早前曾報導(dǎo)過，中國NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新（Gigadevice）可能與武岳峰等中國基金所收購的美國DRAM廠ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新19日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息！
2016-11-21 14:00:58
3517 本篇主要針對Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計(jì)的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計(jì)的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計(jì)。 目前比較常用的DDR
2020-12-21 14:04:3611144 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:093825 
對智能手機(jī)設(shè)計(jì)者而言，一個顯而易見的挑戰(zhàn)是，如何管理手機(jī)中迅速增加的傳感器？應(yīng)對不斷增長的功耗、成本和尺寸目標(biāo)，在多傳感器的移動電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，一些智能手機(jī)開發(fā)人員開始選擇使用專門針對移動應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化的低密度FPGA產(chǎn)品...
2013-11-05 09:55:541712 DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個文件里：搜索了一下有下面幾個文件比較像，但我不知到時哪一個，請各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
根據(jù)用戶手冊，DLP6500存儲內(nèi)存為128m，存儲圖片數(shù)量少，請問能否對其進(jìn)行擴(kuò)容？或者有其他方法提高存儲容量嗎？
2025-02-21 06:48:18
根據(jù)DLPC900的資料，實(shí)現(xiàn)高刷新率的圖片都是預(yù)存在128M的dram里。但是128M空間有限，存儲數(shù)量也一定。如何設(shè)計(jì)可以提高支持高刷新率的圖片數(shù)量？謝謝。
2025-02-21 07:43:42
反應(yīng)。如果燒寫內(nèi)核時候直接運(yùn)行內(nèi)核的話，板子會在解壓內(nèi)核的時候死掉。初步判斷，是地址空間的問題。 開發(fā)板的DRAM是128M，NANDFLAHS 128M，公司自己板子的DRAM是256M，NANDFLAHS 也是256M，是不是公司板子的地址映射有問題？請問怎么改？
2019-02-21 12:42:59
這款DDR芯片，其大小為128MB。 一般對于嵌入式設(shè)備，可能需要的內(nèi)存大于128MB，那怎么實(shí)現(xiàn)呢？ 可以通過兩片DDR級聯(lián)，例如上述兩片DDR級聯(lián)，級聯(lián)后存儲容量為128M * 2 = 256MB。 當(dāng)然也可以直接選取256MB的DDR咯。
2020-09-16 15:30:27
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-25 15:41 編輯
大家好！我最近有一個問題很疑惑，我的TI 原裝的TMS320DM8168的開發(fā)板上有8片DDR3，每片128M，每四片一個
2018-05-25 00:25:27
`本開發(fā)板板載了一片高速 DDR3 SDRAM， 型號：MT41J128M16JT-093， 容量：256MByte（128M*16bit），16bit 總線。開發(fā)板上 FPGA 和 DDR
2021-07-30 11:23:45
控制器的地址空間都是512MB。所以說如果DRAM控制器“力所能及”512MB。此處我們用了每個的128M地址空間。圖2圖3圖2和圖3所示，為兩顆16位寬的DDR2，掛在DMC1上，地址線、片選、時鐘等
2015-08-17 20:30:17
的SOC包含兩個硬核ARM A9，以及ARTIX-7邏輯。板子還有一顆128M x 16 bit DDR3 CLK800MHz，一塊128M字節(jié) NAND FLASH，PS端 33.333Mhz晶振
2021-07-29 07:19:33
將達(dá)到3200MT/s，于2012年推出市場，到2013年時運(yùn)行電壓將改進(jìn)至1V。然而到了2011年1月，三星電子宣布完成DDR4 DRAM模塊的制造和測試，采用30nm級工藝，數(shù)據(jù)傳輸率為
2022-10-26 16:37:40
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時讀寫操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
我碰到很多研發(fā)對DDR的分類不太了解，包括工業(yè)級，商業(yè)及，汽車級，軍工級，的區(qū)分定義。還有就是每個行業(yè)級別的內(nèi)存廠家排名都不一樣的。商業(yè)級的大家應(yīng)該都很了解，就是三星，海力士，鎂光，華邦等，工業(yè)級
2016-12-20 15:10:20
今天給大俠帶來基于FPGA的內(nèi)存128M flash芯片控制器設(shè)計(jì)，話不多說，上貨。
設(shè)計(jì)原理及思路
FLASH閃存 閃存的英文名稱是\"Flash Memory\"
2024-05-23 16:07:46
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 10:36 編輯
我想用DM6446做圖像處理， 我目前的板子是合眾達(dá)的，DDR是128M，而TI的默認(rèn)文檔都是256M內(nèi)存的配置，請問我應(yīng)該怎么修改 才能符合我自己的應(yīng)用？ 還有我想做智能圖像處理，偏重識別方面的，采用那款產(chǎn)品比較好呢？
2018-06-22 05:53:03
P25Q256HFlashSPI256M2.3-3.6v 普冉P25Q128HFlashSPI128M2.3-3.6v 普冉P25Q640HFlashSPI64M2.3-3.6v 普冉
2020-02-22 16:36:16
求RK3399+4顆DDR3 PCB文件
2022-06-23 20:14:15
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
【來源】：《電子與電腦》2010年02期【摘要】：<正>泰克公司日前宣布,為中國推出首款直流電源PWS2000-SC簡體中文系列,以支持中國嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)工
2010-04-23 11:27:11
