SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 據(jù)韓媒報道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組，其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:408383 ，隨著近期DRAM內(nèi)存的價格普遍開始下降，跟隨這一趨勢的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價格為何一開始那么貴呢，難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來的高附加值？ ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從
2022-07-12 08:27:0012762 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522529 代。SPICE 瞬態(tài)模擬器不再是最新 DDR5 和 LPDDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的正確方法。 新標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)存控制器和DRAM上增加了均衡（EQ），而傳統(tǒng)的仿真工具無法在這種復(fù)雜性下進(jìn)行建模。 圖1.DDR5 標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)存控制器和 DRAM 上增加了均衡 （EQ）。 輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范
2022-12-07 14:34:274209 
2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:375157 
近日，SK 海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
2019-01-29 09:09:052246 近日消息，SK海力士正式宣布，將在年底前量產(chǎn)并提供業(yè)界頻率達(dá)到8400MHz的DDR5存儲器，單顆最大密度64Gb，并且會帶有ECC錯誤修正的功能，工作電壓僅1.1V。 根據(jù)SK海力士公布的資料顯示
2020-04-07 10:51:235823 JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），為全球計(jì)算機(jī)拉開新時代序幕。 簡言之，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番到
2020-07-16 10:00:059172 據(jù)韓媒報道，近期SK海力士遭受了黑客組織Maze的勒索攻擊，目前Maze聲稱入侵了SK海力士11TB的數(shù)據(jù)，并公布了約600MB的數(shù)據(jù)信息，約占其總數(shù)據(jù)量的5%。
2020-08-24 14:21:053699 極紫外（EUV）光刻技術(shù)將DRAM技術(shù)擴(kuò)展到10nm以下，以及將內(nèi)存和邏輯芯片整合到同一個設(shè)備中，以應(yīng)對不斷增加的工作負(fù)載。 SK海力士首席執(zhí)行官李錫熙說：“我們正在改進(jìn)DRAM和NAND各個領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展所需的材料和設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，并逐步解決可靠性問題。如果以此為基礎(chǔ)
2021-03-29 14:38:437477 相比，用于汽車的DRAM具有更高的可靠性和更廣泛的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循了2018年制定的第二版ISO26262標(biāo)準(zhǔn)。 ? ISO26262《道路車輛功能安全標(biāo)準(zhǔn)》于2011年11月制定。它涵蓋軟件規(guī)范，驗(yàn)證和其他需求規(guī)范等的11個部分。該標(biāo)準(zhǔn)的第二版增加了半導(dǎo)體
2021-04-16 12:37:472906 ）。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒現(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準(zhǔn)備
2021-04-27 09:00:0015368 近日，SK海力士官網(wǎng)發(fā)布新聞消息稱，公司已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級工藝的8Gb LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。值得注意的是，這是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行DRAM量產(chǎn)
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）最近，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)即將推出。在標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布之前，SK海力士、三星、美光等廠商已經(jīng)著手DDR5
2024-07-31 18:26:546965 
%。 ? 除了三星，SK海力士、美光此前也傳出漲價的消息。據(jù)供應(yīng)鏈人士透露，海力士DRAM（消費(fèi)級）顆粒（Memory Chip/Die）價格已上漲約12%。 ? 而美光率先于2025年第二季度對DRAM內(nèi)存
2025-05-13 01:09:006845 Error Correction Code)
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
技術(shù)的瓶頸，可能需要很長的時間才能出來。就當(dāng)我們都對DDR5不報希望的時候，結(jié)果它就悄悄的來了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測試驗(yàn)證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps.
