據(jù)韓媒報道，SK海力士將在2020年進行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務重組，其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:00
4758 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:408383 為突破半導體市場的不景氣，三星電子（Samsung Electronics）致力升級微細制程技術(shù)；SK海力士（SK Hynix）則準備以史上最大規(guī)模的投資計劃應戰(zhàn)。
2016-01-26 08:19:58849 近日，SK 海力士負責人在接受采訪時表示，準備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
2019-01-29 09:09:052246 日前，據(jù)韓國媒體報道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導入EUV技術(shù)，以建立更高的技術(shù)壁壘。對此，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用 EUV 計劃。
2020-10-09 10:34:452742 極紫外（EUV）光刻技術(shù)將DRAM技術(shù)擴展到10nm以下，以及將內(nèi)存和邏輯芯片整合到同一個設備中，以應對不斷增加的工作負載。 SK海力士首席執(zhí)行官李錫熙說：“我們正在改進DRAM和NAND各個領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展所需的材料和設計結(jié)構(gòu)，并逐步解決可靠性問題。如果以此為基礎(chǔ)
2021-03-29 14:38:437477 討論購買存儲芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已經(jīng)完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲芯片的開發(fā)。 ? 與消費類設備中使用的DRAM相比，汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:017589 4月16日消息 據(jù)悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據(jù)稱，SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片的開發(fā)。與消費類設備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 。 ? 圖源：SK海力士官網(wǎng) ? SK海力士將這一進展定義為：意義非凡。 ? 激進的三星和SK海力士 在談論EUV DRAM是否非凡之前，我們先了解一些關(guān)聯(lián)技術(shù)。從原理上說，光刻技術(shù)就是利用光化學反應原理和化學、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術(shù)。近半個多世紀，半導
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)業(yè)界消息，三星電子、SK海力士、美光均已完成DDR6規(guī)格的初期原型開發(fā)，正與英特爾、AMD、英偉達等CPU/GPU廠商共同推進平臺驗證。當前目標性能為8800MT/s，后續(xù)
2025-07-31 08:32:003676 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)將通過一種名為
2025-11-14 09:11:212448 
SK海力士也宣布，2018年下半將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規(guī)模補強與轉(zhuǎn)換投資。如何看待這兩則新聞？筆者認為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
STM32F407為什么在傳輸事件觸發(fā)中斷后會再一次觸發(fā)中斷？是什么原因呢？怎么去解決？
2021-10-21 06:06:55
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2021-04-27 16:10:09
內(nèi)存本身性能的擴大，封裝技術(shù)也需要不斷發(fā)展。經(jīng)證實，三星已經(jīng)處于下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)階段，將采用MSAP技術(shù)。目前，MSAP已經(jīng)被三星的競爭對手（SK海力士和美光）用于DDR5中。據(jù)介紹
2022-10-26 16:37:40
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2020-11-20 16:59:46
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2021-08-02 17:44:42
全球DRAM二哥海力士（Hynix）認為，DRAM產(chǎn)業(yè)下半年起開始復蘇。
2012-03-16 09:00:194668 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:481040 
SK海力士（SK Hynix）正對噴霧式電磁波干擾（Electromagnetic Interference；EMI）遮蔽（Shielding）技術(shù)量產(chǎn)可能性進行評估，有望接手過去委外進行的EMI遮蔽制程，著手研發(fā)噴霧式的EMI遮蔽技術(shù)，期望達成降低生產(chǎn)成本與提高產(chǎn)量的目標。
2016-12-29 08:02:111070 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 “蘋果iPhone X首次使用AMOLED屏，簽下約90億美元OLED面板訂單”的消息在網(wǎng)上傳開后，直接點燃了AMOLED的熱潮。這個被譽為“下一代顯示技術(shù)的”的OLED技術(shù)再一次被推到了風口下，也將OLED面板的發(fā)展推上了快車道。
2018-04-26 14:04:002460 6月5日晚間有消息稱，位于無錫的 SK海力士 工廠突然發(fā)生火災。據(jù)悉，發(fā)生火災的是無錫海力士正在建設的第二工廠項目，目前受災情況尚不明朗。下面就隨網(wǎng)絡通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 值得一提的是，火災發(fā)生地位于項目工地，應該對目前的生產(chǎn)線沒有影響。
2018-06-09 09:47:005028 家存儲器大廠SK海力士（Hynix）也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術(shù)來生產(chǎn)DRAM存儲器，未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:244026 )制程DRAM，目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制程研發(fā)速度，追趕三星，預 ... 10納米級DRAM先進制程競爭
2018-11-12 18:04:02533 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 韓國存儲器廠 SK 海力士受惠于 DRAM 價格大漲，以及市況持續(xù)暢旺，去年第四季凈利幾乎翻兩倍。
2018-12-28 14:40:541160 
受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響，SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價格正急劇下跌，外界觀測指出，接連刷新營業(yè)利益紀錄的SK海力士，這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:131058 這一次vivo將NEX系列成熟的升降鏡頭放置在了X27身上，再一次將X系列的顏值提升到了新的高度。此外，前置鏡頭的升起速度由原先的1s縮短至0.68s，左右兩側(cè)增加了兩條半透明導光帶，機身內(nèi)部還隱藏了兩顆LED燈，可通過設置顯示6種不同色彩，讓你的每次自拍都更具有儀式感。
2019-04-06 09:00:00975 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 在推進DRAM的制造技術(shù)上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進的步伐。
2019-10-24 17:09:541739 SK海力士所研發(fā)的行業(yè)內(nèi)首個五代雙倍速率（DDR5） DRAM， 達到了電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會（Joint Ele ctron Device Engineering Council，簡稱JEDEC） 標準， 這項技術(shù)正在DRAM市場開拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:374434 SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機存儲器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。