有個非BGA還合封了DDR的版本，很是欣喜，但點(diǎn)開一看，SIP的DDR只有64M，跑IPKVM有點(diǎn)夠嗆（除了推流還得實(shí)現(xiàn)HID和一個noVNC以供從網(wǎng)頁端操作），不知道后續(xù)會不會有合封更大內(nèi)存的D1S/F133版本
2021-12-28 07:24:55
麻雀加核計(jì)劃：MQ增加雙核內(nèi)置128M版本，MQ-Pro則增加四核版本
2022-03-15 14:45:30
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78Pin FBGA Tray
2022-05-31 11:17:55
ISSI是一家國際性的高科技公司，專門從事設(shè)計(jì)，開發(fā)，制造和銷售集成電路存儲器，是北美最大的SRAM制造商之一，ISSI的核心產(chǎn)品包括高速，低功耗的SRAM，中，低容量的DRAM.EEPROM
2009-11-05 11:59:05
10 該文提出一種基于素域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗(yàn)碼的方法。該方法是Lan 等所提出基于有限域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗(yàn)碼的方法在素域上的推廣，給出了一類更廣泛的基于素域構(gòu)造的準(zhǔn)循
2010-03-05 17:04:523 該文提出一種基于素域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗(yàn)碼的方法。該方法是Lan 等所提出基于有限域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗(yàn)碼的方法在素域上的推廣，給出了一類更廣泛的基于素域構(gòu)造的準(zhǔn)循
2010-03-06 10:38:1513 W9412G6IH datasheet pdf資料(2M*4 Banks*16 Bits DDR SDRAM)
The W9412G6IH is a 128M DDR SDRAM
2010-03-27 17:27:3540 紐曼s999固件升級:S999TV4.0支持N制CA卡固件（機(jī)身內(nèi)存128M）和S999TV4.0增加股票信息（機(jī)身內(nèi)存4G）。
2010-04-25 18:47:39186 AS4C128M16D3LC-12BIN 產(chǎn)品信息AS4C128M16D3LC-12BIN 是一款高性能、低功耗的 DDR3 SDRAM 存儲器。它采用 1.5V 電源供電,采用 FBGA 封裝
2024-04-27 00:06:07
什么是交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI)
交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI: Inter-Switching System Interface)
交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI)是一個在
2008-11-27 08:47:141645 1 概述 本章概述 128-Mbit 同步 DRAM 元件產(chǎn)品，并介紹其主要特點(diǎn)。特性。1.1 特性 - 與正時鐘邊沿完全同步 - 工作溫度 - 商用溫度范圍 0 °C
2025-01-16 14:59:36
的主要產(chǎn)品是高速和低功耗 SRAM 以及低密度和中密度 DRAM、NOR/NAND 閃存和 eMMC 產(chǎn)品。我們以具有成本效益的高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品瞄準(zhǔn)這些關(guān)鍵市場，并尋求
2025-12-21 11:21:28
Cadence推出首個TLM驅(qū)動式設(shè)計(jì)與驗(yàn)證解決方案
Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天推出首個TLM驅(qū)動式協(xié)同設(shè)計(jì)與驗(yàn)證解決方案和方法學(xué)，使SoC設(shè)計(jì)師們可以盡享事務(wù)級建模（TLM）的好處。
2009-08-07 07:32:00931 睿思科技推出首顆USB3.0主端控制IC-FL1000實(shí)測樣品
睿思科技股份有限公司，推出首顆USB3.0 主端控制IC - FL1000 實(shí)測樣品。FL1000是顆PCI Express to USB 3.0芯片
2009-09-21 08:07:341178 DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻
市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競賽，這也使得DRAM供過于求
2009-11-17 10:10:49766 iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
11月24日消息，根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨
2009-11-25 09:21:44651 Winbond -DRAM 64M 128M 256M SDRAM
產(chǎn)品規(guī)格 ‧64M 128M 256M SDRAM ‧128M 256M DDR1
2010-01-08 16:59:011635 臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13795 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441316 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、
2010-01-26 16:53:321048 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
新器件可提高企業(yè)、移動及嵌入式計(jì)算系統(tǒng)的可靠性、性能和電源效率
IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出首款
2010-01-27 08:34:251165 針對低密度PLD設(shè)計(jì)人員對單個器件低成本、低功耗和高系統(tǒng)集成的需求，萊迪思半導(dǎo)體(Lattice)日前推出新的MachXO2 PLD系列。與MachXO
2010-12-01 08:51:451488 
本文研究高速 數(shù)據(jù)傳輸 中的低密度校驗(yàn)(LDPC)碼編碼的原理、有效編解碼算法以及基于低密度校驗(yàn)編碼的編碼調(diào)制系統(tǒng)的分析和設(shè)計(jì)方法。LDPC 碼是一類能夠達(dá)到Shannon 極限性能的線性分
2011-06-14 16:33:360 據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場追蹤報告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場。第一季度DDR3模組出貨量達(dá)到1.507億個，占全球總體DRAM模組市場的87
