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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Winbond -DRAM 64M 128M 256M SD

Winbond -DRAM 64M 128M 256M SD

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2025-07-21 14:40:2812

新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品

新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線現(xiàn)擴(kuò)充ThinTOLL8x8封裝
2025-07-08 17:08:311019

回收MTFC8GAKAJCN-1M WT鎂光閃存芯片

、MT29F64G08CBAAAWP:A、 MT29F64G08CBABAWP:B 、MT29F128G08CFAAAWP:A 、MT29F256G08CJAAAWP:A、 MT47H128M8CF-25EIT、MT47H128M8CF-25E:H、 MT41J128M16HA-15E:D 、MT41J256M8HX-15E:D等
2025-06-26 09:52:33

HY-M8&M16 動態(tài)信號測試分析系統(tǒng)介紹

HY-M8&M16動態(tài)信號測試分析系統(tǒng)介紹 HY-M8/16是一款西安環(huán)測自動化技術(shù)有限公司高性能數(shù)據(jù)采集分析的動態(tài)信號測試分析系統(tǒng)主機(jī)。系統(tǒng)采用LAN接口和計算機(jī)進(jìn)行通訊,機(jī)箱可
2025-06-25 11:41:37

AIWA TP-M237維修手冊

AIWA TP-M237維修手冊
2025-06-17 16:43:520

AIWA CX-J3000M英文資料

AIWA CX-J3000M
2025-06-16 16:08:430

使用宏集TELE NA003-M64繼電器,避免光伏發(fā)電系統(tǒng)的異常電流饋入電網(wǎng)

如何避免光伏發(fā)電因不穩(wěn)定而損害電網(wǎng)?使用宏集NA003-M64電力保護(hù)器即可幫您監(jiān)測電流,實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)和系統(tǒng)保護(hù)!
2025-05-22 11:08:26615

索尼KV-G14M1服務(wù)手冊

索尼KV-G14M1服務(wù)手冊
2025-05-17 17:28:072

M8040A/M8199助力數(shù)據(jù)中心收發(fā)信機(jī)測試

隨著數(shù)字通信和大數(shù)據(jù)的不斷發(fā)展,誤碼率測試變得越來越重要。高性能誤碼率測試儀作為一種關(guān)鍵的測試設(shè)備,可以對數(shù)字信號進(jìn)行高速、高精度的誤碼率測試,廣泛應(yīng)用于通信、數(shù)據(jù)中心、半導(dǎo)體等行業(yè)。 M
2025-05-12 16:57:50578

【極速存儲新選擇】PCIe5.0 M.2硬盤盒 免工具安裝全金屬抽取盒

MB840M5P-B專為充分利用PCIe5.0的強(qiáng)大功能而設(shè)計,可提供超快的128Gbps傳輸速度,是PCIe4.0(64Gbps)帶寬的兩倍,比SATA(6Gbps)快20倍以上
2025-04-17 16:44:561921

M8 VS M12連接器:從參數(shù)到應(yīng)用全方位對比

眾所周知,M8和M12連接器在是工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用中都是非常常用的電氣連接部件。M8連接器通常具有較小的尺寸規(guī)格,其螺紋規(guī)格一般為M8*1,常見的針數(shù)有3針、4針、5針等。它的額定電壓一般在250V左右
2025-04-17 07:34:181125

H110M-K點(diǎn)位圖

H110M-K點(diǎn)位圖
2025-04-14 14:51:2440

M12 與 M8 連接器規(guī)格的差異剖析

M12 與 M8 接頭在尺寸、電氣性能、防護(hù)等級及連接方式等方面存在顯著差異。在實(shí)際應(yīng)用中,需綜合考慮設(shè)備功率、安裝空間、工作環(huán)境以及操作便利性等因素,合理選擇接頭類型,確保系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠運(yùn)行。
2025-03-27 11:10:331750

深入比較nRF52832和Nordic新的產(chǎn)品nRF54L15參數(shù)對比

33&RISV-V 資源 64KRam/512KFlash 256KRam/1.5MFlash 主頻 64M 128M TX power -20dBm --- +4dBm -8dBm --- +8dBm
2025-03-26 22:28:39

WD75-110S24M1 WD75-110S24M1

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)WD75-110S24M1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有WD75-110S24M1的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,WD75-110S24M1真值表,WD75-110S24M1管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-21 18:34:28