2019-11-19 11:08:21941 本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205 根據(jù)Tom's Hardware的報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 14:36:376009 根據(jù)消息報道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:134795 最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態(tài)，極大影響了市場的供需狀態(tài)。相比2個月前，內(nèi)存的價格幾乎上漲了6成，SSD的價格也同樣水漲船高。不過目前韓國另外一家半導體工廠SK海力士并未打算下調(diào)產(chǎn)能。
2020-03-05 08:51:192548 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標準的最終細節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:483511 據(jù)韓聯(lián)社報道，投資機構(gòu)Eugene預測，由于受到新冠肺炎的影響，DRAM價格將在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目標股價。
2020-04-14 16:12:362860 特斯拉今日宣布正式入駐天貓，開出全球第一家Tesla特斯拉官方旗艦店。從建造上海超級工廠，推出國產(chǎn)版Model 3，再到與“國民應用”天貓合作，這是特斯拉在中國本土化布局的再一次突破。
2020-04-16 10:55:033529 據(jù)etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202943 SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內(nèi)存，存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日，有消息稱SK海力士無錫投資公司參與了SiC晶圓廠泰科天潤的D輪融資，成功入股泰科天潤。SK集團本身具備SiC晶圓廠，但這是SK海力士在中國第一次投資SiC相關(guān)項目。
2021-11-15 09:03:312745 當下，DDR5內(nèi)存還遠未到要主流普及的程度。不過，DRAM內(nèi)存芯片的頭部廠商們已經(jīng)著手DDR6研制了。
2022-07-25 11:25:524410 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219 * 業(yè)界最快的DDR5服務器，實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作，SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開發(fā)? * 努力尋求技術(shù)突破，鞏固在服務器DRAM市場的領(lǐng)導地位 韓國首爾
2022-12-09 20:40:312118 服務器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級（1a）DDR5服務器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務器
2023-01-12 21:32:261496 SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄 sk海力士2022年財報難看 前一兩年還一直聽說內(nèi)存條在不斷漲價的消息，現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀錄，看來大伙的日子都不太好過。 宏觀經(jīng)濟的下滑導致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954 
Corp. 周四的數(shù)據(jù)，美光科技在 1 月至 3 月期間獲得了了 27.2 億美元的 DRAM 銷售額，比上一季度的 28.3 億美元下降了 8%。這家美國芯片制造商擊敗了 SK 海力士，后者的銷售額
2023-06-01 08:46:061184 為了實現(xiàn)這一功能，還必須適合用于輔助計算的dram?，F(xiàn)有智能手機使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求，提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出（i/o）頻道的數(shù)量，可以將數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲器內(nèi)外。
2023-07-12 09:39:561019 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務器dram。據(jù)悉，對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:331393 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16899 SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn)，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540 SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務。從DDR4世代跨越到DDR5世代，瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學習等異構(gòu)計算飛速發(fā)展，CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起，吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:372065 12月27日消息，根據(jù)韓媒報道，SK海力士近日研發(fā)出了可重復使用的 CMP拋光墊技術(shù)，不僅可以降低成本，而且可以增強 ESG（環(huán)境、社會、治理）管理。
2023-12-27 13:48:501383 
數(shù)據(jù)顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 的型號。 首先，我們來看一下DDR6內(nèi)存。DDR6是目前市場上最新的內(nèi)存技術(shù)，它在DDR5的基礎(chǔ)上進行了一些改進。DDR6內(nèi)存的關(guān)鍵特點如下： 1. 帶寬更大：DDR6內(nèi)存的帶寬比DDR5內(nèi)存更大。DDR6內(nèi)存的帶寬可以達到每秒14.4 GB，而DDR5內(nèi)存的帶寬則為每秒12.8 GB。這意味著DDR6內(nèi)存可
2024-01-12 16:43:0513400 隨著全球半導體市場的復蘇，SK海力士認識到，為了保持市場地位，推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 15:53:082080 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25865 無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地，其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前，無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 據(jù)封裝研發(fā)負責人李康旭副社長（Lee Kang-Wook）介紹，SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因，實現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢，提升了SK海力士在HBM市場的領(lǐng)軍地位。