2012-05-03 09:19:121144 
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 ：萊迪思(lattice)半導(dǎo)體公司近日宣布，推出MachXO2系列超低密度FPGA控制開發(fā)套件。該套件適用于低成本的復(fù)雜系統(tǒng)控制和視頻接口設(shè)計(jì)的樣機(jī)開發(fā)。新加入了MachXO2-4000
2012-10-24 15:10:093588 sunsumg 128m flash(128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory)
2015-12-21 11:12:526 TS8900-M128開發(fā)板電路原理圖針對ATMEGA128。
2016-04-29 17:57:0925 ISSI-SRAM選型,有需要的下來看看。
2016-12-11 21:39:2637 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 基于編碼的密碼系統(tǒng)具備抵抗量子計(jì)算的天然優(yōu)勢。針對傳統(tǒng)的基于Goppa碼構(gòu)造的密碼方案存在密文擴(kuò)展率大和密鑰量大的問題，利用低密度生成矩陣（ LDGM）碼和哈希函數(shù)構(gòu)造了一個可證明安全的簽密方案
2017-12-12 11:06:470 DRAM (動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)對設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0095076 低密度奇偶校驗(yàn)碼（ LDPC）是一種（n，k）線性分組碼。當(dāng)分組碼碼長較短時，利用常規(guī)的編碼方法可以完成編碼工作。但隨著分組碼碼長的增加，利用常規(guī)LDPC的編碼方式編碼，計(jì)算機(jī)的內(nèi)存難以承擔(dān)。為了解
2018-02-08 16:16:180 Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運(yùn)用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002644 臺塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個人電腦市場，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:213452 三年前，DRAM廠商ISSI被中資私有化引回國內(nèi)市場后，關(guān)于ISSI的最終去向一直備受行業(yè)關(guān)注，如今去向已定。A股芯片設(shè)計(jì)公司北京君正將拿下ISSI的控制權(quán)。
2018-11-12 17:02:025170 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495459 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:561098 8月12日訊，有媒體援引知情人士消息，華為內(nèi)部今年智能手機(jī)出貨目標(biāo)為2.7億部，或?qū)⒃谀甑?b class="flag-6" style="color: red">推出搭載鴻蒙系統(tǒng)的中低端智能手機(jī)。
2019-08-12 14:27:434143 NorFlash S29GL128P 外擴(kuò)存儲模塊 容量128M Bit
可直接接入帶有32I/Os接口的Open系列開發(fā)板
型號 NorFlash Board (B)
2019-12-30 09:31:353766 
N55S128是一個128M位(16M字節(jié))的SPI串行式Mask ROM。 規(guī)格數(shù)據(jù)
2020-02-12 11:23:452407 
SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。
2019-11-19 11:08:21941 CPU：TI AM335X
架構(gòu)：ARM Cortex-A8
主頻：600MHz
內(nèi)存：128M DDR3
ROM: 256M SLC NandFlash
系統(tǒng)：Linux3.2/WinCE6.0
2019-12-03 15:17:304552 
CPU：TI AM335X
架構(gòu)：ARM Cortex-A8
主頻：600MHz
內(nèi)存：128M DDR3
ROM: 256M SLC NandFlash
系統(tǒng)：Linux3.2/Wince6.0
2019-12-03 15:28:455348 
128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:416830 美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產(chǎn)品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態(tài)RAM
2020-05-28 15:30:261546 低功耗SRAM和中低密度DRAM。 IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有糾錯(ECC)功能的異步靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Async SRAM),該器件內(nèi)置獨(dú)立的ECC單元，極大程度提升了數(shù)據(jù)的完整性;同時得益于先進(jìn)的設(shè)計(jì)理念及65nm的制程工藝,期耗、讀寫速度均處于業(yè)界領(lǐng)先水平
2020-05-28 14:54:371218 標(biāo)準(zhǔn) DDR 面向服務(wù)器、云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、筆記本電腦、臺式機(jī)和消費(fèi)類應(yīng)用，支持更寬的通道寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸。DDR4 是這一類別目前最常用的標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá) 3200 Mbps 的數(shù)據(jù)速率。DDR5 DRAM 的運(yùn)行速度高達(dá) 6400 Mbps，預(yù)計(jì)將在 2020 年問世。
2020-06-08 16:54:237495 
美國ISSI存儲器公司的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存存儲器產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。近年來對復(fù)雜半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計(jì)算機(jī)
2020-07-11 10:44:361284 
