CoolSiC肖特基二極管650V G6是英飛凌碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管的領(lǐng)先技術(shù)，充分利用碳化硅相對(duì)于硅的所有優(yōu)點(diǎn)。英飛凌專(zhuān)利創(chuàng)新的焊接工藝結(jié)合了緊湊型設(shè)計(jì)，薄晶圓技術(shù)和新型肖特基金屬系統(tǒng)。因此，該產(chǎn)品系列可在所有負(fù)載條件下提高能效，這得益于同類(lèi)最佳性能系數(shù) (Qc x VF)。

值得一提的是，CoolSiC 肖特基二極管650V G6與英飛凌600V和650V CoolMOS7系列兼容，滿(mǎn)足該電壓范圍中最嚴(yán)格的應(yīng)用要求，搭配使用讓工程師更加省心哦！

CoolSiC 肖特基二極管650V G6的最低VF僅為1.25V

主要特性

最低VF： 1.25 V

一流的性能系數(shù)(Qc x VF)

無(wú)反向恢復(fù)電荷

溫度獨(dú)立切換 行為

高dv/dt耐用性

優(yōu)化的熱行為

主要優(yōu)勢(shì)

在所有負(fù)載條件下提高系統(tǒng)能效

提高系統(tǒng)功率密度

降低冷卻要求并 提高系統(tǒng)可靠性

提供極快速開(kāi)關(guān)

便捷有效地與 CoolMOS7系列搭配

提升性?xún)r(jià)比

G6是在G5達(dá)成成就的基礎(chǔ)上構(gòu)建的，保留了G5的低Qc、可靠和質(zhì)優(yōu)等突出特性。為了G6，英飛凌開(kāi)發(fā)了新的半導(dǎo)體技術(shù)，重新設(shè)計(jì)了二極管。G6擁有新的布局，植入以及單元結(jié)構(gòu)，使用了一種新穎而專(zhuān)有的肖特基金屬系統(tǒng)以降低肖特基勢(shì)壘并獲得創(chuàng)紀(jì)錄的VF(1.25 V)，同時(shí)保持逆向損失邊際化并實(shí)現(xiàn)高能效。由此造就了獨(dú)特的Qc x VF性能系數(shù)，比前幾代產(chǎn)品低17%。

CoolSiC G6與前一代G5產(chǎn)品的PFC能效對(duì)比

CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性?xún)r(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。

不僅是技術(shù)，客戶(hù)更可以信賴(lài)英飛凌公認(rèn)的質(zhì)量和可靠的供應(yīng)鏈，他們將受益于“一站式購(gòu)物”，并能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能最大化，比如將CoolSiC肖特基二極管650V G6與600V C7、650V C7、600V G7、650V G7和600V P7等CoolMOS 7系列的超級(jí)結(jié)MOSFET結(jié)合，從而獲得更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案哦！

英飛凌CoolSiC產(chǎn)品的性?xún)r(jià)比不斷提高