DDR5內(nèi)存測試系統(tǒng)
2024-08-06 12:03:07
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2021-04-27 16:10:09
個單元的堆疊，如此堆疊的LRDIMM有效內(nèi)存容量可以達(dá)到2TB。據(jù)DIGITIMES報道，三星電子、SK海力士和美光科技均已擴(kuò)大其DDR5芯片產(chǎn)量，旨在加速行業(yè)從DDR4向DDR5的過渡。消息人士稱
2022-10-26 16:37:40
本帖最后由 dealicdz 于 2021-8-31 15:19 編輯
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2021-08-02 17:44:42
本月，三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，再次拉大與“三國殺”剩下兩個玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本，會在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達(dá)32Gb，并預(yù)計(jì)會在2020年開始商用。 很多人會把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆，實(shí)際上兩者應(yīng)用場合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對比和應(yīng)用場合。
2017-11-15 16:36:0348251 
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
2018-03-09 16:06:004586 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 今年11月15日，SK海力士發(fā)布第一個符合JEDEC規(guī)格的DDR5 DRAM，而三星則在7月份成功開發(fā)出10nm級別的LPDDR5 DRAM，在技術(shù)上進(jìn)一步領(lǐng)先于世界同類企業(yè)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，SK
2018-11-23 17:27:118023 受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響，SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價格正急劇下跌，外界觀測指出，接連刷新營業(yè)利益紀(jì)錄的SK海力士，這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:131058 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:561098 SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內(nèi)存芯片，并為下代內(nèi)存做好準(zhǔn)備。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:003315 據(jù)外媒報道，由于DRAM內(nèi)存芯片價格不斷下跌，近期又有華為事件的影響，SK海力士正在計(jì)劃推遲位于中國無錫的全球最先進(jìn)內(nèi)存芯片工廠的投產(chǎn)計(jì)劃。
2019-06-21 11:33:154426 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 在推進(jìn)DRAM的制造技術(shù)上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進(jìn)的步伐。
2019-10-24 17:09:541739 SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個五代雙倍速率（DDR5） DRAM， 達(dá)到了電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展聯(lián)合協(xié)會（Joint Ele ctron Device Engineering Council，簡稱JEDEC） 標(biāo)準(zhǔn)， 這項(xiàng)技術(shù)正在DRAM市場開拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:374434 本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205 根據(jù)Tom's Hardware的報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 14:36:376009 根據(jù)消息報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:134795 CES 2020展會上，存儲大廠SK海力士拿出了不少有趣的產(chǎn)品，包括DDR5內(nèi)存、LPDDR5內(nèi)存、4D NAND SSD固態(tài)盤。
2020-01-13 10:07:235789 根據(jù)消息報道，他們在CES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，規(guī)格達(dá)到了DDR5-4800。據(jù)介紹，DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采用了288個引腳，但是引腳布局和設(shè)計(jì)與DDR4有所不同，兩者互不兼容。
2020-01-14 15:42:526490 存儲行業(yè)近兩年的變化非常大，在內(nèi)存行業(yè)來看，包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠，已經(jīng)開始了首批DDR5存儲器新品的研發(fā)試驗(yàn)。
2020-01-15 14:34:573868 目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:433479 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 10:17:215281 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:483511 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 17:05:547322 全球第二大內(nèi)存制造商SK海力士（SK Hynix）為臺式機(jī)性能更高的粉絲帶來了令人振奮的消息：他們目前正準(zhǔn)備開始批量生產(chǎn)首批DDR5 DRAM模塊。
2020-04-05 17:23:362889 韓國存儲器大廠SK海力士在2020年的CES上曾經(jīng)展出過64GB的DDR5-4800存儲器，其頻寬和容量均比現(xiàn)在的DDR4高出不少，因此備受業(yè)界的期待。如今，SK海力士正式宣布，將在年底前量產(chǎn)并提
2020-04-07 14:34:271210 今年，小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級處理器和主板產(chǎn)品中
2020-07-30 15:27:123275 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:553059 了，未來幾年被取代是水到渠成的，不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:394194 SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內(nèi)存，存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四代10納米級（1a）技術(shù)，相較第二代10納米級（1y）DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb，從而改善了生產(chǎn)效率，其速度提升高達(dá)33%。
2022-03-29 17:20:522205 該機(jī)構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:482099 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:488531 * 業(yè)界最快的DDR5服務(wù)器，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作，SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開發(fā)? * 努力尋求技術(shù)突破，鞏固在服務(wù)器DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位 韓國首爾
2022-12-09 20:40:312118 服務(wù)器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級（1a）DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:261496 SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報難看 前一兩年還一直聽說內(nèi)存條在不斷漲價的消息，現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄，看來大伙的日子都不太好過。 宏觀經(jīng)濟(jì)的下滑導(dǎo)致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535586 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:331393 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計(jì)，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16899 SK海力士稱，由于高性能半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:281270 SK海力士10月表示，得益于面向AI應(yīng)用和高端手機(jī)的高帶寬內(nèi)存3和雙倍數(shù)據(jù)速率5芯片等高端產(chǎn)品的熱銷，其動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）業(yè)務(wù)在7-9月份結(jié)束了連續(xù)兩個季度的虧損。該公司表示，預(yù)計(jì)未來幾個季度DRAM業(yè)務(wù)將繼續(xù)改善。