2024-03-07 15:24:171193 SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士，作為全球知名的半導體公司，近期在中國業(yè)務方面進行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務布局，計劃關(guān)閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業(yè)務重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款，供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置，用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣，然后交予 TEMC 進行純化處理，最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:591038 SK海力士表示，憑借其在AI應用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ)，該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源，SK海力士將進一步提升存儲器產(chǎn)品性能，實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 近日，PV Tech發(fā)布了2024年第一季度組件制造商可融資性評級，隆基再一次蟬聯(lián)AAA最高評級，持續(xù)保持全球領(lǐng)先的生產(chǎn)制造能力和研發(fā)水平，在激烈的市場競爭環(huán)境下展現(xiàn)出強大的綜合實力，受到國內(nèi)外金融市場、光伏行業(yè)以及第三方機構(gòu)的廣泛認可。
2024-04-28 09:22:49875 
SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲，以及對今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982 今日，SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破，他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)（On-Device）AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。這款產(chǎn)品的推出，標志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175 業(yè)界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存，下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM，引起市場搶貨潮，導致近期DDR3價格飆漲，最高漲幅達二成，且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術(shù)團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲，這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035 SK海力士在半導體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐，計劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產(chǎn)中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應用標志著MOR技術(shù)正式進入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506 在全球半導體產(chǎn)業(yè)風起云涌的當下，SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露，該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模，以應對當前市場對HBM（高帶寬內(nèi)存）及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183 在6月17日傳來的最新消息中，全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局，大力擴展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5 DRAM的市場需求，進一步鞏固其在存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-17 16:50:021580 近日，半導體行業(yè)迎來了一項重大技術(shù)突破。據(jù)BUSINESSKOREA報道，在6月16日至6月20日于美國夏威夷舉行的半導體盛會“VLSI 2024”上，韓國半導體巨頭SK hynix（SK海力士
2024-06-24 15:35:291746 在全球半導體技術(shù)的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473 在半導體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息，該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存（High Bandwidth Memory, HBM）的生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破，也預示著全球半導體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366 在半導體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術(shù)，以推動高帶寬內(nèi)存（HBM）的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息，SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中，這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889 據(jù)最新消息，SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略，考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國子公司，承載著SK海力士在存儲解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 全球領(lǐng)先的半導體制造商SK 海力士近日宣布了一項重大突破，正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產(chǎn)品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設計的顯存，憑借其前所未有的高速與卓越性能，再次彰顯了SK 海力士在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-07 11:20:351350 近日，據(jù)外媒報道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%，這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應鏈內(nèi)部人士透露，此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張，對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516 SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK 海力士，作為全球知名的半導體巨頭，近期宣布了一項重要的擴產(chǎn)計劃，旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模，顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道，SK 海力士已積極與上游設備供應商合作，訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設備，以加速提升M16晶圓廠在HBM（高帶寬內(nèi)存）及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920 SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255 韓國首爾，2024年9月23日訊 —— SK海力士今日宣布了一項重大技術(shù)突破，其自主研發(fā)的異構(gòu)存儲器軟件開發(fā)套件（Heterogeneous Memory S/W Development Kit
2024-09-23 14:23:441328 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)
2024-11-05 15:01:201231 限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日，該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品，該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本，最大的數(shù)據(jù)速率峰值超過 12000 MT/s。
2024-12-03 16:47:012067 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021667
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