuò)充其TrenchFETGen III P溝道功率MOSFET
? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40981
981SYKJ3401封裝MOSFET晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SYKJ3401封裝MOSFET晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2019-01-24 08:00:00
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8采用ATPAK封裝功率MOSFET在開關(guān)器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們?cè)诟咚?、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開關(guān)穩(wěn)壓器，如AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)控制器。這視頻討論功率MOSFET，特別是安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:003904
3904
關(guān)于OptiMOS 5 150V功率MOSFET的性能分析和應(yīng)用
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級(jí)別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:175244
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Nexperia P溝道MOSFET，封裝占位面積減少50%
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。
2020-05-09 11:07:263351
3351Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南
Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南 認(rèn)識(shí)理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220
0Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超
2022-07-06 16:13:22738
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信
2022-11-18 10:32:58585
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Nexperia推用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
的安全工作區(qū)（SOA）性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。? 多年來，Nexperia（安世半導(dǎo)體）致力于將成熟的 MOSFET 專業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來，增強(qiáng)器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的
2022-11-21 16:11:38868
868MLPAK33 – 3x3 MOSFET的靈活選擇
針對(duì)空間非常緊湊的功率MOSFET應(yīng)用而言，3x3封裝是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET產(chǎn)品序列中，采用了非?？煽康母?b class="flag-6" style="color: red">性能LFPAK33封裝。Nexperia開發(fā)了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封裝，與業(yè)界聞名的DFN3333封裝保持管腳兼容性，提供給客戶另外一個(gè)選項(xiàng)。
2023-02-08 09:18:00556
556CCPAK - GaN FET頂部散熱方案
。對(duì)于當(dāng)今的大電流、高功率應(yīng)用和650 V GaN功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強(qiáng)制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK封裝，可以提供更佳散熱性能。
2023-02-09 09:32:44540
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CCPAK：銅夾片技術(shù)進(jìn)入高壓應(yīng)用
一段時(shí)間以來，高壓應(yīng)用的要求迫使設(shè)計(jì)師不得不依賴傳統(tǒng)功率封裝，例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而，隨著開關(guān)頻率越來越高，這些傳統(tǒng)封裝的限制逐漸凸顯。Nexperia憑借20多年
2023-02-09 09:51:581567
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用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380
0LFPAK系列全新8*8封裝提升功率效率
為了適應(yīng)業(yè)界對(duì)節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要，Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID，將功率密度基準(zhǔn)設(shè)定為1 W / mm3以上。
2023-02-10 09:39:061983
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采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBA
采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212
2采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTBA
采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323
3采用 CCPAK1212i 封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NTB
采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450
0采用 CCPAK1212封裝的 650V,33mOhm 氮化鎵(GaN) FET-GAN039-650NBB
采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020
0MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊(cè)-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1637
37NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET中的最大連續(xù)電流-AN90016
NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續(xù)電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100
0Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11651
651KUU推出SOT-723封裝MOSFET
MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。KM3134K是一款20V750mA的N-MOSFET，KM3139K則是-20V-660mA的P-MOSFET，兩款器件
2023-04-04 16:10:391794
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英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12939
939Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。 三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)
2023-11-14 10:06:00329