2023-11-14 17:52:311738 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297 
SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。從DDR4世代跨越到DDR5世代，瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等異構(gòu)計(jì)算飛速發(fā)展，CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起，吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:372065 在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:011882 
韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財(cái)報中，展現(xiàn)出強(qiáng)大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 SK海力士近日宣布，將進(jìn)一步擴(kuò)大高帶寬內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)施的投資，以滿足高性能AI產(chǎn)品市場的不斷增長需求。
2024-01-29 16:54:441387 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，對高性能內(nèi)存的需求也日益增長。特別是高帶寬內(nèi)存（HBM）和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DDR5）等高端DRAM產(chǎn)品，正受到市場的熱烈追捧。為了順應(yīng)這一
2024-03-06 10:49:491263 來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨(dú)家供貨，SK海力士出局！ 據(jù)了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392 SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲，以及對今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預(yù)測。
2024-05-06 10:52:02982 業(yè)界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存，下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM，引起市場搶貨潮，導(dǎo)致近期DDR3價格飆漲，最高漲幅達(dá)二成，且下半年報價還會再上揚(yáng)。
2024-05-14 10:31:58877 值得注意的是，目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預(yù)計(jì)今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c nm DRAM的量產(chǎn)，而美光則需等到明年。新一代顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進(jìn)步。
2024-05-14 14:56:271657 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進(jìn)而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035 SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計(jì)劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴(kuò)大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應(yīng)對當(dāng)前市場對HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 在6月17日傳來的最新消息中，全球知名的半導(dǎo)體制造商SK海力士正積極布局，大力擴(kuò)展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應(yīng)對日益增長的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5 DRAM的市場需求，進(jìn)一步鞏固其在存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-17 16:50:021580 在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473 DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細(xì)。不知道你開始使用DDR5沒有，你有關(guān)注過DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線嗎？
2024-07-16 17:47:136103 
近日，據(jù)外媒報道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%，這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露，此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張，對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516 SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 近日，存儲芯片市場傳來重大消息，SK海力士正式通知市場，其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%，這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于，SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:212762 SK 海力士，作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭，近期宣布了一項(xiàng)重要的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模，顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道，SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作，訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備，以加速提升M16晶圓廠在HBM（高帶寬內(nèi)存）及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920 近日，DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）市場傳來重磅消息，由于服務(wù)器需求持續(xù)強(qiáng)勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著，多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進(jìn)行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知，宣布DDR5內(nèi)存的單季價格將實(shí)現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:011224 SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255 近日，SK海力士正逐步調(diào)整其生產(chǎn)策略，降低DDR4的生產(chǎn)比重。在今年第三季度，DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%，并計(jì)劃在第四季度進(jìn)一步降至20%。這一調(diào)整或?qū)⒁馕吨?b class="flag-6" style="color: red">SK海力士將有
2024-11-07 11:37:181277 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037928 據(jù)傳輸速率相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起始速率為2133MT/s，而DDR5內(nèi)存的起始速率為4800MT/s。這意味著DDR5內(nèi)存在相同的時間內(nèi)可以傳輸更多的數(shù)據(jù)，從而提高系統(tǒng)的處理
2024-11-29 14:58:405418
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