階段不斷增強(qiáng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施。通過SRAM芯片，DRAM和Flash產(chǎn)品系列來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。 從開始到生產(chǎn)，汽車市場的設(shè)計(jì)周期可能為3-4年。然后生產(chǎn)將再運(yùn)行5-6年。后期支持的需求已經(jīng)存在了數(shù)年。ISSI致力于為客戶提供汽車生產(chǎn)計(jì)劃階段所需的長期支持。ISSI與客戶合作以
2020-08-27 10:08:37934 ISSI是一家無晶圓廠的半導(dǎo)體公司，為以下主要市場設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售高性能集成電路：汽車和通信，工業(yè)和醫(yī)療以及數(shù)字消費(fèi)者。ISSI的主要產(chǎn)品是SRAM，DRAM存儲，包括NOR閃存，NAND閃存和托管
2020-08-27 10:14:231055 1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲解決方案供應(yīng)商美光科技今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha） 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:032777 美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃。
2021-03-19 10:45:262142 美國ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計(jì)開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年來對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計(jì)算機(jī)市場
2021-04-08 15:44:022100 
大尺度低密度新媒體空間的彈性沉浸體驗(yàn)設(shè)計(jì)
2021-06-25 14:20:127 ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲芯片。還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。主要是應(yīng)用在汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)以及工業(yè)和醫(yī)療市場的設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。
2021-08-24 17:25:571061 的EDO DRAM(Extended Data Out DRAM), 兩種都為Asynchronous異步DRAM.1993年三星發(fā)布了第一顆商用Synchronous同步DRAM芯片KM48SL200...
2021-11-10 10:20:592 合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:573042 Microchip 為在產(chǎn)品壽命為 20 年的嵌入式系統(tǒng)中設(shè)計(jì)低密度 NOR 閃存提供了理由，這些系統(tǒng)經(jīng)常面臨 EOL 組件的挑戰(zhàn)。
2022-08-17 16:52:251281 
DRAM整體需求仍因庫存壓力影響著拉貨動能，淡季以及砍單效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，連帶影響市場價格下跌走勢更為顯著，雖然DDR5顆粒稍有出現(xiàn)需求，但價格上仍無法滿足客人目標(biāo)，業(yè)界普遍認(rèn)為，庫存水位尚未調(diào)降前，皆無法有任何起色。
2023-02-17 10:53:45569 重磅：大彩“芯”DA128單芯片SOC已經(jīng)進(jìn)入大批量階段！
此次發(fā)布的4款7寸串口屏產(chǎn)品，首次搭載了大彩專用ASIC DA128, 它是一顆內(nèi)部集成128Mbit Flash、64M DDR
2022-10-20 17:39:451837 
32Mbyte 128M NAND Flash 1 Audio DACLINEOUTLP/N 詳細(xì)參數(shù) XuanTie 64Bit RISC-V [GCV] C906 CPU, Support Vector
2023-12-26 11:11:002402 
據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價格將進(jìn)一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計(jì)PC DRAM季度合約價變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:261071 LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存，擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。
2024-01-17 11:30:521198 DDR雙倍數(shù)據(jù)速率技術(shù)是在每個時鐘信號周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，可以實(shí)現(xiàn)以往同步DRAM設(shè)備傳輸速率的兩倍。
2024-05-07 11:05:041058 2024 年 5 月 9 日， Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，
2024-05-09 14:27:401669 高密度DDR(Double Data Rate)芯片是一種先進(jìn)的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)芯片，具有極高的數(shù)據(jù)存儲密度和傳輸速率。與傳統(tǒng)的DRAM相比，高密度DDR芯片在單位面積內(nèi)能夠存儲更多
2024-11-05 11:05:051644 芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，芯成半導(dǎo)體（ISSI）推出的串行閃存IS25WP128F已被昂科燒寫工具AP8000所支持
2025-02-19 09:14:28815 
主題：?挖掘低密度特性的工程價值正文：在航空航天、高端消費(fèi)電子、新能源汽車等領(lǐng)域，“輕量化”與“高性能”是同等重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。然而，傳統(tǒng)的高性能填充劑（如氧化鋁、氮化硼）往往密度較高，在提升某一性能
2025-11-28 17:05:16340 
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