329
三菱電機(jī)與Nexperia共同開啟硅化碳功率半導(dǎo)體開發(fā)
三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場(chǎng)開發(fā)硅碳（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09476
476
SOT8000：塑料，表面安裝銅夾子包裝（CCPAK1212）程序包信息介紹
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2023-12-19 15:55:330
0針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相結(jié)合的新時(shí)代。
2023-12-24 09:30:06819
819N溝道，100 V，1.09 mOhm，具有增強(qiáng)SOA的MOSFET 在CCPAK1212i包中目標(biāo)數(shù)據(jù)表
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2024-02-20 10:57:220
0NextPower 100 V，1.04 mOhm，N溝道MOSFET CCPAK1212i包目標(biāo)數(shù)據(jù)表
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2024-02-20 10:55:140
0N溝道MOSFET CCPAK1212包PSMN1R0-100ASF目標(biāo)數(shù)據(jù)表
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2024-02-20 10:53:470
0N-通道100V1.04 mohmMOSFET和CCPAK1212包裝中增強(qiáng)的SOA
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2024-02-20 10:52:140
0Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:58942
942Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業(yè)應(yīng)用增長(zhǎng)需求
近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世)半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進(jìn)的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項(xiàng)，RDSon值
2024-05-23 10:57:39534
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Nexperia 2N7002BK,215 N溝道MOSFET中文參數(shù)資料_封裝尺寸_焊腳說明
Nexperia2N7002BK,215N溝道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET，設(shè)計(jì)用于表面貼裝技術(shù)，適合各種高頻和高效能的應(yīng)用。其邏輯電平兼容性和極快的開關(guān)速度使其在現(xiàn)代
2024-07-01 11:50:24631
631
Nexperia擴(kuò)展一系列創(chuàng)新應(yīng)用專用MOSFET
MOSFET參數(shù)組來更好地匹配這些要求。例如，應(yīng)用可能要求軟啟動(dòng)、擴(kuò)展的安全工作區(qū)域、可靠的線性模式性能或增強(qiáng)的保護(hù)。在Nexperia，我們將久經(jīng)驗(yàn)證的MOSFET專業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用認(rèn)知相結(jié)合，打造了一系列更豐富的應(yīng)用專用MOSFET。
2024-07-15 16:07:17494
494Nexperia擴(kuò)展NextPower系列MOSFET陣容,引領(lǐng)高效低噪新紀(jì)元
2024年8月7日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商Nexperia宣布，其NextPower 80V及100V MOSFET產(chǎn)品線再次迎來重大擴(kuò)充，成功推出了采用標(biāo)準(zhǔn)化5x6mm及8x8mm封裝
2024-08-07 14:53:32367
367SemiQ將S7封裝添加至其QSiC?高性能功率模塊系列
SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設(shè)計(jì)靈活性，能夠?yàn)樾略O(shè)計(jì)提供緊湊
2024-08-16 11:18:42296
296
Nexperia、東芝和Navitas擴(kuò)展MOSFET產(chǎn)品線以應(yīng)對(duì)高效能需求
隨著電動(dòng)車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)Ω咝А⒏?b class="flag-6" style="color: red">性能組件需求的持續(xù)上升，電源管理系統(tǒng)的復(fù)雜性也隨之增加，市場(chǎng)對(duì)更先進(jìn)和可靠的MOSFET需求愈加旺盛。對(duì)此，Nexperia、東芝和Navitas等
2024-08-27 11:47:54372
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如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能
由于對(duì)提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨(dú)特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中，高溫和溫度波動(dòng)限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)兩種不同的技術(shù)，以最大化功率模塊和器件的熱性能
2024-09-03 10:37:04386
386
Nexperia推出采用DFN2020D-3封裝的功率雙極結(jié)型晶體管
BJT產(chǎn)品，涵蓋標(biāo)準(zhǔn)與汽車級(jí)應(yīng)用，均采用先進(jìn)的DFN2020D-3封裝技術(shù)。這一舉措不僅豐富了其BJT產(chǎn)品線，更彰顯了Nexperia在技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)響應(yīng)速度上的領(lǐng)先地位。
2024-09-03 14:28:57441
441適用于600V GaN功率級(jí)的QFN12x12封裝的熱性能
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于600V GaN功率級(jí)的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-21 10:18:060
0汽車650V GaN功率級(jí)頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能
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2024-09-24 11:27:100
0雷卯展示SOD-323封裝大功率ESD
上海雷卯有全系列各種電壓的SOD-323封裝ESD，現(xiàn)整理部分產(chǎn)品列表如下： 一、SOD-323封裝大功率ESD的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn) 1、 尺寸與空間優(yōu)勢(shì) 體積小：SOD-323封裝本身尺寸小巧，在電路板上
2024-12-11 09:24:34150
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安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率
2024-12-12 11:35:13491
491Nexperia推出CCPAK1212封裝MOSFET，性能再升級(jí)
Nexperia公司近日宣布，成功推出16款全新的80V和100V功率MOSFET，這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的CCPAK1212封裝技術(shù)。這一突破性設(shè)計(jì)不僅提升了功率密度，還帶來了卓越的性能表現(xiàn)，滿足了
2024-12-24 09:15:31206
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論