NA200-220S48M1 NA200-220S48M1

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2025-03-19 18:34:52

A03-C1S12M(-1) A03-C1S12M(-1)

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2025-03-18 18:32:35

德普微DPM32M08X 旗艦系列 DPM32M05X 主流系列 DPM32M03X 優(yōu)勢供應(yīng)

多樣化的封裝,適用于高性能電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用場景 DPM32M08旗艦系列 DPM32M087RBT7LQFP64 DPM32M087CBT7LQFP48 DPM32M
2025-03-12 17:13:06

深入比較nRF52832和Nordic新的產(chǎn)品nRF54L15參數(shù)對比

33&RISV-V 資源 64KRam/512KFlash 256KRam/1.5MFlash 主頻 64M 128M TX power -20dBm --- +4dBm -8dBm
2025-03-10 23:54:16

BAT32G157系列MCU是中微基于ARM? Cortex?-M0+的超低功耗32位微控.

最高支持內(nèi)部64MHz、外部20MHz,256KB Flash、2.5KB專用數(shù)據(jù)Flash存儲器、32KB SRAM存儲器,多達(dá)58個GPIO,支持比較器,USB2.0,ADC,RTC,LCD
2025-03-07 17:18:10

德普微DPM32M08X 旗艦系列 DPM32M05X 主流系列 DPM32M03X 優(yōu)勢供應(yīng)

DPM32M08X 旗艦系列 極致的可靠性和強(qiáng)大的算力 豐富的存儲資源和通訊接口 以及多樣化的封裝,適用于高性能電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用場景 DPM32M08旗艦系列 DPM32M087RBT7LQFP64
2025-03-05 17:44:57

德普微電機(jī)控制芯片 DPM32M08X DPM32M05X DPM32M03X 代理供應(yīng)

,適用于對電機(jī)轉(zhuǎn)速要求高、資源需求大的應(yīng)用場景。產(chǎn)品特性 電壓范圍:2.8~5.5V 內(nèi)核:M0+電機(jī)DSP,96MHz 128KB Flash,16KB SRAM 2個獨(dú)立的3Msps 12Bit
2025-03-05 09:16:51

DPM32M087RBT7德普微電機(jī)mcu代理優(yōu)勢供應(yīng)

:2.8~5.5V 內(nèi)核:M0 +電機(jī)DSP, 96MHz 128KB Flash,16KB SRAM 5路DMA通道 2個獨(dú)立的3Msps 12Bit ADC, 所有通道采樣結(jié)果獨(dú)立存放,可直接輸出
2025-02-28 15:45:08

FSX-1M

FSX-1M無源晶振, FSX1M石英晶振
2025-02-27 14:47:490

MG_MTS_MR 與施耐德M241的組態(tài)過程

MG_MTS_MR 與施耐德M241的組態(tài)過程
2025-02-26 10:31:421021

安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側(cè)重于
2025-02-21 11:24:201802

DLPC900如何設(shè)計可以提高支持高刷新率的圖片數(shù)量?

根據(jù)DLPC900的資料,實(shí)現(xiàn)高刷新率的圖片都是預(yù)存在128Mdram里。但是128M空間有限,存儲數(shù)量也一定。如何設(shè)計可以提高支持高刷新率的圖片數(shù)量?謝謝。
2025-02-21 07:43:42

DLP6500存儲內(nèi)存為128m,存儲圖片數(shù)量少,請問能否對其進(jìn)行擴(kuò)容?

根據(jù)用戶手冊,DLP6500存儲內(nèi)存為128m,存儲圖片數(shù)量少,請問能否對其進(jìn)行擴(kuò)容?或者有其他方法提高存儲容量嗎?
2025-02-21 06:48:18

用DLP3021LEQ1EVM樣機(jī)進(jìn)行視頻燒錄,在燒錄時提示大于256M不能燒錄,怎么解決?

我用DLP3021LEQ1EVM樣機(jī)進(jìn)行視頻燒錄,F(xiàn)LASH為2G內(nèi)存,視頻文件在DLP Composer編譯后顯示只有360M左右,在燒錄時提示大于256M不能燒錄;這個內(nèi)存大小限制可以修改嗎或者其他方法燒錄大一點(diǎn)文件,謝謝
2025-02-17 06:37:41

MT48LC4M32B2P-6A:L DRAM

MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM),由MICRON制造,專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和穩(wěn)定性,適用于多種應(yīng)用場景。目前
2025-02-14 07:28:17

Teledyne LeCroy發(fā)布Summit M64 PCIe協(xié)議分析儀

協(xié)議測試和測量解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)航者Teledyne LeCroy,近日在其產(chǎn)品系列中推出了Summit M64——一款專為PCI Express(PCIe)設(shè)計的協(xié)議分析儀/訓(xùn)練器。 Summit
2025-02-08 10:31:571064

芯??萍纪瞥鋈翪S8M321與CS8M326系列經(jīng)濟(jì)型MCU

近期,芯??萍荚贛CU領(lǐng)域邁出了重要的一步,全新推出了CS8M321(簡稱M321)與CS8M326(簡稱M326)系列ADC模塊經(jīng)濟(jì)型MCU。這兩款MCU專為滿足各種信號測量需求而設(shè)計,集成了多種高性能的信號鏈模塊,為用戶提供了精準(zhǔn)且可靠的解決方案。
2025-02-06 17:49:051737

Teledyne LeCroy推出Summit M64 PCIe協(xié)議分析儀/訓(xùn)練器

協(xié)議測試和測量解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Teledyne LeCroy,近日在其產(chǎn)品系列中新增了一款重磅產(chǎn)品——Summit M64。這是一款專為PCI Express (PCIe) 設(shè)計的協(xié)議分析儀
2025-01-24 15:21:021404

TeledyneLeCroy推出新PCIe協(xié)議分析儀Summit M64

TeledyneLeCroy 推出用于最新 PCI Express、NVMe 和 CXL 測試的創(chuàng)新協(xié)議分析儀和模擬器—— Summit M64 加利福尼亞州米爾皮塔斯,2025 年 1 月 21
2025-01-24 12:11:19973

M5CoreS3 和 M5AtomS3R 支持小智AI啦!

M5Stack支持小智AI啦!現(xiàn)已適配M5CoreS3和AtomS3R(需搭配AtomicEchoBase)。只需簡單操作,即可將設(shè)備轉(zhuǎn)化為智能AI助手。體驗(yàn)全新語音交互功能,讓智能助手觸手可及
2025-01-23 18:19:355689

mXT1296M1T-AT/mXT1296M1T-AB 1.1數(shù)據(jù)手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《mXT1296M1T-AT/mXT1296M1T-AB 1.1數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-22 16:11:091

雷卯針對函傳智能(三創(chuàng)電子) SAM-CT113IA 開發(fā)板靜電防護(hù)推薦保護(hù)器件示意圖

128M/256M/512M/1GB DDR3 4 ROM 4GB/8GB eMMC或256MB NAND FLASH 三、 擴(kuò)展接口 雷卯
2025-01-21 17:43:22993

新唐科技基于NuMaker-M55M1平臺的人臉識別系統(tǒng)

人臉識別技術(shù)已成為現(xiàn)代科技的重要基石,廣泛應(yīng)用于安全監(jiān)控、門禁系統(tǒng)以及用戶身份認(rèn)證等領(lǐng)域。新唐科技基于 NuMaker-M55M1 平臺的人臉識別系統(tǒng),結(jié)合多種核心技術(shù)組件,包括圖像處理技術(shù)
2025-01-20 10:31:101283

SCB33S128160AE-6BI TSOP-54 128M 閃存芯片 存儲器

1 概述 本章概述 128-Mbit 同步 DRAM 元件產(chǎn)品,并介紹其主要特點(diǎn)。特性。1.1 特性 - 與正時鐘邊沿完全同步 - 工作溫度 - 商用溫度范圍 0 °C
2025-01-16 14:59:36

DAC5681+TSW3100能否實(shí)現(xiàn)150M-250M信號的掃頻?

購買DAC5681+TSW3100能否實(shí)現(xiàn)150M-250M信號的掃頻(列如要實(shí)現(xiàn)150M-250M信號的掃頻,信號總時間2微秒)?
2025-01-10 06:16:57

華碩主板M10A使用手冊

華碩主板M10A使用手冊
2025-01-05 09:20:180

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